据报道三星已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器(eFlash)的嵌入式磁阻随机访问内存(eMRAM),容量为1Gb,测试芯片的优良率已达90%. 随着5G物联网时代的来临,存储器领域发展快速,而在这一领域,韩系厂商拥有着比较明显的优势. MRAM芯片是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性,可以兼做内存以及硬盘的新型存储器介质.写入速度可达到NAND闪存的数千倍,此外其制作工艺要求低,产品良品率高,可以很好的控制成本.在寿命方面由于MRAM特殊的存储方式,产品的寿命耐久性也远远超传…