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http://www.electronic-products-design.com/geek-area/electronics/mosfets/using-mosfets-as-general-switches Using this back to back arrangement of P Channel mosfets, when on current will flow in either direction. When off both sides are isolated. You c…

在很多电路途中会出现NMOS和PMOS管,因为不是中文那么直接,都说管压降之类的,但其实它的导通很重要以及区别,关系到你点亮电子元件> 参考: 1.https://blog.csdn.net/lg2lh/article/details/9124855 2.http://www.52rd.com/bbs/Archive_Thread.asp?SID=108410&TID=2 3.https://blog.csdn.net/phenixyf/article/details/45741959 NM…

现在常用的SPICE仿真软件为方便用户使用都提供了较好的用户界面,在用仿真库中的元器件连成原理图后就可以进行仿真(当然要设置必要的仿真参数),但实际上只是用原理图自动产生了SPICE的格式语句,还是要通过读取语句来进行仿真,这是历史的遗留问题.在当时的技术条件下,不能用图形方式输入电路结构,只能通过文本文件来描述,也就是所谓网表.SPICE软件的设计者规范了要进行仿真的电路对应的SPICE网表文件格式,还定义了许多仿真描述语句和分析控制语句等,使仿真软件能通过读取这些特殊信息来进行相关计算和运行…

更多的贴片SOT-23三极管,请点击以下表格购买. 型号 标识 电流 V数 极性 封装 购买链接 S9012 2T1 0.3A 20V PNP SOT-23 点击购买 S9013 J3 0.3A 25V NPN SOT-23 点击购买 S9014 J6 0.1A 45V NPN SOT-23 点击购买 S9015 M6 0.1A 45V PNP SOT-23 点击购买 S9018 J8 0.05A 15V PNP SOT-23 点击购买 S8050 J3Y 0.3A 25V NPN SOT-23…

https://blog.csdn.net/acelit/article/details/70171312 绍过一般的电源开关电路,控制电源的目的是省电,控制静态电流.不过以下的电路存在着几个缺点: 1.管压降较大          我们知道采用PNP管子作为开关管的饱和压降在0-0.3V,这在低电路上是不可接受的.3.3V的控制电源最大误差变成3V,某些1.5V的电源变成             1.2V,这会导致由此供电的芯片损坏.            PMOS的管子压降为Vdrop=Id…

CRYSTAL 晶振 CAP 电容 RES 电阻 LED 灯 DIODE 二极管 POWER 电源 GND   接地 SPEAKER 扬声器 AT89C51   51 CPU芯片 三极管 PNP  NPN BUTTON 按钮 relay继电器 lamp 电灯 diode 二极管…

根据设定目标: 使用GPS 采集经纬度,然后通过GPRS模块/wifi 发送到服务器显示,WIFI不常有,所有就使用GPRS模块! 对于GPS模块,没有特殊要求,只要输出格式符合NMEA协议即可,为了后续编程方便,尽量使用输出波特率为9600 的模块. 我使用的是TTL 接口波特率9600 的sirf III,感觉还可以. 对于GPRS,我手头上有些有方的M590,凑合着用. 对于MCU,最熟悉的51,如果51 可以胜任就用51,目前实现的功能来说还是可以的. 如果增加其他功能可以使用STM32…

mos工作原理:http://www.360doc.com/content/15/0930/11/28009762_502419576.shtml, 开关特性好,长用于开关电源马达驱动,CMOS相机场合. MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的.在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电…

一.简述问题 当你用单片驱动发光二极管的时,你还感觉不到P0.P1口的差别.(10-20mA之间,当中P0驱动能力最强,但对于驱动直流电机依旧非常弱.其结果就是电机不转).那么有什么办法提高驱动能力吗?以下就来介绍本文的一种简单方法. 二.实验元件 NPN三极管:s8050  (管脚序列为:EBC)      元件介绍:http://baike.baidu.com/view/3467208.htm?fr=aladdin 推断方法:平面对着自己.三个管脚朝下,从左到右依次为 (E 发射极).(B基…

5-1 门级建模 VerilogHDL内建基元门: 多输入门:and, nand, or, nor, xor, xnor; 多输出门:buf, not 三态门:bufif0, bufif1, notif0, notif1; 上拉.下拉门:pullup, pulldown; MOS开关:cmos, nmos, pmos, rcmos, rnmos, rpmmos; 双向开关:tran, tranif0, tranif1, rtran, rtranif0, rtranif1; 示例1:2-4译码器…

