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SPI Flash Memory 芯片手册阅读 信息来源…
一 overview 1 table of contents -*** 2 product overview -***  芯片概述 3 feature  ***    每一个功能的特点 4 block diagram  -******  芯片的内部组织结构框图   4.1 arm core 芯片所选用的arm内核版本  4.2  periptheral         芯片内部支持的外设控制器    4.3 bus(AHB ,APB, AXI bus   (芯片内部连接arm内核与外设控制器的总…
W25Q80BV是台湾华邦电子(Winbond)生产的8M-bit串行flash芯片.主要特性有: 工作电压:2.5 ~ 3.6 V 功耗:读写(active)时4mA,低功耗(power-down)时<1μA 容量:8M-bit/1M-byte,包含4096个页(每页大小256字节) 接口:Standard/Dual/Quad SPI,支持时钟频率最高104MHz 支持以4/32/64k-bytes为单位进行Sector/Block擦除 一次写入最多256字节 软件/硬件写保护功能 大于10万…
http://forums.xilinx.com/t5/General-Technical-Discussion/Configuring-spartan-6-using-mcu-and-spi-flash/td-p/88658 I'm currently using spartan 6 in my design and I was wondering if I could configure it using MCU to download fpga design file into the s…
转自:http://m.elecfans.com/article/778203.html 本文主要是关于SPI FLASH与NOR FLASH的相关介绍,并着重对SPI FLASH与NOR FLASH的区别进行了详细的区分. SPI FLASH 首先它是个Flash,Flash是什么东西就不多说了(非易失性存储介质),分为NOR和NAND两种(NOR和NAND的区别本篇不做介绍).SPI一种通信接口.那么严格的来说SPI Flash是一种使用SPI通信的Flash,即,可能指NOR也可能是NAN…
2020年,这个给大家一种很漫长的恍惚感的一年,终于是过去了.这一年我们很多新的人生第一次就这么被发生了,第一次居家办公这么长时间(很多人肥膘都长了不少,我却瘦了2斤,不知是工作太积极了还是被家里小怪兽给折磨的),第一次戴口罩这么长时间(大大超过了前两年北方雾霾严重的时候),第一次大家见面打招呼可以调侃一句"核酸"了没(北京人回答:"阴着呢"),第一次学生和老师这两个角色在非培训班的时候要上网课(此处家长两行泪),第一次在外留学生这么想回国,第一次这么多国人吃瓜看美…
引言 经过前面的分析和介绍,我们对ORPSoC的启动过程(http://blog.csdn.net/rill_zhen/article/details/8855743)和 ORpSoC的debug子系统(http://blog.csdn.net/rill_zhen/article/details/9045837)有了初步的了解, 但是对于启动和debug前的工作还没有仔细分析过.比如FPGA是怎么config的,orpmon是怎么load的,是如何事先烧到外部的flash里的,等等. 本小节就试…
如果从头开始做SPI Flash固化是有一些麻烦的,要在完成综合之后,打开 synthesized Design (图) (图) 然后在synthesized Design打开状态下,选择Tools->Edit Device Properties编辑器件属性 (图) 我们这个FPGA有16MFlash,是Master SPIx1,大家有兴趣可以看一下Xilinx官网配置,你在此处修改都会保存在已经激活的xdc文件 (图) (图) (图) Finish就可以了,把synthesis去掉 (图) 我…
前言:    在嵌入式开发中,如uboot的移植,kernel的移植都需要对Flash 有基本的了解.下面细说一下标题中的中Flash中的关系 一,Flash的内存存储结构    flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flash和nand flash. NorFLASH使用方便,易于连接,可以在芯片上直接运行代码,稳定性出色,传输速率高,在小容量时有很高的性价比,这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM.    相对于NorFLASH,NandFLASH强调更高的性能,更…
Flash有掉电数据保存的特点,RAM掉电则数据丢失,但是RAM的速度更高,擦写次数理论上没有限制,而Flash则不行. Nand Flash相比其余的几种flash优势在于可擦写次数多,擦写速度快,但是在使用以及使用过程中会出现坏块因此需要做特殊 处理才可以使用.其主要用于数据存储,大部分U盘都是Nand Flash. Nor Flash读写时序类似于SRAM,只是写的次数较少,速度也慢,由于其读时序类似于SRAM,读地址是线性结构,多用于程序代码的 存储. SPI Flash同Nand Fl…