1 三极管和MOS管的基本特性 三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化.有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种,符号如下: MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化.有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS),符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管): 2 三极管和MOS管的正确应用 (1)P型三极管,适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况.只要基极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V

三极管与MOS管都常在电路中被当做开关使用,比较起来: 1. 三极管集电极电流IC (一般为mA级别),远小于MOS管ID(一般为A级别),因此MOS管多用在大电流电路中,如电机驱动 2. 三极管耗散功率(一般为mW级别)一般也远小于MOS管耗散功率(一般为W级别) 3. 三极管死区时间及上升时间一般长于MOS管死区时间及上升时间,高速情况下多用MOS管 4. MOS管导通电阻一般较小,为mΩ级别 三极管基极串联电阻选取: 三极管集电极电流IC 为mA级别,截止电流为nA级别,因此基极串联电阻一

在电路设计当中假设我们想要对电流中止控制,那就少不了三极管的帮助.我们俗称的三极管其全称为半导体三极管,它的主要作用就是将微小的信号中止放大.MOS管与三极管有着许多相近的地方,这就使得一些新手不断无法明白两者之间的区别,本篇文章就将为大家引见三极管和MOS管的一些不同. 关于三极管和MOS管的区别,我们简单总结了几句话便当大家理解. 从性质上来说:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制. 从本钱上来说:三极管低价,MOS管贵. 关于功耗问题:三极管损耗大. 驱动能力上的的不同:MOS管常用于电

可能无法完全导通,电流可能过小使导通所需时间变长,最终导致发热严重       回复 举报     csaaa DIY七级 3# 发表于 2016-7-12 14:11:59 直接驱动mos也没什么问题啊.但要满足mos的使用条件啊.你这问题没头没尾没图没条件没型号没电压谁知道为什么呢.     回复 举报     languifan DIY五级 4# 发表于 2016-7-12 16:25:36 MOD管的开启电压很高,一般的IC驱动电压没那么高.     回复 举报     老愚童63 DI

16楼说得非常明白,补充一点,R3如果不要,会有下冲产生.4 Q: Z/ G  G1 s8 Z- } 能解释下为什么会产生过冲吗?9 i, P* D* X) u. t/ b  ^ 让我们这些菜鸟学习学习         回复 支持 反对 举报   EDA365微信号及QQ群号! tyongfeng18 0 主题 3 帖子 83 积分 二级会员(20) 积分 83 发消息 32#   发表于 2012-7-31 13:51 | 只看该作者 当电压12V输入的时候,D2没拿掉为好.       回复

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册 x . ?& P' U5 r/ ~& `: B 用AOD409设计的开关电路为什么驱动能力不够,请大家帮忙分析一下原因啊.这个电路作用就是输入为高电平(3.3V)时5V\12V接通,输入低电平断开.这个电路可以实现断开与接通功能,但就是驱动不了我的马达.马达直接接电源可以转,通过这个电路就不转,应该是电流不够吧.谢谢啦~     分享到:  QQ好友和群 QQ空间 腾讯微博 腾讯朋友 微信 收藏5 支持! 反对! 微信分享   回复 举报  

MOS管的栅极和源极之间的电阻: 一是为场效应管提供偏置电压:二是起到泻放电阻的作用:保护栅极G-源极S: 保护栅极G-源极S: 场效应管的G-S极间的电阻值是很大的,这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压,如果不及时把这些少量的静电泻放掉,两端的高压就有可能使场效应管产生误动作,甚至有可能击穿其G-S极:这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉,从而起到了保护场效应管的作用. 具体的例子:MOS管在开关状态工作时,Q1.Q2是轮流导通,MOS管栅极在反复充

设计的MOS管三极管简单开关电路驱动能力不够 [复制链接]     lxizj 9 主题 454 帖子 1783 积分 四级会员(40) 积分 1783 发消息 16#   发表于 2012-4-23 17:02 | 只看该作者 这个东西仔细看看规格书就知道了.0 n" Z0 o. r7 ~$ `; a) u! {9 j 1.首先,为什么10K/10K的分压不行? # Q7 _$ S" A. D3 r6 [, S 9楼说的有道理.从规格书上看,AOD409的阙值电压是2.4V,而10K

