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源:http://www.micro-bridge.com/news/news.asp?id=258 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 1.MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道M…

作者:   来源:电源网 关键字:MOSFET 结构 开关 驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以…

一.MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种.至于为什么不使用耗尽型的…

1.该款电路为兼容可控硅调光的LED驱动电路,采用OB3332为开关控制IC,拓扑方案为Buck: 2.FB1:磁珠的单位是欧姆,而不是亨利,这一点要特别注意.因为磁珠的单位是按照它在某一频率 产生的阻抗来标称的,阻抗的单位也是欧姆.磁珠的 DATASHEET上一般会提供频率和阻抗的特性曲线图,一般以100MHz为标准,比如600R@100MHz,意思就是在100MHz频率的时候磁珠的阻抗相当于600欧姆: 3.UFM14PL-TP普通二极管: Maximum Recurrent Peak Re…

在嵌入式系统里,较多场合需要LCD人机界面.分析以下LCD驱动电路. LCD_VIN是3.6~5V,经过DC/DC burst升压得到LCD_AVDD,LCD_AVDD为LCD需要的模拟电压,根据LCD实际情况调整FB脚电压确定,这里假设是10V. VGH是LCD的开关管的开启电压,假设这里需要15V,VGL是LCD开关管的关闭电压,假设这里需要-6.8V. 这里比较有意思的是VGH和VGL的产生. 以下给出绿.红.蓝三个节点的波形: 绿: 红: 蓝: 绿点为开关电源的开关波形,红点为绿点向上偏…

驱动电路 典型的H桥驱动电路如下:要使电机旋转只需导通对角线上的两个三极管即可,如导通Q1,Q4,关闭Q2,Q4即可驱动电机正转:若想电机反向转动,即导通三极管Q2,Q3,关闭Q1,Q4.此时电路图可简化为如下所示:但当我们直接导通一个半桥上的Q1,Q3(或Q2,Q4)时,电源被短接,由于三极管电阻很小,此时流过三极管的电流很大,非常容易烧坏三极管,因此实际运用中一定不能导通同一个半桥上的三极管. 但是在实际情况中,三极管导通/关闭和电路中的其它原件操作都存在一定延时的,因此不能简单的认为,只需…

双头比例阀驱动电路,采用单片机输出2路PWM,分别驱动功率器件(U100的2和4脚),经过U100的8和10脚输出供电电源的高压PWM波形,这个高压PWM经过R104和R114分别采样后经过电流放大器U101和U111输出电压.以上侧为例,放大倍数由R106和R105确定,A=10/0.2=50,输出电压I-PVO1的值等于R104上的电压也就是Is*50,最后经过滤波电路R107和C104输出,现在的问题是R107左右两侧的波形都有尖刺出现. 比例阀线圈接在PVOx与GND,x=1和2对应上下…

案例描述:“灯控项目”中让单片机通过IO口控制继电器,继电器接入GPRS电路板供电电源,从而实现单片机对GPRS电路板的开关控制 电路图 所需元器件:1个五脚继电器,1个NPN三极管,2个电阻,1个二极管. 元器件作用.参数与选型:  五脚继电器:1.3脚导通时,2和5连接,不导通时2和4连接.实质是1/3脚之间为线圈,通电后产生磁力.  R4起限流作用,降低三极管Q1功耗.阻值取1K~2K:  R10使三极管可靠截止,即SIMPD14悬空或三态输入时,三极管基极电荷能通过R10流到地,保证Q1…

三极管与MOS管都常在电路中被当做开关使用,比较起来: 1. 三极管集电极电流IC (一般为mA级别),远小于MOS管ID(一般为A级别),因此MOS管多用在大电流电路中,如电机驱动 2. 三极管耗散功率(一般为mW级别)一般也远小于MOS管耗散功率(一般为W级别) 3. 三极管死区时间及上升时间一般长于MOS管死区时间及上升时间,高速情况下多用MOS管 4. MOS管导通电阻一般较小,为mΩ级别 三极管基极串联电阻选取: 三极管集电极电流IC 为mA级别,截止电流为nA级别,因此基极串联电阻一…