三极管NPN和PNP开关电路】的更多相关文章

0. 总结 NPN适合做低端驱动,即PN结在下面(低端),发射极E接地. PNP适合做高端驱动,即PN结在上面(高端),发射极E接VCC. Tips:标箭头的PN结,中间的是基极B,外头是E极. 1. 简述 三极管开关属于电流控制开关,Ib控制Ic,与MOSFET管电压控制相反: NPN和PNP的电流方向.电压极性相反. 1)NPN :以B→E 电流控制C→E 电流. 正常放大时,  即VC > VB > VE 2)PNP :以E→B 电流控制E→C 电流. 正常放大时,  即VE >…
上图是最终画好的电路.使用的是NPN三极管,并且把NPN三极管放在了下面.下面分析下NPN三极管作为开关管能否放在上面. 从上面两张图分析可知,当三极管作为开关管使用的时候,NPN三极管需要放在下面(E极接地),PNP三极管需要放在上面,E极接负载. 上图是使用PNP三极管作为开关管. 发现无论是NPN还是PNP作为开关管使用的时候,在BE之间都有一个电阻,这是因为,三极管的制造工艺,是的BE之间存在寄生电容.当三极管关断之后,电容继续放电,BE之间就会有电流,三极管处于放大状态,部分导通,加上…
N沟道mos管和p沟道mos管负载的接法不一样,随意接的话导致VGS不满足条件:如下图N沟道接法,下拉电阻R2必须接,否则电路状态不稳定. 三极管原理类似如下图(满足三极管导通条件) NPN型三极管:若组成开关电路,则负载必须接在集电极(因为若接在发射极会导致Ib的取值同时与Rb和射集电阻Re有关,Ib=Vb/(Rb+Re)两个变量,不可控,Re取得过大导致Ib太小,无法工作在开关状态,Re取得过小导致Re上分的的电压太小,也无法使三极管饱和:接在集电极就不一样了,Ib=Vb/Rb,然后再选取合…
https://blog.csdn.net/acelit/article/details/70171312 绍过一般的电源开关电路,控制电源的目的是省电,控制静态电流.不过以下的电路存在着几个缺点: 1.管压降较大          我们知道采用PNP管子作为开关管的饱和压降在0-0.3V,这在低电路上是不可接受的.3.3V的控制电源最大误差变成3V,某些1.5V的电源变成             1.2V,这会导致由此供电的芯片损坏.            PMOS的管子压降为Vdrop=Id…
一.晶体管基础知识 晶体管分2种:NPN.PNP 晶体管通常封装为TO-92,下面是元件实物图 和 元件符合: NPN: 当电压和电流被加到基极上时,NPN晶体管: 其工作原理: 就像水龙头—给控制开关一点压力,它就放出水来: 同样给基极一定电压和电流,就可以使晶体管的集电极到发射极通过的电流增大,从而导通: 如图:   PNP: PNP由于跟NPN的极性刚好相反,所以工作原理也相反: 当给阀门压力时阀门关闭,关闭水流:而没有压力反倒能使水流通过龙头流出: 同样,晶体管基极给一定电压和电流时,晶…
http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 场效应管种类场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107-1015Ω).噪声小.功耗低.动态…
晶体三极管分为NPN和PNP型两种结构形式,除了电源极性的不同工作原理是大致相同的.对于NPN管,它是由2块N型半导体夹着一块P型半导体所组成的,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区所形成的PN结称为集电结,三条引线分别为发射极(Emitter).基极(Base)和集电极c(Collector).b点电压高于e点电压时,发射结正偏,而当c点电压高于b点电压时,集电结反偏,集电结电源要高于基极电源.由于在制造过程中,发射区的自由电子浓度要多于集电区的电子浓度,因此在正偏电压下,自…
1 三极管和MOS管的基本特性 三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化.有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种,符号如下: MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化.有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS),符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管): 2 三极管和MOS管的正确应用 (1)P型三极管,适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况.只要基极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V…
MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3…
PCB封装主要分为贴片式与插件式 1)贴片元件封装说明发光二极管:颜色有红.黄.绿.蓝之分,亮度分普亮.高亮.超亮三个等级,常用的封装形式有三类:0805.1206.121  (常用封装为RB.1/.2 ) 引申出来的有:0805C.0805D.0805L等 二极管:根据所承受电流的的限度,封装形式大致分为两类,小电流型(如1N4148)封装为1206, 大电流型(如IN4007)暂没有具体封装形式,只能给出具体尺寸:5.5 X 3 X 0.5电容:可分为无极性和有极性两类,无极性电容下述两类封…