MRAM是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性,可以兼做内存和硬盘的新型存储介质.写入速度可达NAND闪存的数千倍,此外,其制作工艺要求低,良品率高,可以很好的控制成本.在寿命方面,由于MRAM特殊的存储方式,产品的寿命耐久性也远超传统RAM.大规模普及仍面临挑战 毫无疑问,MRAM因其独特的存储方式在非易失性,写入速度,寿命等各方面均有优势,然而能否被广泛采用仍面临一系列挑战. 一般来讲,MRAM通常由三大部分组成:半导体基底,磁自旋隧穿结(Magnetic Tunnel Jun…