0. 总结 NPN适合做低端驱动,即PN结在下面(低端),发射极E接地. PNP适合做高端驱动,即PN结在上面(高端),发射极E接VCC. Tips:标箭头的PN结,中间的是基极B,外头是E极. 1. 简述 三极管开关属于电流控制开关,Ib控制Ic,与MOSFET管电压控制相反: NPN和PNP的电流方向.电压极性相反. 1)NPN :以B→E 电流控制C→E 电流. 正常放大时,  即VC > VB > VE 2)PNP :以E→B 电流控制E→C 电流. 正常放大时,  即VE >…

一.晶体管基础知识 晶体管分2种:NPN.PNP 晶体管通常封装为TO-92,下面是元件实物图 和 元件符合: NPN: 当电压和电流被加到基极上时,NPN晶体管: 其工作原理: 就像水龙头—给控制开关一点压力,它就放出水来: 同样给基极一定电压和电流,就可以使晶体管的集电极到发射极通过的电流增大,从而导通: 如图:   PNP: PNP由于跟NPN的极性刚好相反,所以工作原理也相反: 当给阀门压力时阀门关闭,关闭水流:而没有压力反倒能使水流通过龙头流出: 同样,晶体管基极给一定电压和电流时,晶…

1,名称来源 p,n指示的是生成的沟道类型 2,驱动逻辑0与逻辑1 一般用NMOS驱动逻辑0,用PMOS驱动逻辑1.…

上图是最终画好的电路.使用的是NPN三极管,并且把NPN三极管放在了下面.下面分析下NPN三极管作为开关管能否放在上面. 从上面两张图分析可知,当三极管作为开关管使用的时候,NPN三极管需要放在下面(E极接地),PNP三极管需要放在上面,E极接负载. 上图是使用PNP三极管作为开关管. 发现无论是NPN还是PNP作为开关管使用的时候,在BE之间都有一个电阻,这是因为,三极管的制造工艺,是的BE之间存在寄生电容.当三极管关断之后,电容继续放电,BE之间就会有电流,三极管处于放大状态,部分导通,加上…

了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管.NMOS做下管比较方便.使用PMOS做下管.NMOS做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用. 下面先了解MOS管的开通/关断原理,请看下图: NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高):而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比G电位高),下面以导通压差6V为例. NMOS管 使用NMOS当下管,S极直接接…

PMOS: NMOS: NMOS是栅极高电平(VGS > Vt)导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通.PMOS是栅极低电平(VGS < Vt)导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通. PMOS 和 NMOS使用总结 上图为USB OTG电源管理分离电路 分析如下 1)假定左侧无电压,右侧为5V U14左侧三极管关闭右侧三极管导通,导致Q3 PMOS管关闭,结果为右侧电流无法流入左侧: 2)假定左侧为5V,右侧无电压 U14左侧三极管导通右侧三极管关闭,导致Q3 PMOS管导通,结果…

最近在工作中,一直在调试关于MOSFET的电路.在设计过程中发现了PMOS和NMOS的差异,在此记录. 一. MOSFET简介 MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)的中文应称为"金属氧化物半导体场效应管".从名字中就可看出这是一种场效应管,场效应管为我们带来了逻辑电路,从而有了计算机的物理实现.所有的场效应管的原则都是通过输入控制输出,具体来讲就是通过控制元件某部分的电压,来改变元件的导电性,从而改变流过元…

N沟道mos管和p沟道mos管负载的接法不一样,随意接的话导致VGS不满足条件:如下图N沟道接法,下拉电阻R2必须接,否则电路状态不稳定. 三极管原理类似如下图(满足三极管导通条件) NPN型三极管:若组成开关电路,则负载必须接在集电极(因为若接在发射极会导致Ib的取值同时与Rb和射集电阻Re有关,Ib=Vb/(Rb+Re)两个变量,不可控,Re取得过大导致Ib太小,无法工作在开关状态,Re取得过小导致Re上分的的电压太小,也无法使三极管饱和:接在集电极就不一样了,Ib=Vb/Rb,然后再选取合…

主要区别是电流流向和电压不同:PNP管子是发射极流入后从基极和集电极流出,NPN管子是基极和集电极流入从发射极流出.PNP管子工作在放大区时电压是,Ue>Ub>Uc,NPN管子工作在放大区时电压时Uc>Ub>UePNP管子:发射极电流 = 集电极电流 + 基极电流NPN管子:集电极电流 = 发射极电流 + 基极电流 PNP:C极接负,E极接正 NPN   C极接正,E极接负 电流流向如附图所示…

最近在分析波形的时候,发现某个PAD模型的行为与想象的不一致,就进入stdcell里面看了下,主要是pmos和nmos相关的东西,暂列如下: 开关级基元14种 是实际的MOS关的抽象表示,分电阻型(前缀r表示)和非电阻型: (1)MOS开关 ·nmos开关:控制信号高,开关导通,否则关闭: ·pmos开关:控制信号低,开关导通,否则关闭: ·cmos开关:模拟了nmos和pmos开关的组合,一般ncontrol和pcontrol是互补信号:coms 实例名(out,data,ncontrol,p…

