SRAM SROM DRAM DROM DDR NAND FLASH EMMC的区别

RAM(Random Access Memory)的全名为随机存取记忆体,它相当于PC机上的移动存储,用来存储和保存数据的.它在任何时候都可以读写,RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(可称作系统内存). 不过,当电源关闭时RAM不能保留数据,如果需要保存数据,就必须把它们写入到一个长期的存储器中(例如硬盘).正因为如此, 有时也将RAM称作“可变存储器”.RAM内存可以进一步分为静态RAM(SRAM)和动态内存(DRAM)两大类.DRAM由于具有较低的单位容量价格,所以…

一文搞懂RAM、ROM、SDRAM、DRAM、DDR、flash等存储介质

一文搞懂RAM.ROM.SDRAM.DRAM.DDR.flash等存储介质存储介质基本分类:ROM和RAM RAM:随机访问存储器(Random Access Memory),易失性.是与CPU直接交换数据的内部存储器,它可以随时读写,而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介.当电源关闭时RAM不能保留数据.如果需要保存数据,就必须把它们写入一个长期的存储设备中(例如硬盘). ROM:只读存储器(Read Only Memory),非易失性.一般是装入整机前事先写…

nor flash启动与nand flash启动的区别

1)接口区别:NOR FLASH地址线和数据线分开,来了地址和控制信号,数据就出来.NAND Flash地址线和数据线在一起,需要用程序来控制,才能出数据.通俗的说,就是光给地址不行,要先命令,再给地址,才能读到NAND的数据.而且都是在一个总线完成的.结论是:ARM无法从NAND直接启动.除非装载完程序,才能使用NAND Flash. 2)性能区别 NOR的传输效率很高,在1-4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能. NAND结构能提供极高的单元密度,可…

【C# IO 操作】内存之RAM、SRAM、DRAM、ROM、FLASH、SDRAM、DDR*

内存内存(Memory)指的是内存存储器,又称为主存,是CPU用来直接寻址和存储的空间,它相当于一座桥梁,用以负责诸如硬盘.主板.显卡等硬件上的数据与处理器之间数据交换处理,我们可以把内存看作数据缓存区,一个高速的缓存区.内存之所以称为内存,是相对于硬盘这些外存而言,我们要用的软件数据都安装存放在外存上,但是当我们运行他们时,就需要把这些软件的数据调入内存,才能运行顺畅,因为CPU和内存间的数据交换速度远高于和外存交换速度. 内存条是由内存芯片.电路板.金手指等部分组成的. 内存分ROM(只读…

nor flash与nand flash启动的简单比较--APPLE的ARM学习笔记一

2010-10-08 22:26:00 A,nor flash与nand flash的一些区别 1)接口区别: NOR FLASH地址线和数据线分开,来了地址和控制信号,数据就出来. NAND Flash地址线和数据线在一起,需要用程序来控制,才能出数据. 通俗的说,就是光给地址不行,要先命令,再给地址,才能读到NAND的数据.而且都是在一个总线完成的. 结论是:ARM无法从NAND直接启动.除非装载完程序,才能使用NAND Flash. 2)性能区别 NOR的传输效率很高,在1-4MB的小容量…

RAM和ROM和Flash ROM的区别

转;http://openedv.com/thread-81182-1-1.html http://www.sohu.com/a/112676146_465915 一. RAM(Random Access Memory) RAM(Random Access Memory), 随机存取存储器.是与CPU直接交换数据的内部存储器,也叫内存.它可以随时读写,而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介, 当电源关闭时RAM不…

RAM,SRAM,DRAM,SDRAM,DDR RAM,ROM,PROM,EPROM,EEPROM,NAND FLASH,NOR FLASH的区别

RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM SRAM DRAM(下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM,random access memory(随机存取存储器)的缩写,下面是51hei.com为大家整理的目前所有的存储器的区别.SRAM:静态随机存储器,就是它不需要刷新电路,不像动态随机存储器那样,每隔一段时间就要刷新一次数据.但是他集成度比较低,不适合做容量大的内存,一般是用在处理器的缓存里面.像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的.DRAM,动态随机存取…

