本章目的:明确公差分布(Tolerance Distribution)也有自己的形状,了解CPK概念. 1.正态分布(常态分布)normal distribution的概念 统计分析常基于这样的假设:零件在大批量生产时,其尺寸在其公差范围内呈正态分布(常态分布)normal distribution. 事实也是如此,针对一个零件尺寸,在一定制造条件下制造并测量无数个零件,并记录相同尺寸出现的频率,可以绘制出一张尺寸大小的频率图,这张图纸就是正态分布图.如下面两张图所示(一简一繁). 多数的零件尺

从7nm到5nm,半导体制程 芯片的制造工艺常常用XXnm来表示,比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工艺.所谓的XXnm指的是集成电路的MOSFET晶体管栅极的宽度,也被称为栅长.栅长越短,则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管. 目前,业内最重要的代工企业台积电.三星和GF(格罗方德),在半导体工艺的发展上越来越迅猛,10nm制程才刚刚应用一年半,7nm制程便已经好似近在眼前,上个月雷锋网刚刚还报道过下一代iPhone A12处理器将使用台积电7nm

Cpk之製程能力解釋 Cpk就是綜合考慮精度與準度的製程能力指標. Cpk=(1-Ck)‧Cp 也就是在考慮Cp的同時,再考慮乘上一個(1-Ck)係數,去彌補Cp之不足,此係數最大時為1,也就是(Ck=0)時(中心值無偏離時),若是中心值無偏離越大,此係數(1-Ck)會越小,則Cpk也將變小. Cpk之等級評估 等級 範           圍   解 釋 A     Cpk ≧ 2.00   製程能力很足,不必檢查,即可達ppm水準. B 2.00 > Cpk ≧ 1.33   製程能力足,不

Cp之製程能力解釋 從常態分配的特性來看,在群體中 ±3σ(標準差) 之範圍內的值,應包含群體全部的 99.73%.也就是說,若以 6σ為單位,就可以代表整個分布的範圍,但是有 0.27% (2700ppm)的誤差. 因為衡量製程能力最主要是衡量其分布之『寬度』,寬度越寬代表其製程能力越不足,越窄代表其製程能力越好. 但要窄到什麼程度才算好?寬到哪一個程度才算差?因此我們拿 6σ與規格寬度(T)做比較,作為衡量的指標,這就是 Cp了. Cp=T/(6σp) ,也就是群體之實際寬度(6σ)在期望之

Ck之製程能力解釋 a=M-X: 代表規格中心(也就是製程之期望中心)與實際製造出來之群體中心的距離. b=T/2: 代表規格的一半. 所以,當Ck=a/b=M-X/(T/2)以文字來說明就是:實際作出來的中心位置偏離預定中心值之大小M-X佔規格一半的比率. 因此       Ck=0 時就代表製造出來的中心值無偏離.   Ck=1 時就代表製造出來的中心值與預期之中心值剛好偏離了規格的一半. 也就是X剛好在規格的上限或下限. Ck之等級評估 等級 範           圍   解 釋 A  

製程能力的三種表示法 Ck: 準度指標 (accuracy)   Ck=(M-X)/(T/2) Cp: 精度指標 (precision)   Cp=T/(6σp) 規格為單邊時:Cp=(Tu-X)/3σp 或 Cp=(X-Tl)/3σp 單邊規格系指某一邊的尺寸受到侷限不能超越,如『平面度』.『平行度』只能大不能小. Cpk: 精.準度綜合指標 Cpk=(1-Ck)‧Cp M: 規格中心 T: 規格寬度 Tu: 規格上限 Tl: 規格下限 X: 群體之平均值 σp: 群體之標準差 在3個指標中,

