转:http://wiki.laptop.org/go/NAND_Flash_Bad_Block_Table 1 OLPC NAND Bad Block Management 1.1 Introduction 1.2 Basic Concepts 1.3 Multi-Chip Devices 1.4 Bad Block Table Location 1.5 Bad Block Table Format1.6 Consistency Checks 1.5.1 Header Format 1.5.2…

NAND Flash分类 SLC(Single-Level Cell)架构:单一储存单元(Cell)可储存1bit data MLC(Multi-Level Cell)架构:单一储存单元(Cell)可储存2bit data  SLC 「Small page (528 Byte).Large page (2112 Byte)」 在每个储存单元(Cell)内储存1个资讯位元(bit),称为单阶储存单元(single-level cell, SLC),使用这种储存单元的快闪记忆体也称为单阶储存单元快闪…

Avinash Aravindan reference:https://www.embedded.com/design/prototyping-and-development/4460910/2/Flash-101--NAND-Flash-vs-NOR-Flash Embedded system designers must take into account many considerations when selecting a Flash memory: which type of Fla…

https://www.crifan.com/files/doc/docbook/linux_nand_driver/release/html/linux_nand_driver.html#nand_driver_mechanism [详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动 版本:v2.2.1   Crifan Li 摘要 本文先解释了Nand Flash相关的一些名词,再从Flash硬件机制开始,介绍到Nand Flash的常见的物理特性,且深入介绍了Nand Flash的一些高级…

概述 Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中…

本章目标  了解NAND Flash 芯片的接口 掌握通过NAND Flash控制器访问NAND Flash的方法 8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用     NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似,用于保存系统运行所需的操 作系统.应用程序.用户数据.运行过程中产生的各类数据.与内存掉电数据丢失不同, NAND Flash中的数据在掉电后仍可永久保存. 8.1.1 Flash介绍     常用的Flash类型由NOR Flash和NAND Fl…

Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中有着广…

http://blog.csdn.net/renpine/article/details/4572347 http://msdn.microsoft.com/en-US/library/ee482032(v=winembedded.60).aspx WinCE NAND flash - FAL From ESSLabWiki 1. Introduction Flash與一般常見的Disk不同,其特性是無法重複對同一塊記憶體位置去做Write的動作,必須要Erase那塊記憶體位置才可以做Write…

0.NAND的操作管理方式      NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand flash为一个设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六字节外,通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码). 关于OOB区,是每个Page都有的.Page大小…

Samsung  K9F1G08U0D,数据存储容量为128M,采用块页式存储管理.8个I/O引脚充当数据.地址.命令的复用端口.详细:http://www.linux-mtd.infradead.org/nand-data/nanddata.html 芯片内部存储布局及存储操作特点: 一片Nand flash为一个设备(device),其数据存储分层为: 1(device)= 1024(blocks) 1(block)= 64(pages) 1  (page) = (数据块大小)2048 + …

ECC简介 由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块.为了检测数据的可靠性,在应用NAND Flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略,而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测. 如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话,NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个bit出错. 对数…

Flash Memory又叫做闪存,是一种非易失性存储器.非易失性是指断电之后数据不会丢失,这里就涉及到断电保护(后面详细讲解). 总体思路 1.NAND Flash的用途. 2.NAND Flash规则介绍. 3.SSD固件(Firmware,FW)包括:映射表(Mapping Table).垃圾回收(Garbage Collection).磨损平衡(Wear Leveling,WL)等. 4.补充概念:写入放大(Write Application).预留空间(Over Provisionin…

0.NAND的操作管理方式      NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand flash为一个设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六字节外,通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码). 关于OOB区,是每个Page都有的.Page大小…

/********************************************************************************* * OK335xs 256M 512M nand flash make ubifs hacking * 声明: * 本文主要是记录分析如何生成ubifs文件系统. * * 2015-11-14 晴 深圳 南山平山村 曾剑锋 *******************************************************…

MPC8313ERDB在Linux从NAND FLASH读取UBoot环境变量的代码分析 Yao.GUET@2014-05-19 一.故事起因 由于文件系统的增大,已经大大的超出了8MB的NOR FLASH.而不得不把内核,文件系统和设备树文件保存到NAND FLASH上. 可是由于使用的是RAMDISK,而无法保存一些个别的配置和參数,最简单的须要就是设置系统的IP了,.. 要使用统一的RAMDISK.而实现LINUX启动之后.设置成不能的參数功能,比較方便的就是从UBOOT把这些參数传递过去…

转:http://www.cnblogs.com/elect-fans/archive/2012/05/14/2500643.html 0.NAND的操作管理方式 NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand flash为一个设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六…

linux的NAND Flash驱动位于drivers/mtd/nand子文件夹下: nand_base.c-->定义通用的nand flash基本操作函数,如读写page,可自己重写这些函数 nand_bbt.c-->与坏块管理有关的函数和结构体 nand_ids.c-->nand_flash_ids[](芯片ID)和nand_manuf_ids[](厂商ID) nand_ecc.c-->软件ECC代码,若系统支持硬件ECC.则不用理会这个文件 pl353_nand.c-->…

参考:http://www.design-reuse.com/articles/24503/nand-flash-memory-embedded-systems.html Abstract : This paper presents fundamental information about NAND Flash memory used in Embedded Systems. It discusses various aspects of this storage media such as…

