1 三极管和MOS管的基本特性 三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化.有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种,符号如下: MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化.有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS),符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管): 2 三极管和MOS管的正确应用 (1)P型三极管,适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况.只要基极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V

可能无法完全导通,电流可能过小使导通所需时间变长,最终导致发热严重       回复 举报     csaaa DIY七级 3# 发表于 2016-7-12 14:11:59 直接驱动mos也没什么问题啊.但要满足mos的使用条件啊.你这问题没头没尾没图没条件没型号没电压谁知道为什么呢.     回复 举报     languifan DIY五级 4# 发表于 2016-7-12 16:25:36 MOD管的开启电压很高,一般的IC驱动电压没那么高.     回复 举报     老愚童63 DI

0.小叙闲言 最开始学习三极管的时候,很注重它的工作原理,后来到了实际应用,就直接把三极管或MOSFET直接当作一个开关器件使用.直到前这几天,接触到MOSFET组成的H桥驱动电路时,发现它纯当作一个开关器件来看,会出现许多问题.在这里总一下问题和对出现问题的一些原因做一些分析.个人知识有限,很多地方思虑难免有所不足,希望能够与网上各位一起学习交流. 目前我们一般将H桥驱动当作电机或步进电机的驱动,如下图1所示,要做好驱动电路,必须得了解清楚MOSFET的一些原理,才不会出错.  图1 H桥全桥

1 引言 MOSFET凭开关速度快.导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用.要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能,就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数.在应用中MOSFET一般工作在桥式拓扑结构模式下,如图1所示.由于下桥MOSFET驱动电压的参考点为地,较容易设计驱动电路,而上桥的驱动电压是跟随相线电压浮动的,因此如何很好地驱动上桥MOSFET成了设计能否成功的关键.半桥驱动芯片由于其易于设计驱动电路.外围元器件少.驱动能力强.可靠性高等优点在MOSFET驱动电路

源:http://www.amobbs.com/thread-5484710-1-1.html 从网上找到一些MC34063扩流降压电路图,一个个的试,根本达不到我的基本要求,全都延续了34063的降压低效率,仅把发热点从IC转到功率管上,基本上都是垃圾,另外其他人在网上说,这本来就是很难弄的,等等.最后还是不得不自己折腾,搭出了一个自己满意的电路. MOSFET看起来是很容易使用的一种元件,其最佳工作状态就要么导通,要么全截止,驱动电平高或低,不能模棱两可,否则就成了一种昂贵的加热器.3406

一位工程师曾经对我讲,他从来不看MOSFET数据表的第一页,因为“实用”的信息只在第二页以后才出现.事实上,MOSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息.但人们不是总能搞得清楚该如何解读制造商提供的数据.本文概括了一些MOSFET的关键指标,这些指标在数据表上是如何表述的,以及你理解这些指标所要用到的清晰图片.像大多数电子器件一样,MOSFET也受到工作温度的影响.所以很重要的一点是了解测试条件,所提到的指标是在这些条件下应用的.还有很关键的一点是弄明白你在“产品简介”里看到的这

最近在调试MOSFET电路中,发现了更多问题,比如同样的PI反馈控制电路可以很好的控制PMOS工作,却对NMOS不能很好控制.当然你肯定会说那是因为PMOS和NMOS不同呀,这自然没有错,我在上一篇文章中也讨论了载流子不同带来的影响,但是这些差异最终体现在哪些具体的地方,我仍然是含糊不清的.这最集中体现在当我拿到一个商家给的MOSFET的参数表时,很多参数我都不明白什么意思.比如下面两个链接给出的参数表: http://www.mouser.com/ds/2/205/DS99975B(IXTN1

其实RS485不算什么协议,只是物理层做了差分传输,AB两线的电压差来表示0,1,0,1,可靠性和距离更加好,因此,一个串口外设只能作为半双工使用,而RS232是可以全双工的. max485模块可以直接与stm的串口外设相连,但需要一个发送和接收的一个引脚作为控制.(抛开三极管驱动等电路) stm32作为master段,一般默认状态是接受的,如果要发送,可以改变控制引脚,发送完立即改为接收即可. 其他和RS232一模一样.

[原创]:这段时间开始研究stm32,今天撸着一段代码一直追,追到了GPIO口模式的枚举类型这里,遂去网上查看这8种模式到底是什么,网上一查,看到了一个答案被很多博主转载或者原创,那我也就不重复废话了,直接也转过来,方便我以后查看.因为我也不能确定哪一个是真正的原创者,所以如果原创者看到我这篇博文,又不同意我转发,望告知,我一定尊重您的意愿. [转载]: 一.推挽输出:可以输出高.低电平,连接数字器件:推挽结构一般是指两个三极管分别受两个互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.高低

reprint from:http://blog.csdn.net/hemeinvyiqiluoben/article/details/9253249 TTL和COMS电平匹配以及电平转换的方法 一．TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V电源. 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V,Uil≤0.8V 二．C