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 场效应管种类场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107-1015Ω).噪声小.功耗低.动态

转自嵌入式单片机之家公众号 问题的提出 电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避免的.所以,我们就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的目的 01二极管防反接 通常情况下直流电源输入防反接保护电路是运用二极管的单向导电性来完结防反接保护.这种接法简略可靠,但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的.以输入电流额定值抵达2A,如选用Onsemi的快速恢复二极管  MUR3020PT,额定管压降为0.7V,那么功耗至少也要抵达:Pd＝2A×0.7V＝1.4W,这样功率低,发

电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避免的.所以,我么就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的目的. 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计.现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻,假设是6.5毫欧,通过的电流为1A(这个电流已经很大了),在他上面的压降只有6.5毫伏.

[导读]  一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. 关键词:PMOS管MOS管电源管理 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计.现在的MOS管可以做到

1.MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路.MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种.P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管.实际应用中,NMOS居多.其主要特点是结构简单.制造方便.集成度高.功耗低,但速度较慢.三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流:而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流. 2.PMOS的特性,Vgs

目录 MOSFET, MOS管基础和电路 MOS管实现的STC自动下载电路 三极管配合 PMOS 管控制电路开关 STC MCU在烧录时, 需要断电重置后才能进入烧录状态, 通常是用手按开关比较繁琐. 如果利用STC-ISP在烧录开始时会拉低RTS的特性, 可以实现烧录开始时自动断电复位. 电路仿真测试 下面的电路适用于烧录下载STC MCU. 使用LTspice模拟. V2 为方波, 电压[0, 3.3V], 宽度1.5s 以下为模拟输出, 绿色为三极管基极电压, 红色为MOS管栅极(Gate

mos工作原理:http://www.360doc.com/content/15/0930/11/28009762_502419576.shtml, 开关特性好,长用于开关电源马达驱动,CMOS相机场合. MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的.在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电

程序: #include "led.h" void InitLed(void) { TRISB &= ~0x70; ANSELB &= ~0x70; } void LedBlink(void) { u8 i; ;i<;i++){ LED0 = ;LED1 = ;LED2 = ; delay_10ms(); LED0 = ;LED1 = ;LED2 = ; delay_10ms(); } } void main() { InitLed(); LedBlink();

本文隶属于AVR单片机教程系列.   开发板上有4个按键,我们可以把每一个按键连接到一个单片机引脚上,来实现按键状态的检测.但是常见的键盘有104键,是每一个键分别连接到一个引脚上的吗?我没有考证过,但我们确实有节省引脚的方法. 矩阵键盘 这是一个4*4的矩阵键盘,共有16个按键只需要8个引脚就可以驱动.我们先来看看它的原理. 每个按键有两个引脚,当按键按下时接通.每一行的一个引脚接在一起,分别连接到左边4个端口,称为"行引脚":每一列的另一个引脚接在一起,分别连接到右边的4个端口,称

一直想给大家讲讲ESD的理论,很经典.但是由于理论性太强,任何理论都是一环套一环的,如果你不会画鸡蛋,注定了你就不会画大卫. 先来谈静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)是什么?这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力破坏的主要元凶.因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏),所以这种损伤是毁灭性和永久性的,会造成电路直接烧毁.所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题. 静电,通常都是人为产生的,如生产.组装.测试.存放.搬运等过程中都有可能使得静电

转自:https://blog.csdn.net/techexchangeischeap/article/details/72569999 概述 能将处理器的GPIO(General Purpose Input and Output)内部结构和各种模式彻底弄清楚的人并不多,最近在百度上搜索了大量关于这部分的资料,对于其中很多问题的说法并不统一.本文尽可能的将IO涉及到的所有问题罗列出来,对于有明确答案的问题解释清楚,对于还存在疑问的地方也将问题提出,供大家讨论. 概括地说,IO的功能模式大致可以