SRAM/DRAM,PROM/EPROM/EEPROM,NOR/NAND FLASH区别

SRAM/DRAM,PROM/EPROM/EEPROM,NOR/NAND FLASH区别 RAM / ROM 存储器 ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM 有两大类: 1) 静态RAM(Static RAM / SRAM),SRAM…

三星DRAM+NAND FLASH 合成MCP芯片介绍及应用攻略

转自:http://blog.csdn.net/gao5528/article/details/6256119 三星DRAM+NAND FLASH 合成MCP芯片介绍及应用攻略(K5系列产品篇) 一年前本人编写了一篇关于三星MCP芯片全攻略的文章,介绍了三星所有类型的MCP芯片的基本构架与市场应用,让很多从事手机研发以及通讯电子类产品的工程师增进了对这种合成芯片的了解.今天要介绍的产品是在上一篇文章的基础上,突出重点介绍一下ND产品,也就是DRAM+NAND这种制成的MCP的架构,选型注意点,三…

Nand flash 的发展和eMMC

讨论到eMMC的发展历程,必须要从介绍Flash的历史开始 Flash分为两种规格:NOR Flash和NAND Flash,两者均为非易失性闪存模块. 1988年,Intel首次发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.NOR类似于DRAM, 以存储程序代码为主,可以让微处理器直接读取.因为读取速度较快,但晶片容量较低,所以多应用在通讯产品中,如手机. 19***,东芝公司发表NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可…

简单介绍nandflash、norflash、ram、sram、dram、rom、eeprom、flash的差别

1.nandflash Nandflash是IO设备,数据.地址.控制线都是共用的,须要软件区控制读取时序, 所以不能像nor flash.内存一样随机訪问,不能EIP(片上执行).因此不能直接作为boot. S3C2440把Bootloader烧到nand flash上启动,由于在S3C2440里有一个内置的SRAM. 叫做stepping stone(垫脚石,非常形象-).系统启动加电后, 会把nandflash上的起始4KB的内容复制到SRAM里运行,这样就实现了从nand…

(转)RAM、ROM、SRAM、DRAM、SSRAM、SDRAM、FLASH、EEPROM的区别

RAM(Random Access Memory) 随机存储器.存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器.这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序. 按照存储信息的不同,随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM). ROM(Read-Only Memory)只读存储器,是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器.其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除.通常…

EMMC与nand flash的区别【转】

1.NAND Flash 是一种存储介质,要在上面读写数据,外部要加主控和电路设计. 2.eMMC是NAND flash+主控IC ,对外的接口协议与SD.TF卡类似:对厂家而言简化了电路设计,降低了成本. 3.使用emmc的好处是,除了得到大容量的空间(这一点,只用NAND FLASH多堆叠也可以做到),还有就是emmc可以管理NAND (坏块处理,ECC)等. 4.NAND Flash 主要生产厂家有Samsung, Toshiba,Hynix, Intel, Micron, 5.eMMC控…

SRAM、DRAM、SDRAM、DDR、DDR2、DDR3

RAM可分为SRAM(Static RAM/静态存储器)和DRAM(Dynamic RAM/动态存储器).SRAM是利用双稳态触发器来保存信息的,只要不掉电,信息是不会丢失的.SRAM存储元件所用MOS管多,占硅片面积大,因而功耗大,集成度低:但因为采用一个正负反馈触发器电路来存储信息,所以只要直流供电电源一直加在电路上,就能一直保持记忆状态不变,所以无需刷新.也不会因为读操作而使状态发生改变,特别是它的读写速度快,其存储原理可看作是对带时钟的RS触发器的读写过程.由于SRAM价格比较昂贵,因而…

EMMC与nand flash的区别

RAM, SDRAM ,ROM, NAND FLASH, NOR FLASH

在看上面2440的内存映射的时候,对其中的有些名字,不是完全太懂,所以到网上找了相关的信息. 对于mini2440来说,SDRAM,即内存,程序运行时的地方.选择连接SDRAM的为bank6. 1)S3C2440 支持两种启动模式:一种是从 Nand Flash 启动:一种是从Nor Flash启动.在此两种启动模式下,各个片选的存储空间分配是不同的, 2)左面时nGCS0片选的Nor Flash启动模式下的存储分配图,右边是Nand Flash启动模式下的存储分配图,这里要注意,nGCS0片选…

