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三极管与MOS管主要参数差别及驱动电路基极(栅极)串联电阻选取原则
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三极管与MOS管主要参数差别及驱动电路基极(栅极)串联电阻选取原则
三极管与MOS管都常在电路中被当做开关使用,比较起来: 1. 三极管集电极电流IC (一般为mA级别),远小于MOS管ID(一般为A级别),因此MOS管多用在大电流电路中,如电机驱动 2. 三极管耗散功率(一般为mW级别)一般也远小于MOS管耗散功率(一般为W级别) 3. 三极管死区时间及上升时间一般长于MOS管死区时间及上升时间,高速情况下多用MOS管 4. MOS管导通电阻一般较小,为mΩ级别 三极管基极串联电阻选取: 三极管集电极电流IC 为mA级别,截止电流为nA级别,因此基极串联电阻一…
MOS管驱动电路,看这里就啥都懂了
一.MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种.至于为什么不使用耗尽型的…
用理论告诉你 三极管和MOS管的区别在哪
在电路设计当中假设我们想要对电流中止控制,那就少不了三极管的帮助.我们俗称的三极管其全称为半导体三极管,它的主要作用就是将微小的信号中止放大.MOS管与三极管有着许多相近的地方,这就使得一些新手不断无法明白两者之间的区别,本篇文章就将为大家引见三极管和MOS管的一些不同. 关于三极管和MOS管的区别,我们简单总结了几句话便当大家理解. 从性质上来说:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制. 从本钱上来说:三极管低价,MOS管贵. 关于功耗问题:三极管损耗大. 驱动能力上的的不同:MOS管常用于电…
三极管和MOS管驱动电路的正确用法
1 三极管和MOS管的基本特性 三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化.有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种,符号如下: MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化.有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS),符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管): 2 三极管和MOS管的正确应用 (1)P型三极管,适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况.只要基极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V…
MOS管实现的STC自动下载电路
目录 MOSFET, MOS管基础和电路 MOS管实现的STC自动下载电路 三极管配合 PMOS 管控制电路开关 STC MCU在烧录时, 需要断电重置后才能进入烧录状态, 通常是用手按开关比较繁琐. 如果利用STC-ISP在烧录开始时会拉低RTS的特性, 可以实现烧录开始时自动断电复位. 电路仿真测试 下面的电路适用于烧录下载STC MCU. 使用LTspice模拟. V2 为方波, 电压[0, 3.3V], 宽度1.5s 以下为模拟输出, 绿色为三极管基极电压, 红色为MOS管栅极(Gate…
MOS管常识
http://anlx27.iteye.com/blog/1583089 学过模拟电路,但都忘得差不多了.重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创.如有错误还请多多指点! 先上一张图 一. 一句话MOS管工作原理 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了. PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMO…
电路IO驱动能力
驱动能力 电源驱动能力 -> 输出电流能力 -> 输出电阻 指输出电流的能力,比如芯片的IO在高电平时的最大输出电流是4mA -> 该IO口的驱动驱动能力为4mA 负载过大(小电阻) -> 负载电流超过其最大输出电流 -> 驱动能力不足 -> 输出电压下降 -> 逻辑电路无法保持高电平 -> 逻辑混乱 XX 一般说驱动能力不足是指某个IO口/引脚无法直接用高电平驱动某个外设,需要加三级管(驱动脚由三极管的发射极或集电极提供)或者MOS管. IO与输出电流 单…
详细讲解MOSFET管驱动电路(转)
作者: 来源:电源网 关键字:MOSFET 结构 开关 驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以…
SEPIC 单端初级电感转换器 稳压器 -- Zeta 转换器
single ended primary inductor converter 单端初级电感转换器 SEPIC(single ended primary inductor converter) 是一种允许输出电压大于.小于或者等于输入电压的DCDC变换器. 输出电压由主控开关(三极管或MOS管)的占空比控制. 这种电路最大的好处是输入输出同极性. 尤其适合于电池供电的应用场合,允许电池电压高于或者小于所需要的输入电压. 比如一块锂电池的电压为3V ~ 4.2V,如果负载需要3.3…
MOSFET管应用总结
/* *本文转载自互联网,仅供个人学习之用,请勿用于商业用途. */ 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的 ,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFE…
MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用(转)
源:http://www.micro-bridge.com/news/news.asp?id=258 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 1.MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道M…
设计的MOS管三极管简单开关电路驱动能力不够2
设计的MOS管三极管简单开关电路驱动能力不够 [复制链接] lxizj 9 主题 454 帖子 1783 积分 四级会员(40) 积分 1783 发消息 16# 发表于 2012-4-23 17:02 | 只看该作者 这个东西仔细看看规格书就知道了.0 n" Z0 o. r7 ~$ `; a) u! {9 j 1.首先,为什么10K/10K的分压不行? # Q7 _$ S" A. D3 r6 [, S 9楼说的有道理.从规格书上看,AOD409的阙值电压是2.4V,而10K…
【转】学习MOS管技术知识,这篇文章就够了!
MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3…
MOS管开关电路笔记
1.MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路.MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种.P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管.实际应用中,NMOS居多.其主要特点是结构简单.制造方便.集成度高.功耗低,但速度较慢.三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流:而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流. 2.PMOS的特性,Vgs…
用MOS管防止电源反接的原理
电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避免的.所以,我么就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的目的. 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计.现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻,假设是6.5毫欧,通过的电流为1A(这个电流已经很大了),在他上面的压降只有6.5毫伏.…
硬件工程师必会电路模块之MOS管应用
实际工程应用中常用的MOS管电路(以笔记本主板经典电路为例): 学到实际系统中用到的开关电路模块以及MOS管非常重要的隔离电路(结合IIC的数据手册和笔记本主板应用电路): MOS管寄生体二极管,极性判断?** 1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流:而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流.MOSFET管是FET的一种,可以被制造为增强型或者耗尽型,P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增…
[转] 高频 mos 选择需要考虑相关资料
节选自 http://www.dianyuan.com/bbs/987183.html [草根大侠]贴 关于MOS管导通内阻和米勒电容(Qgd)差异对效率的影响 http://www.epc.com.cn/subject/200910/13172.html 理解功率MOSFET的开关损耗(图) 最近做了一款正激有源钳位电源,DC48输入,DC28V输出,功率200W,频率100K.下边分别说说MOS管的差异 1.主MOS管用的IRF640,钳位管也用的IRF640 ,输出整流管用的MBR2020…
MOS管防止电源反接的原理
[导读] 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. 关键词:PMOS管MOS管电源管理 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计.现在的MOS管可以做到…
01、BUCK电路的参数计算
案例:设计一个Buck电路,满足如下性能指标要求:一.性能指标要求 1.输入电压 2.输出电压 3.输出电压纹波 4.电流纹波 5.开关频率 二.需要计算的参数 三.BUCK电路拓扑 四.BUCK电路工作原理 五.参数计算的假设前提条件 六.BUCK电路参数计算所需要的理论知识 七.导通时的占空比D的计算 八.电感L的计算 九.电容C的计算 十.案例中各个元器件的参数计算一.性能指标要求 1.输入电压 标准直流电压48V 2.输出电压 直流电…
MOS简单应用
高端功率开关驱动的原理非常简单,和低端功率开关驱动相对应,就是负载一端和开关管相连,另外一端直接接地.正常情况下,没有控制信号的时候,开关管不导通,负载中没有电流流过,即负载处于断电状态:反之,如果控制信号有效的时候,打开开关管,于是电流从电源正端经过高端的开关管,然后经过负载流出,负载进入通电状态,从而产生响应的动作.基本的驱动原理图如图所示. 一般现在采用的开关功率管为N型MOSFET,N型MOSFET的优点是驱动采用电压驱动,驱动电流很小,驱动功耗低,而且工作频率可以很高,适用于高 …
MOS管驱动详解
1.常用的几种电平转换方案 2.三极管的电平转换及驱动电路分析 3.三级管老怀 4.关于MOSFET管驱动电路总结 5.一个IIC的5V和3.3V电平转换的经典电路分享 6.mos 7.mos应用 8.MOS管基本原理 9.dj 10.代码 微信分享: 在电平转换器的操作中要考虑下面的三种状态:1 没有器件下拉总线线路.“低电压”部分的总线线路通过上拉电阻Rp 上拉至3.3V. MOS-FET 管的门极和源极都是3.3V, 所以它的VGS 低于阀值电压,MOS-FET 管不导通.这就允许…
MOS管做开关之初理解
杰杰 物联网IoT开发 2017-10-12 大家好,我是杰杰. 今晚,设计电路搞了一晚上,终于从模电渣渣的我,把MOS管理解了那么一丢丢,如有写的不好的地方,请指出来.谢谢. 我带的师弟选的题目是 自动恒温控制的系统 ,打算用闭环的控制,对比继电器,MOS管更精确的控制一点.所以才用上MOS管. 在数字电路中使用三极管就可以做开关,但是一般是用于控制小信号.对于大电流,三极管发热会比较严重. mos管因为导通电子非常小,所以特别适合控制大电流的电路. 不会用mos…
