三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月. 第三代10nm级工艺即1z nm(在内存制造中,用x/y/z指代际,工艺区间是10~20nm),整合了EUV极紫外光刻技术,单芯片容量8Gb(1GB). 三星表示,1z nm是业内目前最顶尖的工艺,生产效率较1y nm提升了20%,可以更好地满足日益增长的市场需求. 量产时间敲定在今年下半年,成品的8GB DDR4模组也在验证中,目标领域…