台积电5nm光刻技术 在IEEE IEDM会议上,台积电发表了一篇论文,概述了其5nm工艺的初步成果.对于目前使用N7或N7P工艺的客户来说,下一步将会采用此工艺,因为这两种工艺共享了一些设计规则.新的5nm制程使用了台积电的第五代FinFET技术,在7纳米基础上提供一个完整的工艺节点,并使用EUV极紫外光刻技术扩展到10多个光刻层,与7纳米相比减少了生产总步骤. 关键数字 如果只是来了解关键数字的,那答案就在这里.台积电表示,5nm EUV工艺使得晶体管密度增加到大致1.84倍,能效提升15%…