三极管与MOS管都常在电路中被当做开关使用,比较起来: 1. 三极管集电极电流IC (一般为mA级别),远小于MOS管ID(一般为A级别),因此MOS管多用在大电流电路中,如电机驱动 2. 三极管耗散功率(一般为mW级别)一般也远小于MOS管耗散功率(一般为W级别) 3. 三极管死区时间及上升时间一般长于MOS管死区时间及上升时间,高速情况下多用MOS管 4. MOS管导通电阻一般较小,为mΩ级别 三极管基极串联电阻选取: 三极管集电极电流IC 为mA级别,截止电流为nA级别,因此基极串联电阻一

可能无法完全导通,电流可能过小使导通所需时间变长,最终导致发热严重       回复 举报     csaaa DIY七级 3# 发表于 2016-7-12 14:11:59 直接驱动mos也没什么问题啊.但要满足mos的使用条件啊.你这问题没头没尾没图没条件没型号没电压谁知道为什么呢.     回复 举报     languifan DIY五级 4# 发表于 2016-7-12 16:25:36 MOD管的开启电压很高,一般的IC驱动电压没那么高.     回复 举报     老愚童63 DI

在电路设计当中假设我们想要对电流中止控制,那就少不了三极管的帮助.我们俗称的三极管其全称为半导体三极管,它的主要作用就是将微小的信号中止放大.MOS管与三极管有着许多相近的地方,这就使得一些新手不断无法明白两者之间的区别,本篇文章就将为大家引见三极管和MOS管的一些不同. 关于三极管和MOS管的区别,我们简单总结了几句话便当大家理解. 从性质上来说:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制. 从本钱上来说:三极管低价,MOS管贵. 关于功耗问题:三极管损耗大. 驱动能力上的的不同:MOS管常用于电

1 三极管和MOS管的基本特性 三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化.有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种,符号如下: MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化.有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS),符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管): 2 三极管和MOS管的正确应用 (1)P型三极管,适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况.只要基极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V

设计的MOS管三极管简单开关电路驱动能力不够 [复制链接]     lxizj 9 主题 454 帖子 1783 积分 四级会员(40) 积分 1783 发消息 16#   发表于 2012-4-23 17:02 | 只看该作者 这个东西仔细看看规格书就知道了.0 n" Z0 o. r7 ~$ `; a) u! {9 j 1.首先,为什么10K/10K的分压不行? # Q7 _$ S" A. D3 r6 [, S 9楼说的有道理.从规格书上看,AOD409的阙值电压是2.4V,而10K

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避免的.所以,我么就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的目的. 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计.现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻,假设是6.5毫欧,通过的电流为1A(这个电流已经很大了),在他上面的压降只有6.5毫伏.

[导读]  一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. 关键词:PMOS管MOS管电源管理 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计.现在的MOS管可以做到

转自嵌入式单片机之家公众号 问题的提出 电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避免的.所以,我们就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的目的 01二极管防反接 通常情况下直流电源输入防反接保护电路是运用二极管的单向导电性来完结防反接保护.这种接法简略可靠,但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的.以输入电流额定值抵达2A,如选用Onsemi的快速恢复二极管  MUR3020PT,额定管压降为0.7V,那么功耗至少也要抵达:Pd＝2A×0.7V＝1.4W,这样功率低,发

目录 MOSFET, MOS管基础和电路 MOS管实现的STC自动下载电路 三极管配合 PMOS 管控制电路开关 STC MCU在烧录时, 需要断电重置后才能进入烧录状态, 通常是用手按开关比较繁琐. 如果利用STC-ISP在烧录开始时会拉低RTS的特性, 可以实现烧录开始时自动断电复位. 电路仿真测试 下面的电路适用于烧录下载STC MCU. 使用LTspice模拟. V2 为方波, 电压[0, 3.3V], 宽度1.5s 以下为模拟输出, 绿色为三极管基极电压, 红色为MOS管栅极(Gate

开关电源(Switching  Mode  Power  Supply)即开关稳压电源,是相对于线性稳压电源的一种的新型稳压电源电路,它通过对输出电压实时监测并动态控制开关管导通与断开的时间比值来稳定输出电压. 由于开关电源效率高且容易小型化,因此已经被广泛地应用于现代大多数电子产品中.如果说每个现代家庭都至少有一个开关电源都不为过,如电视机(彩色的).电脑.笔记本.电磁炉等等内部都有开关电源,虾米?这些东西你们家都没有?我去!那手机有没有?手机充电器也是一个小型的开关电源,中招了吧!手机也没有