本文来自cairang45的博客,讲述了STM32的GPIO口的输出开漏输出和推挽输出, 作者博客:http://blog.ednchina.com/cairang45 本文来自: 高校自动化网(Www.zdh1909.com) 详细出处参考(转载请保留本链接):http://www.zdh1909.com/html/MCS51/2944.html STM32的GPIO口的输出:开漏输出和推挽输出 >>推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件 >>开漏输出:输出端相当于三极管的集

stm32的GPIO的配置模式有好几种,包括: 1. 模拟输入: 2. 浮空输入: 3. 上拉输入: 4. 下拉输入: 5. 开漏输出: 6. 推挽输出: 7. 复用开漏输出: 8. 复用推挽输出 如图是GPIO的结构原理图: 1.模拟输入 就是1,而模拟输入信号不符合这一要求,所以自然不能放进输入数据寄存器.该输入模式,使我们可以获得外部的模拟信号. 2.浮空输入 该输入状态,我的理解是,它的输入完全由外部决定,我觉得在数据通信中应该可以使用该模式.应为在数据通信中,我们直观的理解就是线路两端

一.推挽输出:可以输出高.低电平,连接数字器件:推挽结构一般是指两个三极管分别受两个互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.高低电平由IC的电源决定.         推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小.效率高.输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流.推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度. 二.开漏输出:输出端相当于三极管的集电极,要得

stm32的GPIO的配置模式有好几种,包括: 1. 模拟输入: 2. 浮空输入: 3. 上拉输入: 4. 下拉输入: 5. 开漏输出: 6. 推挽输出: 7. 复用开漏输出: 8. 复用推挽输出   如图是GPIO的结构原理图:     1.模拟输入   从上图我们可以看到,我觉得模拟输入最重要的一点就是,他不经过输入数据寄存器,所以我们无法通过读取输入数据寄存器来获取模拟输入的值,我觉得这一点也是很好理解的,因为输入数据寄存器中存放的不是0就是1,而模拟输入信号不符合这一要求,所以自然不能放

一.推挽输出:可以输出高.低电平,连接数字器件:推挽结构一般是指两个三极管分别受两个互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.高低电平由IC的电源决定.形象点解释:推挽,就是有推有拉,任何时候IO口的电平都是确定的,不需要外接上拉或者下拉电阻.         推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小.效率高.输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流.推拉式

一．TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V电源.1.输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh≥2.4V,Uol≤0.4V2.输入高电平和输入低电平Uih≥2.0V,Uil≤0.8V二．CMOSCMOS电路是电压控制器件,输入电阻极大,对于干扰信号十分敏感,因此不用的输入端不应开路,接到地或者电源上.CMOS电路的优点是噪声容限较宽,静态功耗很小.1.输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh

推挽输出:可以输出高.低电平,连接数字器件:推挽结构一般是指两个三极管分别受两个互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.高低电平由IC的电源决定. 推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小.效率高.输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流.推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度. 二.开漏输出:输出端相当于三极管的集电极,要得到高电平状态需要上拉

0.小叙闲言 前面已经写了两篇介绍放大器应用和MOSFET作驱动的文章:常规放大电路和差分放大电路和MOSFET使用与H桥驱动问题.但是对它们的工作原理并没有进一步研究一下,今天写下这篇文章,主要是介绍二极管的工作原理,为后面的三极管和MOSFET工作原理的理解打下基础,然后,应该能理解放大器的工作原理,最后也就也能解决上两篇文章提出的问题了. 1.PN结形成 P(Positive)型和N(Negative)型可根据它们的载流子(载流子说得比较学术,其实就是导体里面能流动的带电粒子,为电子或者是

STM32的GPIO介绍 STM32引脚说明 GPIO是通用输入/输出端口的简称,是STM32可控制的引脚.GPIO的引脚与外部硬件设备连接,可实现与外部通讯.控制外部硬件或者采集外部硬件数据的功能. STM32F103ZET6芯片为144脚芯片,包括7个通用目的的输入/输出口(GPIO)组,分别为GPIOA.GPIOB.GPIOC.GPIOD.GPIOE.GPIOF.GPIOG,同时每组GPIO口组有16个GPIO口.通常简略称为PAx.PBx.PCx.PDx.PEx.PFx.PGx,其中x为

该文摘自:http://blog.csdn.net/kevinhg/article/details/17490273 一.推挽输出:可以输出高.低电平,连接数字器件:推挽结构一般是指两个三极管分别受两个互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.高低电平由IC的电源决定.         推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小.效率高.输出既可以向负载灌电流,也

CSDN:http://blog.csdn.net/l20130316 博客园:http://www.cnblogs.com/luckyalan/ 1 综述 I/O口是单片机中非常常用的外设,STM32的I/O口有8种状态,虽然一直在使用过程中没有遇到什么问题,但是一直都不是很清楚,因此这里做一个总结(实际上这里的概念也是和STM8等其他单片机,理解了这8中状态,也就基本上理解了大部分I/O口). 2 庐山真面目 我们在库文件中的"stm32f10x_gpio.h"中可以看到如下代码: