开关电路_MOS和三极管】的更多相关文章

https://blog.csdn.net/acelit/article/details/70171312 绍过一般的电源开关电路,控制电源的目的是省电,控制静态电流.不过以下的电路存在着几个缺点: 1.管压降较大          我们知道采用PNP管子作为开关管的饱和压降在0-0.3V,这在低电路上是不可接受的.3.3V的控制电源最大误差变成3V,某些1.5V的电源变成             1.2V,这会导致由此供电的芯片损坏.            PMOS的管子压降为Vdrop=Id…
设计的MOS管三极管简单开关电路驱动能力不够 [复制链接]     lxizj 9 主题 454 帖子 1783 积分 四级会员(40) 积分 1783 发消息 16#   发表于 2012-4-23 17:02 | 只看该作者 这个东西仔细看看规格书就知道了.0 n" Z0 o. r7 ~$ `; a) u! {9 j 1.首先,为什么10K/10K的分压不行? # Q7 _$ S" A. D3 r6 [, S 9楼说的有道理.从规格书上看,AOD409的阙值电压是2.4V,而10K…
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册 x . ?& P' U5 r/ ~& `: B 用AOD409设计的开关电路为什么驱动能力不够,请大家帮忙分析一下原因啊.这个电路作用就是输入为高电平(3.3V)时5V\12V接通,输入低电平断开.这个电路可以实现断开与接通功能,但就是驱动不了我的马达.马达直接接电源可以转,通过这个电路就不转,应该是电流不够吧.谢谢啦~     分享到:  QQ好友和群 QQ空间 腾讯微博 腾讯朋友 微信 收藏5 支持! 反对! 微信分享   回复 举报  …
0. 总结 NPN适合做低端驱动,即PN结在下面(低端),发射极E接地. PNP适合做高端驱动,即PN结在上面(高端),发射极E接VCC. Tips:标箭头的PN结,中间的是基极B,外头是E极. 1. 简述 三极管开关属于电流控制开关,Ib控制Ic,与MOSFET管电压控制相反: NPN和PNP的电流方向.电压极性相反. 1)NPN :以B→E 电流控制C→E 电流. 正常放大时,  即VC > VB > VE 2)PNP :以E→B 电流控制E→C 电流. 正常放大时,  即VE >…
16楼说得非常明白,补充一点,R3如果不要,会有下冲产生.4 Q: Z/ G  G1 s8 Z- } 能解释下为什么会产生过冲吗?9 i, P* D* X) u. t/ b  ^ 让我们这些菜鸟学习学习         回复 支持 反对 举报   EDA365微信号及QQ群号! tyongfeng18 0 主题 3 帖子 83 积分 二级会员(20) 积分 83 发消息 32#   发表于 2012-7-31 13:51 | 只看该作者 当电压12V输入的时候,D2没拿掉为好.       回复…
上图是最终画好的电路.使用的是NPN三极管,并且把NPN三极管放在了下面.下面分析下NPN三极管作为开关管能否放在上面. 从上面两张图分析可知,当三极管作为开关管使用的时候,NPN三极管需要放在下面(E极接地),PNP三极管需要放在上面,E极接负载. 上图是使用PNP三极管作为开关管. 发现无论是NPN还是PNP作为开关管使用的时候,在BE之间都有一个电阻,这是因为,三极管的制造工艺,是的BE之间存在寄生电容.当三极管关断之后,电容继续放电,BE之间就会有电流,三极管处于放大状态,部分导通,加上…
在电路设计当中假设我们想要对电流中止控制,那就少不了三极管的帮助.我们俗称的三极管其全称为半导体三极管,它的主要作用就是将微小的信号中止放大.MOS管与三极管有着许多相近的地方,这就使得一些新手不断无法明白两者之间的区别,本篇文章就将为大家引见三极管和MOS管的一些不同. 关于三极管和MOS管的区别,我们简单总结了几句话便当大家理解. 从性质上来说:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制. 从本钱上来说:三极管低价,MOS管贵. 关于功耗问题:三极管损耗大. 驱动能力上的的不同:MOS管常用于电…
http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 场效应管种类场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107-1015Ω).噪声小.功耗低.动态…
1.MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路.MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种.P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管.实际应用中,NMOS居多.其主要特点是结构简单.制造方便.集成度高.功耗低,但速度较慢.三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流:而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流. 2.PMOS的特性,Vgs…
下图是两种MOS管的典型应用:其中第一种NMOS管为高电平导通,低电平截断,Drain端接后面电路的接地端:第二种为PMOS管典型开关电路,为高电平断开,低电平导通,Drain端接后面电路的VCC端. @beautifulzzzz 智能硬件.物联网,热爱技术,关注产品 博客:http://blog.beautifulzzzz.com sina:http://weibo.com/beautifulzzzz?is_all=1…