[Nand Flash引脚(Pin)的说明] 图3.Nand Flash引脚功能说明 上图是常见的Nand Flash所拥有的引脚(Pin)所对应的功能,简单翻译如下: 1.       I/O0 ~ I/O7:用于输入地址/数据/命令,输出数据 2.       CLE:Command Latch Enable,命令锁存使能,在输入命令之前,要先在模式寄存器中,设置CLE使能 3.       ALE:Address Latch Enable,地址锁存使能,在输入地址之前,要先在模式寄存器中,…

词条积累 1.NAND flash memory http://www.searchstorage.com.cn/whatis/word_6052.htm http://baike.baidu.com/subview/64506/5136742.htm?fromtitle=NAND%E9%97%AA%E5%AD%98&fromid=8051173&type=syn 2.FTL http://hi.baidu.com/alan_ding/item/7895367e324d5e3ed7a89c…

关于NAND FLASH的结构是以页为单位写,以块为单位来擦除: 1Gb     为大页   page=2048Kb    BLOCK=128K 512Mb 为小页   page=512byte    BLOCK=16K PS:一页还有额外64字节OOB块,通常不计入读取范围. 另一个区别就是ECC的验证: ECC是每256个字节生产一个24位的值.NAND FLASH在写的时候会生成一个原始的ECC值保存在页的SPARE区,当要读页时也会生产一个ECC值,会跟SPARE的值进行异或比较,看结果…

S3C2440对Nand Flash操作和电路原理(基于K9F2G08U0A) 转载自:http://www.cnblogs.com/idle_man/archive/2010/12/23/1915303.html S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器.S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性: l        一个引导启动单元 l        Nand Flash存储器接口,支持8位或16位的每页大小为256字,512字节,1K字和2K字节的Nand f…

这次大概介绍了一下NAND Flash,以及在ASF中使用它的方法. 一. 接线 这个开发板搭载了一个256 MB,8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA).引脚接线如下: 偷个懒,直接上引脚复用的图.其中PC14表明该NAND FLASH需要作为SMC的外设0使用.通过使用NANDOE和NANDWE引脚说明需要使用芯片的NAND Flash控制逻辑.另外,PC18复用为输入引脚,用以查询芯片的状态. 二. NAND Flash 组织结构与寻址 NAND Flash的容量较大.…

转来一篇关于NAND FLASH均衡算法的文章,加上一点思考和笔记,认为这种思考有助于更深刻的理解,更好的记忆,所以也算半原创了吧,最起码笔记是原创的.有意思的是,帖子提起这个算法并不是因为嵌入式开发的需要,而是企业存储.因为提到硬盘驱动器HDD的速度硬伤,目前估计就SSD一种好的存储介质解决方案吧,而SSD除了暂时价格小高以外,主要有一个寿命短的硬伤.这样的话就不可避免的涉及到映射.磨损均衡.存储格式转换等优化问题.以前一直认为基本只有使用NAND FLASH代替HDD的嵌入式平台才产生这种需…

转自:http://www.cnblogs.com/lifan3a/articles/4958224.html 以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用. 1． 概述 MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线(I/O[7:0])来传输数据.地址.指令.5个命令脚(CLE.ALE.CE#.WE#)实现NAND命令总线接口规程.3个附加的脚用作: 控制硬件写保护(WP#).监视芯片状态(R/B#),和发起上电自动读特征(PRE-仅3V芯片支持).注意,…

转自:http://blog.chinaunix.net/uid-14833587-id-76513.html nand info & nand device 显示flash的信息: DM365 :>nand infoDevice 0: NAND 32MiB 3,3V 8-bit, sector size 16 KiBDM365 :>nand deviceDevice 0: NAND 32MiB 3,3V 8-bit nand read(.oob) addr off size 不管是读…

     本篇文章主要介绍ECC基本原理以及在Nand Flash中的应用,本文记录自己对ECC校验原理的理解和学习. ECC介绍      ECC,全称为Error Correcting Code,错误纠正码,这是一种编码方式,用于在于可以在一定程度上自行发现和纠正传输过程中发生的错误.      香农在1948年发表的<通信的数学理论>中的信道编码定理指出:主要采取适当的纠错码,就可以在多类信道上传输消息,其误码率可以任意小.经过历代人们的持续努力,找出了许多好的信道编码方法,满足许多实用…

(1)首先需要了解NAND FLASH的结构.如图: 以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例,这款Flash(如上图)以4个扇区(sector)组成1个页(page),64个页(page)组成1个块(block),4096个块(block)构成整个Flash存储器:由于每个扇区的容量是512 字节(bytes),整个Flash容量为4224M Bit(相当于528M字节),去掉备用区域用于存放ECC数据校验16M(虚线部分),就是这个片子的容量512M字节.其他型号的Flash…

本文原创于观海听涛,原作者版权所有,转载请注明出处. 近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH,但由于开发板例程以及固件库是用于小页(512B),我要用到的FLASH为1G bit的大页(2K),多走了两天弯路.以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND,并作驱动.本文硬件:控制器:STM32F103ZET6,存储器:HY27UF081G2A首先说一下NOR与NAND存储器的区别,此类区别网上有很多,在此仅大致说明:1.Nor读取速度比NAND稍快 2.Na…

NAND FLASH 原理 http://www.360doc.com/content/12/0522/21/21412_212888167.shtml 闪存保存数据的原理: 与DRAM以电容作为存储元件不同,闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极.漏极和栅极.栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用 来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏.采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再 次倒入或倒出,所以闪存具有记忆能力.…