转来一篇关于NAND FLASH均衡算法的文章,加上一点思考和笔记,认为这种思考有助于更深刻的理解,更好的记忆,所以也算半原创了吧,最起码笔记是原创的.有意思的是,帖子提起这个算法并不是因为嵌入式开发的需要,而是企业存储.因为提到硬盘驱动器HDD的速度硬伤,目前估计就SSD一种好的存储介质解决方案吧,而SSD除了暂时价格小高以外,主要有一个寿命短的硬伤.这样的话就不可避免的涉及到映射.磨损均衡.存储格式转换等优化问题.以前一直认为基本只有使用NAND FLASH代替HDD的嵌入式平台才产生这种需…

Hanming,RS,BCH —— NAND Flash中常用的纠错方式 因为闪存中会有出错的可能,如果没有使用ECC模块,读出的数据和写入的数据会有不匹配的可能,也许一个文件中只有一两个bit不匹配,这也是不能容忍的.相对来说SLC中出错概率比较低,所以使用一个纠错能力不强的Hanming码就可以了,在MLC中Hanming码就显得力不从心了,需要纠错能力更强的RS或者BCH纠错方式了. Hanming码原理算法都不算复杂,网上应该都能找到hdl代码. RS(Reed-Solomon)应用也非…

Flash Memory又叫做闪存,是一种非易失性存储器.非易失性是指断电之后数据不会丢失,这里就涉及到断电保护(后面详细讲解). 总体思路 1.NAND Flash的用途. 2.NAND Flash规则介绍. 3.SSD固件(Firmware,FW)包括:映射表(Mapping Table).垃圾回收(Garbage Collection).磨损平衡(Wear Leveling,WL)等. 4.补充概念:写入放大(Write Application).预留空间(Over Provisionin…

https://www.crifan.com/files/doc/docbook/linux_nand_driver/release/html/linux_nand_driver.html#nand_driver_mechanism [详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动 版本:v2.2.1   Crifan Li 摘要 本文先解释了Nand Flash相关的一些名词,再从Flash硬件机制开始,介绍到Nand Flash的常见的物理特性,且深入介绍了Nand Flash的一些高级…

NOR(或非)和NAND(与非)是市场上两种主要的Flash闪存,sNORFLASH 和CPU之间不需要其他电路控制,NOR flash可以芯片内执行程序,而NAND FLASH 和CPU 的接口必须由相应的控制电路进行转换, NAND FLASH 以块的方式进行访问,不支持芯片内执行. NAND FLASH 比NOR FLASH 容量大,价格低, NAND flash中每个块的最大擦写次数为100万次,而NOR 10W次, FLASH 编程原理都是只能把1变成0,而不能把0写为1, 所以在FL…

词条积累 1.NAND flash memory http://www.searchstorage.com.cn/whatis/word_6052.htm http://baike.baidu.com/subview/64506/5136742.htm?fromtitle=NAND%E9%97%AA%E5%AD%98&fromid=8051173&type=syn 2.FTL http://hi.baidu.com/alan_ding/item/7895367e324d5e3ed7a89c…

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而…

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清…

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,…

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清…