模拟I2C协议学习点滴之复习三极管、场效应管
晶体三极管分为NPN和PNP型两种结构形式,除了电源极性的不同工作原理是大致相同的.对于NPN管,它是由2块N型半导体夹着一块P型半导体所组成的,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区所形成的PN结称为集电结,三条引线分别为发射极(Emitter).基极(Base)和集电极c(Collector).b点电压高于e点电压时,发射结正偏,而当c点电压高于b点电压时,集电结反偏,集电结电源要高于基极电源.由于在制造过程中,发射区的自由电子浓度要多于集电区的电子浓度,因此在正偏电压下,自…
MOS管防反接电路设计
转自嵌入式单片机之家公众号 问题的提出 电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避免的.所以,我们就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的目的 01二极管防反接 通常情况下直流电源输入防反接保护电路是运用二极管的单向导电性来完结防反接保护.这种接法简略可靠,但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的.以输入电流额定值抵达2A,如选用Onsemi的快速恢复二极管 MUR3020PT,额定管压降为0.7V,那么功耗至少也要抵达:Pd=2A×0.7V=1.4W,这样功率低,发…
struts2 中属性驱动(其实就是struts2 action 中处理 request 的参数【old 方式servlet api 封装数据到javabean中(or beanutils)】),这里属性驱动是新方式
1.属性驱动 a\ 一般的set public class UserAction extends ActionSupport { private String username; private String password; public void setUsername(String username) { this.username = username; } public void setPassword(String password) { this.password = pass…
[CLR via C#]9. 参数
一.可选参数和命名参数 在设计一个方法的参数时,可为部分或全部参数分配默认值.然后,调用这些方法的代码时可以选择不指定部分实参,接受默认值.此外,调用方法时,还可以通过指定参数名称的方式为其传递实参.比如: internal static class Program { ; , String s = "A", DateTime dt = default(DateTime), Guid guid = new Guid()) { Console.WriteLine("x={0},…
参数修饰符ref,out ,params的区别
参数修饰符ref,out ,params的区别 C#中有三个关键字-ref,out ,params,可是这三个之间的区别你都明白了吗? 那么我们就来认识一下参数修饰符ref,out ,params吧,还有它们的区别. 第一: params一个可以让方法(函数)的拥有可变参数的关键字. 原则:在方法声明中的 params 关键字之后不允许任何其他参数,并且在方法声明中只允许一个 params 关键字. 示例(拷贝到vs2005中即可用,下面不再说明) public partial class Fo…
struts2-Action处理请求参数
struts2 和 MVC 定义关系 StrutsPrepareAndExecuteFilter : 控制器 JSP : 视图 Action : 可以作为模型,也可以是控制器 struts2 Action 接受请求参数 :属性驱动 和 模型驱动 Action处理请求参数三种方式 第一种 :Action 本身作为model对象,通过成员setter封装 (属性驱动 ) 页面: 用户名 Action : public class RegistAction1 extends ActionSupport…
[DeeplearningAI笔记]02_3.1-3.2超参数搜索技巧与对数标尺
Hyperparameter search 超参数搜索 觉得有用的话,欢迎一起讨论相互学习~Follow Me 3.1 调试处理 需要调节的参数 级别一:\(\alpha\)学习率是最重要的需要调节的参数 级别二: Momentum参数 \(\beta\) 0.9是个很好的默认值 mini-batch size,以确保最优算法运行有效 隐藏单元数量 级别三: 层数 , 层数有时会产生很大的影响. learning rate decay 学习率衰减 级别四: NG在使用Adam算法时几乎不会调整\…
MOS管的低端驱动和高端驱动
低端功率开关驱动电路的工作原理 低端功率开关驱动的原理非常简单,就是负载一端直接和电源正端相连,另外一端直接和开关管相连,正常情况下,没有控制信号的时候,开关管不导通,负载中没有电流流过,即负载处于断电状态:反之,如果控制信号有效的时候,打开开关管,于是电流从电源正端经过负载,然后经过功率开关流出,负载进入通电状态,从而产生响应的动作.基本的驱动原理图如图所示. 一般现在采用的开关功率管为N型MOSFET,N型MOSFET的优点是驱动采用电压驱动,驱动电流很小,驱动功耗低,而且工作频率可以很高,…