如何改善製程能力 參考下面常態分配圖,原製程能力不足,其製成品有一定比率超出下限規格,其改善對策有二: 縮小製程變異,也就是改善Cp,提高Cp的值. 移動製程中心,也就是改善Ck,減小Ck的值. 就技術的層面來看,欲縮小製程變異,也就是改變精度,通常意味著需要購買新的製造機器設備來改善機器尺寸上的誤差,或要求更精準的零件尺寸規格,來達到製成品的精度改善.一般來說,只要改善產出機器內相關尺寸的位置,或改善組裝的工法,就能達到移動製程中心的目的,此時再配以管制圖的應用,控管相關的機器尺寸或工法,就能

https://mp.weixin.qq.com/s/LjFTtEKFX2o8kLjn3y6GbQ 深度学习的异构加速技术1:效率因通用而怠,构架为AI而生 一方面,当半导体的工艺制程走到7nm后,已逼近物理极限,摩尔定律逐渐失效,导致CPU不再能像以前一样享受工艺提升带来的红利:通过更高的工艺,在相同面积下,增加更多的计算资源来提升性能,并保持功耗不变.为了追求更高的性能,更低的功耗,来适应计算密集型的发展趋势,更多的设计通过降低通用性,来提升针对某一(或某一类)任务的性能,如GPU和定制AS

集微网消息,台积电董事长张忠谋表示,摩尔定律可能还可再延续10年,3nm制程应该会出来,2nm则有不确定性,2nm之后就很难了. 张忠谋表示,1998年英特尔总裁贝瑞特来台时,两人曾针对摩尔定律还可延续多久进行讨论,他当时回答还有15年,贝瑞特较谨慎回答,大概还有10年. 现在已经2017年,张忠谋表示,两人当时的答案都错了:他指出,目前大胆预测摩尔定律可能再有10年. 张忠谋表示,台积电明年将生产7nm制程,5nm已研发差不多,一定会出来,3nm也已经做2至3年,看来也是会出来. 张忠谋指出,

华为海思Hi1620芯片发布在即 7nm制程ARM架构最高可达3.0GHz https://www.cnbeta.com/articles/tech/850561.htm 中电科旗下的普华软件 支持国产CPU Hi1620 参数看起来 还是很不错的. 一夜间,华为海思“备胎转正”,不仅周边的“备胎股”受到广泛关注.5月23日,普华基础软件在公众号透露“海思hi1620系列即将发布”的消息.并配有一张“普华基础软件”与“华为海思”的关系拼图. 访问: 华为商城 普华是一家什么公司?普华基础软件股份

汽车底盘的作用是接受发动机的动力,使车轮转动,并保证汽车按驾驶员的操纵正常行驶.底盘包括传动系统.行驶系统.转向系统和制动系统这四大部分,通常,这四大系统也简称为传动系.行驶系.转向系和制动系.悬架是车架与车桥之间传力连接装置的总称,它的功用是把路面作用于车轮上的支撑力.牵引力.制动力和侧向力以及这些作用力所造成的力矩传递到车架(或车身)上,以保证汽车的正常行驶.在整个底盘的悬架系统,需要考虑前束和外倾角参数,在公差建模过程,把它们作为分析对象,计算各个输入公差对分析对象的影响. 一. 公差建模

1.分析网页 视频地址: www.bilibili.com/video/BV19E… 本身博主同时也是一名up主,虽然已经断更好久了,但是不妨碍我爬取弹幕信息来分析呀. 这次我选取的是自己 唯一的爆款视频 .就是下面这个. 很多人学习python,不知道从何学起.很多人学习python,掌握了基本语法过后,不知道在哪里寻找案例上手.很多已经做案例的人,却不知道如何去学习更加高深的知识.那么针对这三类人,我给大家提供一个好的学习平台,免费领取视频教程,电子书籍,以及课程的源代码!QQ群:10167

1.简述 AOI技术在许多不同的制造业领域使用,自从电子影像技术开始发展,就被各种人利用在不同的应用领域.大家最熟悉的数字相机.数字摄影机是大家生活中最常用到的器材之一,而工业产品的生产也大量使用这些技术,所不同的是AOI系统除了影像产生之外,还多了比对.判断等等额外功能. 电子工业加速朝向于更小.更密.更快的先进构装发展,早期依赖人工检查产品的作法已经无法符合需求.业者大量引用AOI技术辅助生产工作,已经成为必然的趋势,如:电子组装使用进行锡膏印刷.漏件检查.接点状况判断等等工作就是大家耳熟能

本章目的:按照工程图出图步骤,更方便出具规范的工程图. 1.工程出图步骤 这是作者个人归纳的步骤,供同行业工程师参考完善. 以solidworks为例,工程出图步骤如下:1.1)打开绘制的3d零件图,进行3d图的GB基础设置:1.2)3d零件图(装配体图)转为工程图,进行工程图GB基础设置:1.3)选定合适图幅和比例,合理进行视图布局:1.4)标题栏的填写和3d图纸内容的关联:1.5)填写技术要求:1.6)进行全尺寸标注:1.7)公差和行位公差的标注:1.8)质量特性重要度标注:1.9)其他.

