K9F2G08U0C NAND FLASH 的地址分析】的更多相关文章

计算物理地址 K9F2G08U0C是samsun出产的FLASH,容量为256MB 页--Page: (2K + 64)Byte 块--Block: (128K + 4K)Byte 128 / 2 = 64 Page 256M / 128 K  = 2048 Block 现在以第25块的30页中的24byte为例  物理地址 = 块大小×块号 + 页大小×页号 + 页内地址   = 128K x 25 + 2K x 30 + 24B = 3338264(10) = 32F018 (16) 如图…
u-boot分析(九) 上篇博文我们按照210的启动流程,分析到了初始化串口,由于接下来的取消存储保护不是很重要,所以我们今天按照u-boot的启动流程对nand flash初始化进行分析. 今天我们会用到的文档: 1.        2440芯片手册:http://download.csdn.net/detail/wrjvszq/8358949 2.        6410芯片手册:http://download.csdn.net/detail/wrjvszq/8358965 3.      …
Samsung  K9F1G08U0D,数据存储容量为128M,采用块页式存储管理.8个I/O引脚充当数据.地址.命令的复用端口.详细:http://www.linux-mtd.infradead.org/nand-data/nanddata.html 芯片内部存储布局及存储操作特点: 一片Nand flash为一个设备(device),其数据存储分层为: 1(device)= 1024(blocks) 1(block)= 64(pages) 1  (page) = (数据块大小)2048 + …
一.s3c2440启动后会将nand flash的前4K程序复制到内部的sram中,这个过程是硬件自动完成的,但是如果我们的程序远远大于4K,这个时候就需要将程序从flash拷贝到内存中来运行了. 二.nand flash 接线图可以看出,nand flash没有地址总线,是八根数据线,SDRAM和网卡有地址总接到s3c2440的地址总线了,而nand flash没有地址线,所以他们的寻址方式不一样,SDRAM和网卡的地址是CPU可以看得见的,也就是CPU统一编址,而nand flash呢?也有…
转载:http://blog.csdn.net/simonjay2007/article/details/43198353 一:mmc的命令如下: 1:对mmc读操作 mmc read addr blk# cnt 2:对mmc写操作 mmc write addr blk# cnt 3:对mmc擦除操作 mmc erase blk# cnt 4:重新搜索mmc设备 mmc rescan 5:列出mmc的分区 mmc part - lists available partition oncurren…
https://www.crifan.com/files/doc/docbook/linux_nand_driver/release/html/linux_nand_driver.html#nand_driver_mechanism [详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动 版本:v2.2.1   Crifan Li 摘要 本文先解释了Nand Flash相关的一些名词,再从Flash硬件机制开始,介绍到Nand Flash的常见的物理特性,且深入介绍了Nand Flash的一些高级…
[读(read)操作过程详解] 以最简单的read操作为例,解释如何理解时序图,以及将时序图 中的要求,转化为代码. 解释时序图之前,让我们先要搞清楚,我们要做的事情:那就是,要从nand flash的某个页里面,读取我们要的数据. 要实现此功能,会涉及到几部分的知识,至少很容易想到的就是:需要用到哪些命令,怎么发这些命令,怎么计算所需要的地址,怎么读取我们要的数据等等. 下面,就一步步的解释,需要做什么,以及如何去做: 1.需要使用何种命令 首先,是要了解,对于读取数据,要用什么命令. 下面是…
2015.3.27星期五 晴 链接脚本定义代码的排放顺序 硬件系统初始化:一:arm核初始化:(里面有指令)初始化ARM核的时候需要看arm核的手册指令:1.异常向量(最起码有个复位异常,初始化模式-svc) ldr r0, =_start mcr p15, 0, r0, c12, c0, 0 2.处理器模式-SVC3.关闭中断 mrs r0, cpsr bic r0, r0, #0x1f orr r0, r0, #0xd3 @1101 0011 //关闭irq,fiq和设置SVC msr cp…
关于NAND FLASH的结构是以页为单位写,以块为单位来擦除: 1Gb     为大页   page=2048Kb    BLOCK=128K 512Mb 为小页   page=512byte    BLOCK=16K PS:一页还有额外64字节OOB块,通常不计入读取范围. 另一个区别就是ECC的验证: ECC是每256个字节生产一个24位的值.NAND FLASH在写的时候会生成一个原始的ECC值保存在页的SPARE区,当要读页时也会生产一个ECC值,会跟SPARE的值进行异或比较,看结果…
转自:http://blog.chinaunix.net/uid-14833587-id-76513.html nand info & nand device 显示flash的信息: DM365 :>nand infoDevice 0: NAND 32MiB 3,3V 8-bit, sector size 16 KiBDM365 :>nand deviceDevice 0: NAND 32MiB 3,3V 8-bit nand read(.oob) addr off size 不管是读…