来自:http://blog.sina.com.cn/s/blog_6b489d5e0102xm62.html 一.NAND和NOR Flash 一般来说,快闪记忆体可分为两大规格,一个是NAND, 一个是NOR.简单来说,NAND一般以存储数据为主,晶片容量大,容量可以达到2Gb甚至更大,NAND的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价:NOR一般以存储程序代码为主,又称为Code Flash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主…

关于NAND flash的MTD分区与uboot中分区的理解 转自:http://blog.csdn.net/yjp19871013/article/details/6933455?=400850442         今天做内核移植,准备添加NAND flash的驱动,做到MTD分区时,想起在一本书上看到的一句话,说的是分区时每个区之间没有间隙,前一个区的结束地址是后一个区的起始地址.可是当我看我的开发板的教程时,分区如下: static struct mtd_partition smdk_d…

1) 闪存芯片读写的基本单位不同  应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NOR闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块,有时候块内还分成扇区.读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移.应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位.NAND闪存的块比较小,一般是8KB,然后每块又分成页,页的大小一般是512字节.要修改NAND芯片中一个字节,必须重写整个数据块.   2)NOR闪存是随机存储介质,用于数据量较小的场合:NAND闪存是连续存储介质,适…

nuc900 nand flash mtd 驱动,请参考! /* * Copyright © 2009 Nuvoton technology corporation. * * Wan ZongShun <mcuos.com@gmail.com> * * This program is free software; you can redistribute it and/or modify * it under the terms of the GNU General Public Licens…

1.本节使用的nand flash型号为K9F2G08U0M,它的命令如下: 1.1我们以上图的read id(读ID)为例,它的时序图如下: 首先需要使能CE片选 1)使能CLE 2)发送0X90命令,并发出WE写脉冲 3)复位CLE,然后使能ALE 4)发送0X00地址,并发出WE写脉冲 5)设CLE和ALE为低电平 6)读出8个I/O的数据,并发出RE上升沿脉冲 (我们的nand flash为8个I/O口,所以型号为K9F2G08U0M) 1.2 nand flash 控制器介绍 在244…

1.本节使用的nand flash型号为K9F2G08U0M,它的命令如下: 1.1我们以上图的read id(读ID)为例,它的时序图如下: 首先需要使能CE片选 1)使能CLE 2)发送0X90命令,并发出WE写脉冲 3)复位CLE,然后使能ALE 4)发送0X00地址,并发出WE写脉冲 5)设CLE和ALE为低电平 6)while判断nRE(读使能)是否为低电平 7)读出8个I/O的数据,并发出RE上升沿脉冲 (我们的nand flash为8个I/O口,所以型号为K9F2G08U0M) 1…

NAND FLASH是一个存储芯片. 在芯片上的DATA0-DATA7上既能传输数据也能传输地址. 当ALE为高电平时传输的是地址. 当CLE为高电平时传输的是命令. 当ALE和CLE都为低电平时传输的是数据. 将数据发给nand Flash后,在发送第二次数据之前还要判断芯片是否处于空闲状态.一般是通过引脚RnB来判断,一般是高电平代表就绪,低电平代表正忙. 操作Nand Flash的一般步骤是: 1. 发命令 选中芯片 CLE设置为高电平 在DATA0-DATA7上输出命令值 发出一个写脉冲…

[详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动  :http://www.cnblogs.com/linux-rookie/articles/3016990.html 当读写文件请求到来的时候,流程如下 1.通过vfs进入文件系统, 2.文件系统把文件读写转换为块设备读写,其中有运用算法对读写操作进行合并,排序等,最后把块设备读写放进队列 3.循环从队列中取出读写要求,然后用处理函数(blk_init_queue设置)进行处理. 这个函数就是连接上层(IO调度)跟底层(硬件操作)的桥梁,当…

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而…

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清…