本章目的:了解定义形位公差的符号. 1.公差特征项目的符号(GM新标准) //形位公差共:5类14个,4,2,3,3,2. 2.附加符号(GM新标准) //①基本尺寸(理论尺寸)没有公差,无需检验(不如说检了也没有对错).它是辅助检验其它诸如位置度等形位公差的. ②参考尺寸一般不加公差,无需检验,该值仅供参考.但在一些特殊情况下,可以加公差并检验. ③统计公差分析后,其分析的零件公差须标注统计公差符号ST,并正确传达给质量管理等人员. 3.几个新符号 3.1正切平面-T 3.2 受控半径 — C

本章目的:针对每一个装配工序,运用DFA进行优化. 1.前言 工序的优化在产品的精简之后. 这个是作者的实际做完DFA后得出的结论.原因倒是很简单,一个精密的产品,哪怕只是优化了一个零件,对整体的装配工序也许就是大变样了.为了不白做工,希望装配工序的优化尽量放在产品精简之后. 装配工序的优化总会付出一定的代价,如零件设计的复杂,制造的成本增高,这是肯定的!所以作者希望大家能理解这些DFA理念的基础上,能达成一致后去付出这些代价. 至于这些代价值不值得,如增加定位特征必定增加制造成本之类的.拜托,

本章目的:填写建议措施及DFMEA后续完备. 1.建议措施(k) 定义 总的来说,预防措施(降低发生率)比探测措施更好.举例来说,比起设计定稿后的产品验证/确认,使用已证实的设计标准或最佳实践更加可取. //这句话在上上章节,也就是叙述预防控制和探测控制的章节已经描述过了. 建议措施的目的在于改进设计. 所以,就作者看来,为了改进设计,建议措施的填写实际上需要分两步进行. 1)尽可能降低SOD三者的评分,其目的是最优化产品设计: 2)在最近一代产品已经不能优化设计的基础上:这个原因有很多,比如项

1.单位:1mil = 0.0254mm 2.default线宽及线距(综合考虑高速电路性能及PCB板厂制程能力):6mil 3.差分走线特征阻抗:100ohm 4.3W原则,即线间距采用3倍线宽,多用于时钟线,差分线等系统关键高速走线 5.高速电路:数字电路频率在50MHz以上即称为高速电路 6.高速信号:约定线传播延时大于1/2的信号驱动端的上升时间的信号为高速信号,并会产生传输线效应 7.IBIS模型:信号完整性分析中普遍采用的仿真模型 8.33ohm端接电阻:阻抗匹配是为了使源和目的端的

给初学者的一直有很多人问我阻抗怎么计算的. 人家问多了,我想给大家整理个材料,于己于人都是个方便.如果大家还有什么问题或者文档有什么错误,欢迎讨论与指教!在计算阻抗之前,我想很有必要理解这儿阻抗的意义. 传输线阻抗的由来以及意义传输线阻抗是从电报方程推导出来(具体可以查询微波理论)如下图,其为平行双导线的分布参数等效电路: 从此图可以推导出电报方程 取传输线上的电压电流的正弦形式 得 推出通解  定义出特性阻抗 无耗线下r=0, g=0 得 注意,此特性阻抗和波阻抗的概念上的差异(具体查看平面波

转自:http://bbs.meizu.cn/viewthread.php?tid=3058847&page=1 我的话题应该会比较长一些.但是大致板块如下:1.LCD RAM;-->此项目前已经Over2.OCA贴附方式:==>这个暂时不能给出更新时间,但是会尽快.3.揭短某机所谓的半反穿屏幕:-->12/23 11:51 已经更新完毕.4.使用魅族这么长时间的经验以及建议: ---------------------------------------------------