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S7-1500 读取V90/S120的常用驱动参数 此程序已更新,可以下载例子程序 https://files.cnblogs.com/files/lion-zheng/PLC_async_drive.zip 1 不需要理解非周期通讯,调用这个FB就可以读取常用的驱动状态,程序块已经封装了非周期通讯功能. 故障代码.报警代码.扭矩.电流.直流母线电压.电机温度.驱动器温度 功率.转速 本文地址 http://www.cnblogs.com/lion-zheng/p/7853852.html 非周…

源:http://www.micro-bridge.com/news/news.asp?id=258 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 1.MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道M…

nvme的设备,可以调优的参数比较少,相关的代码如下: blk_sysfs.c static struct queue_sysfs_entry queue_requests_entry = { .attr = {.name = "nr_requests", .mode = S_IRUGO | S_IWUSR }, .show = queue_requests_show, .store = queue_requests_store, }; static struct queue_sysf…

在java平台使用的mysql jdbc驱动为:mysql-connector-java. 在项目中添加如下依赖: <dependency> <groupId>mysql</groupId> <artifactId>mysql-connector-java</artifactId> <version>${version.mysql.connector}</version> </dependency> 在6.0.…

引言 IR2110 / IR2113是高压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道.逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑.浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压高达500或600伏. 一.关键参数 1.1 IR2110关键参数 根据上面参数可知,IR2110驱动的功率开关管最高可以工作在500V电压下,IR2113驱动的功率开关管最高可以工作在600V电压下. 二.器件特征 2.1 IR2110/IR211…

1 引言 MOSFET凭开关速度快.导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用.要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能,就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数.在应用中MOSFET一般工作在桥式拓扑结构模式下,如图1所示.由于下桥MOSFET驱动电压的参考点为地,较容易设计驱动电路,而上桥的驱动电压是跟随相线电压浮动的,因此如何很好地驱动上桥MOSFET成了设计能否成功的关键.半桥驱动芯片由于其易于设计驱动电路.外围元器件少.驱动能力强.可靠性高等优点在MOSFET驱动电路…

作者:   来源:电源网 关键字:MOSFET 结构 开关 驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以…

0.小叙闲言 最开始学习三极管的时候,很注重它的工作原理,后来到了实际应用,就直接把三极管或MOSFET直接当作一个开关器件使用.直到前这几天,接触到MOSFET组成的H桥驱动电路时,发现它纯当作一个开关器件来看,会出现许多问题.在这里总一下问题和对出现问题的一些原因做一些分析.个人知识有限,很多地方思虑难免有所不足,希望能够与网上各位一起学习交流. 目前我们一般将H桥驱动当作电机或步进电机的驱动,如下图1所示,要做好驱动电路,必须得了解清楚MOSFET的一些原理,才不会出错.  图1 H桥全桥…

源:http://www.amobbs.com/thread-5484710-1-1.html 从网上找到一些MC34063扩流降压电路图,一个个的试,根本达不到我的基本要求,全都延续了34063的降压低效率,仅把发热点从IC转到功率管上,基本上都是垃圾,另外其他人在网上说,这本来就是很难弄的,等等.最后还是不得不自己折腾,搭出了一个自己满意的电路. MOSFET看起来是很容易使用的一种元件,其最佳工作状态就要么导通,要么全截止,驱动电平高或低,不能模棱两可,否则就成了一种昂贵的加热器.3406…