NOR flash和NAND flash区别,RAM 和ROM区别

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存.RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/…

NOR flash和NAND flash区别,RAM 和ROM区别d

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D…

NOR和NAND flash区别,RAM 和ROM区别

ROM是Read Only Memory的缩写.RAM是Random Access Memory的缩写.典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比S…

RAM,ROM,NAND Flash，NOR Flash（A）

他们四者相互独立 RAM掉电易失数据: RAM又分两种,一种是静态RAM,SRAM:一种是动态RAM,DRAM.前者的存储速度要比后者快得多,我们现在使用的内存一般都是动态RAM. DDR是Double Data Rate SDRAM的缩写(双倍数据速率) 也就是DRAM的一种 ROM掉电不丢失数据. NOR Flash 和 NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术, Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用…

nor flash 和nand flash 的区别

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D…

nand flash详解及驱动编写

https://www.crifan.com/files/doc/docbook/linux_nand_driver/release/html/linux_nand_driver.html#nand_driver_mechanism [详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动版本:v2.2.1 Crifan Li 摘要本文先解释了Nand Flash相关的一些名词,再从Flash硬件机制开始,介绍到Nand Flash的常见的物理特性,且深入介绍了Nand Flash的一些高级…

SRAM和DRAM的区别

一.浅谈关于SRAM和DRAM的区别:https://www.cnblogs.com/nano94/p/4014082.html. 二.ROM.RAM.DRAM.SRAM和FLASH的区别,转自:http://www.eepw.com.cn/article/275436.htm. ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写. ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失…

硬件初始化，nand flash固化操作，系统启动简单流程

2015.3.27星期五晴链接脚本定义代码的排放顺序硬件系统初始化:一:arm核初始化:(里面有指令)初始化ARM核的时候需要看arm核的手册指令:1.异常向量(最起码有个复位异常,初始化模式-svc) ldr r0, =_start mcr p15, 0, r0, c12, c0, 0 2.处理器模式-SVC3.关闭中断 mrs r0, cpsr bic r0, r0, #0x1f orr r0, r0, #0xd3 @1101 0011 //关闭irq,fiq和设置SVC msr cp…

NAND FLASH均衡算法笔记（转）

转来一篇关于NAND FLASH均衡算法的文章,加上一点思考和笔记,认为这种思考有助于更深刻的理解,更好的记忆,所以也算半原创了吧,最起码笔记是原创的.有意思的是,帖子提起这个算法并不是因为嵌入式开发的需要,而是企业存储.因为提到硬盘驱动器HDD的速度硬伤,目前估计就SSD一种好的存储介质解决方案吧,而SSD除了暂时价格小高以外,主要有一个寿命短的硬伤.这样的话就不可避免的涉及到映射.磨损均衡.存储格式转换等优化问题.以前一直认为基本只有使用NAND FLASH代替HDD的嵌入式平台才产生这种需…

NAND FLASH的容量、特性、市场和应用

NAND Flash的容量一直到2006年,MLC芯片的容量每年都成倍数增长:由于NAND Flash的制程升级的挑战越来越大,所以NAND Flash之后的容量成倍增长所需要的时间也在不断增加,从06年以前的一年到18个月再到2年.由于MLC已经成为主流产品,SLC开始在制程和容量方面逐渐落后.例如SLC的NAND Flash从8Gb到16Gb的转移的花了3年的时间. 8LC和16LC的优点在于可以将更大容量的数据存储于一块芯片上面,而这些是SLC和MLC不能够做到的.例如,第一块16L…

Tiny6410之NAND FLASH驱动

一.NAND FLASH的特点 S3C6410的NAND FLASH控制器有如下特点 1.自导入模式:复位后,引导代码被送入到8KB的STEPPINGSTONE中,引导代码移动完毕,引导代码将在STEPPINGSTONE中执行.导入期间,NAND FLASH控制器不支持ECC矫正. 2.NAND FLSH 控制器I/F:支持512字节和2KB页 3.软件模式:用户可以直接访问nand flash 控制器,该特性可以用于读/檫/编程nand flash 存储器. 1)写命令寄存器=NAND FLA…