[小宅按]近期公司推出来基于ARM芯片的服务器,本文就一些基本概念,比如ARM, ARM64, ARMv8, ARM7,ARMv7, 64位等让人费解的概念进行了粗浅地分析,涉及的关键字已用粗体标出.文中观点仅仅是一家之言,拙劣之处,欢迎斧正. https://zhuanlan.zhihu.com/p/66348633 华为官网的账号 (图1) 基本原理(记住1Byte=8bit): 电子计算机本质上是通过给三极管 (或MOS管用半导体材料如硅和硒制成的) 的基极输送不同的电压(大于或小于0.7

含义: MCU(Micro Controller Unit)中文名称为微控制单元,又称单片微型计算机(Single Chip Microcomputer),是指随着大规模集成电路的出现及其发展,将计算机的CPU.RAM.ROM.定时数器和多种I/O接口集成在一片芯片上,形成芯片级的计算机,为不同的应用场合做不同组合控制.其实,简单点说,就是我们*时所说的单片机 单片机诞生于1971年,经历了SCM.MCU.SoC三大阶段.单片机由以前的1位.4位.8位.16位,发展到现在的32位甚至64位 电源

  在调试智能钥匙连续开锁出现故障的问题排查过程中,为了对比模拟开关TS5A3166对于开锁数据通信的影响,尝试短接模拟开关的输入输出脚,未曾想乌龙了一把,错把DC-DC芯片输入输出短接了(两者都是SOT23-5封装). 接下来一上电发现直流电源出现短路提示,意识到电源系统短路了.DC-DC部分电路如下图. 那么问题来了,DC-DC输入输出连在一起,换句话说就是DC-DC输出端加电压,为什么会造成电源芯片烧毁呢? 如上问题要从DC-DC芯片的内部结构说起,如下图所示为TI公司DC-DC转换器TP

2016/7/15 电子爱好者DIY篇 一年和之前就想到了一些感悟,现在有些模糊的清晰起来了,但还是不够清晰,故写下来做个日志. 结论 首先把结论放在前面.目前随着电子集成电路的发展,电子DIY越来越成为一种兴趣爱好,消磨时间的一种手段,而创造不出来实际的价值. 现在是一个软件的世界.如果脱离了软件(微控制器),电子世界就会失去很多光彩. 个人DIY爱好者的理想与现实 做产品我们需要承担责任,但是做DIY我们不需要承担责任. 首先,我们意识到,单纯的电子爱好者的DIY几乎创造不出来价值.必须将技

说明:本介绍包含了\capture\library\pspice和capture\library\pspice\advanls目录下所有库,但由于作者水平有限,介绍得也比较简单,有些说明可能不一定对.请高手指正.谢谢! 1.1_SHOT              : 10个杂项器件,其中有54,74,CD的2.7400~74S            : 74系列的器件3.AA_IGBT             : IGBT是强电流.高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET4.AA_MISC

 2014年TI杯大学生电子设计竞赛地区赛使用仪器及器件.设备 a)        3A/30V双路稳压电源(可并联): b)        60MHz示波器: c)        三位半数字万用表: d)       低频(10MHz)信号源: e)        低频交流毫伏表. 1. AY-LDC1000评估板(赛题中必用,TI依照报名数量30%配发). 2. AY-TPA3112D1评估板(赛题中可用,TI依照报名数量25%配发). 注:以上两款开发板TI按配发比例已发到各赛区组委会

FPGA设计的是数字逻辑,在开始用HDL设计之前,需要先了解一下基本的数字逻辑设计-- 一门抽象的艺术. 现实世界是一个模拟的世界,有很多模拟量,比如温度,声音······都是模拟信号,通过对模拟信号进行约束,我们就会抽象出来高电平和低电平,也就是0和1,用来构建整个数字逻辑世界,这个约束就是电平规则约束,比如常见的有以下几种: 电平约束 VDD/VCC 0 1 CMOS 3~8V 0~0.3VDD 0.7~1VDD TTL 5V±5% 0~0.7 2.4~5 LVCMOS 3.3 0~0.9

在现在的MCU使用量中,STM32绝对是翘楚!因为现在使用STM32开发产品的公司非常多,这主要得益于ST公司对自家MCU的大力推广,而且ST对自己MCU也配套了一系列开发软件,也有相应的硬件开发板供客户使用,还有更给力的是对每一个系列的MCU都有固件开发库供客户使用,这不仅缩短了开发时间,而且省去了攻城狮很多的开发工作.正因为这些原因,所以现在STM32非常火,学习的人也非常多,关于自学STM32,我给出一点我自己的经验供参考: 1.STM32的学习门槛 STM32的开发是基于C语言的,当然也

一直想给大家讲讲ESD的理论,很经典.但是由于理论性太强,任何理论都是一环套一环的,如果你不会画鸡蛋,注定了你就不会画大卫. 先来谈静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)是什么?这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力破坏的主要元凶.因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏),所以这种损伤是毁灭性和永久性的,会造成电路直接烧毁.所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题. 静电,通常都是人为产生的,如生产.组装.测试.存放.搬运等过程中都有可能使得静电