Reverse Voltage Protection I've long wanted to pull together some reverse polarity protection ideas in one place. Many are found individually on the web, but seldom several in one place. A recent QRP-L thread prompted me to put together this page. I…

Definition: over charging protection.battery over voltage protection, 是一種 battery 保護機制, 避免 battery 充到最大電壓後,又繼續充,破壞 battery, 而這裡是要介紹過充保護警告訊息的做法: Schematic : 做法1: 最簡單的 over charging protection 是偵測 Vbat 是否超過所設定的最大充電電壓, 而 Vbat的偵測來源 又可分兩種, 一種是讀取 charging…

Definition: over charging protection.battery over voltage protection, 是一種 battery 保護機制, 避免 battery 充到最大電壓後,又繼續充,破壞 battery, 而這裡是要介紹過充保護警告訊息的做法: Schematic : 做法1: 最簡單的 over charging protection 是偵測 Vbat 是否超過所設定的最大充電電壓, 而 Vbat的偵測來源 又可分兩種, 一種是讀取 charging…

点击阅读原文 目前为止,我接触单片机已有不少时日,从选择元器件.原理图.PCB.电路硬件调试.软件开发也算小有心得 .单片机软件开发里面第一步当属下载程序了,如果这一步都有问题,那么后面的一切便无从谈起,本人当初刚接触单片机时,对于下载电路方法及原理也是一头雾水.好在随着经验的积累以及自己的努力探求,现在对此问题算是有了点点自己的理解.故今天在此针对常用51单片机下载程序问题做下详解,以求新手们少走弯路.当然,有误之处还望各位指教! 原理:单片机的TXD.RXD是TTL电平,所以你得万变不离其宗…

转自嵌入式单片机之家公众号 问题的提出 电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避免的.所以,我们就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的目的 01二极管防反接 通常情况下直流电源输入防反接保护电路是运用二极管的单向导电性来完结防反接保护.这种接法简略可靠,但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的.以输入电流额定值抵达2A,如选用Onsemi的快速恢复二极管  MUR3020PT,额定管压降为0.7V,那么功耗至少也要抵达:Pd＝2A×0.7V＝1.4W,这样功率低,发…

DS18B20数字温度测量传感器,网上介绍很多,我就不罗嗦了.见图 DS18B20与前产品DS1820的不同: DS18B20继承了DS1820的全部优点,并做了如下改进 1.供电范围扩大为3.0--5.5V.2.温度分辨力可编程.3.转换速率有很大提高.4.内部存储器映射关系发生变化.5.具有电源反接保护电路.5.体积减小一半. 对我们使用来说最大的不同就是DS18B20可以程序设定9~12位的分辨率数字值,而DS1820为固定的9位数字值,且温度转换时的延时时间由2s减为750ms.. 电路…

根据设定目标: 使用GPS 采集经纬度,然后通过GPRS模块/wifi 发送到服务器显示,WIFI不常有,所有就使用GPRS模块! 对于GPS模块,没有特殊要求,只要输出格式符合NMEA协议即可,为了后续编程方便,尽量使用输出波特率为9600 的模块. 我使用的是TTL 接口波特率9600 的sirf III,感觉还可以. 对于GPRS,我手头上有些有方的M590,凑合着用. 对于MCU,最熟悉的51,如果51 可以胜任就用51,目前实现的功能来说还是可以的. 如果增加其他功能可以使用STM32…

出处:http://blog.ednchina.com/tengjingshu 电源是PCB板的重要部分,每个芯片都需要电源供给.芯片其实是挺脆弱的,只要正负接反得话,大多数就会挂掉,相信很多人都有惨痛经历,我也不例外,从开始到现在估计也废了好几百RMB.大多数反接的情况其实是可以避免的,所以要想办法防止电源反接. 防止DC电源输入反接的3种 1)串联有4只二极管的全桥.优点是无论正接.反接,电源都能正常工作.缺点是要损失1.2V ~ 1.4V的电压. 2)串联有1只二极管.优点是电路简单.可靠…

回到目录 1.   掺杂半导体 上面我们分析了本征半导体的导电情况,但由于本征半导体的导电能力很低,没什么太大用处.所以,一般我们会对本征半导体材料进行掺杂,即使只添加了千分之一的杂质,也足以改变半导体材料的导电特性.通过加入不同特性的掺杂的元素,可以做出两种不同性质的半导体材料:n型半导体材料和 p型半导体材料,下面分别予以介绍. (1) n型半导体 n型半导体材料是通过对本征半导体掺入有5个价电子的元素得到的,常见的5价元素有:锑(Sb).砷(As).磷(P),下面以锑作为掺杂元素.硅作为本…

1.该款电路为兼容可控硅调光的LED驱动电路,采用OB3332为开关控制IC,拓扑方案为Buck: 2.FB1:磁珠的单位是欧姆,而不是亨利,这一点要特别注意.因为磁珠的单位是按照它在某一频率 产生的阻抗来标称的,阻抗的单位也是欧姆.磁珠的 DATASHEET上一般会提供频率和阻抗的特性曲线图,一般以100MHz为标准,比如600R@100MHz,意思就是在100MHz频率的时候磁珠的阻抗相当于600欧姆: 3.UFM14PL-TP普通二极管: Maximum Recurrent Peak Re…