原文地址点击这里: 在前一节,我们对PMOS与NMOS两种增强型场效应管的开关电路作了详细的介绍, 并且还提到过一种广为流传的说法:相对于NMOS管,PMOS管的沟道导通电阻更大.速度更慢.成本更高等,虾米情况?我们还是从头说起吧! 如果读者有一定的电子技术应用经验的话,对NMOS管开关电路的使用场合肯定是如数家珍,几乎所有的开关电源拓扑都偏向于使用NMOS管(而不是PMOS管),如正激.反激.推挽.半桥.全桥等拓扑,NMOS管的应用电路案例真心不要太多,如下图所示(当然,这些也并不全是完全独立…

Transistor Tutorial Summary Transistor Tutorial Summary Bipolar Junction Transistor Tutorial We can summarise this transistors tutorial section as follows: The Bipolar Junction Transistor (BJT) is a three layer device constructed form two semiconduct…

MEDICI仿真NMOS器件晶体管 TITLE     TMA MEDICI Example 1 - 1.5 Micron N-Channel MOSFET 给本例子取的标题,对实际的模拟无用 COMMENT语句表示该行是注释 MESH      SMOOTH=1 创建器件结构的第一步是定义一个初始的网表(见图1),在这一步中网表不需要定义得足够精确,只需要能够说明器件的不同区域,在后面我们会对该网表进行优化.网表的生成是由一个MESH语句开始的,MESH语句中还可以对smoothing进行设置…

关键词:相机位姿估计 PNP问题求解 用途:各种位姿估计 文章类型:原理 @Author:VShawn(singlex@foxmail.com) @Date:2016-11-18 @Lab: CvLab202@CSU 今天给大家讲一讲相机位姿估计的基本原理,说实话我本人也没太了解,这里权当做抛砖引玉了.本来我这个博客是写应用型文章的,但虽然不做理论研究,但你要使用别人的方法来解决问题,那么也还是多多少少要对它的原理有点了解的. 关于PNP问题就是指通过世界中的N个特征点与图像成像中的N个像点,计…

CentOS系统在开机过程中,一直遇到黑屏提示:“kernel: pnp 00:0b: can't evaluate _CRS: 8”,不理会它仍能启动系统并正常工作,未知何故. 经查,这是内核引导的错误,需要修改内核参数,才能避免开机出现这个错误: pnpacpi=off 禁用ACPI的即插即用功能,转而使用古董的PNPBIOS来代替. 具体操作为: [She@She ~]# sudo vi /boot/grub/grub.conf # 在内核引导参数的最后,加上这个参数(红字部分): ker…

原文:重新想象 Windows 8 Store Apps (30) - 信息: 获取包信息, 系统信息, 硬件信息, PnP信息, 常用设备信息 [源码下载] 重新想象 Windows 8 Store Apps (30) - 信息: 获取包信息, 系统信息, 硬件信息, PnP信息, 常用设备信息 作者:webabcd介绍重新想象 Windows 8 Store Apps 之 信息 获取包信息 获取系统信息 获取硬件信息 获取即插即用(PnP: Plug and Play)的设备的信息 获取常用…

PnP 问题即 Perspective-n-Point . 有 P3P 方法,使用三个点对就能求解.但是先按照熟悉的方法,写一写.最后写 P3P 方法,P3P 方法还是比较晦涩的,不是无脑方法. 1. 八点法(使用正交补推导出线性系统) 我希望把 SLAM 问题中基础理论都归纳到统一的框架下,但我总是纠结 PnP 问题中三维点坐标是齐次的还是非齐次的,这样搞得很头疼. 在我的框架下已经有 Homography 矩阵和 Fundamental 矩阵,我是按照 MVG 这书的 DLT 方法计算 Ho…

三极管除了你知道的放大,饱和和截止三种工作状态之外,还有一种用得极少的“倒置”工作状态,就是集电结正偏发射结反偏,这时跟对比放大状态的发射结正偏集电结反偏来理解,“倒置状态”的集电结,发射结分别充当了“放大状态”的发射结,集电结,即这时载流子(NPN是电子)从集电区发射,由发射区来收集载流子,这时集电区掺杂浓度不高故发射的电子少,同时发射区面积小故最终收集的电子也少,形成的电流很小.没有放大能力,倒置状态的管子的β是小于1的.…

PNP方法是为了解决在当前两帧图像中,已知前一帧图像上的3dLandmark点和当前帧的2d特征点,求取当前帧的pose. PNP主要有P3P.EPNP.UPNP.DLT.MRE(LS Iteration,g2o). 一.p3p p3p主要是根据针孔模型原理,即3d点投影到相机归一化坐标系再汇集到光心,如下图所示:…