普通的定义上区分:内存,是连接CPU 和其他设备的通道,起到缓冲和数据交换作用.当CPU在工作时,需要从硬盘等外部存储器上读取数据,但由于硬盘这个“仓库”太大,加上离CPU也很“远”,运输“原料”数据的速度就比较慢,导致CPU的生产效率大打折扣!为了解决这个问题,人们便在CPU与外部存储器之间,建了一个“小仓库”—内存 ECC内存,即应用了能够实现错误检查和纠正技术(ECC)的内存条.一般多应用在服务器及图形工作站上,这将使整个电脑系统在工作时更趋于安全稳定.ECC是“Error Checkin

ECC内存,即应用了能够实现错误检查和纠正技术(ECC)的内存条.一般多应用在服务器及图形工作站上,这将使整个电脑系统在工作时更趋于安全稳定.ECC是“Error Checking and Correcting”的简写,中文名称是“错误检查和纠正”.   1基本信息 技术原理 要了解ECC技术,就不能不提到Parity(奇偶校验).在ECC技术出现之前,内存中应用最多的是另外一种技术,就是Parity(奇偶校验).我们知道,在数字电路中,最小的数据单位就是叫“比特(bit)”,也叫数据“位”,“

都知道,在INTEL平台,北桥负责与CPU的联系,并控制内存.AGP.PCI数据在北桥内部传输.基本上只要主板芯片组确定,那么其支持的内存类型也就确定了. INTEL芯片组划分的很清楚,865PE属于工作站级别芯片组,不支持ECC内存,只能使用普通内存,875P芯片组属于低端服务器/工作站级别,支持ECC内存和普通非ECC内存,而E7525属于高端服务器,为了保证其稳定性,必须采用ECC REG内存,使用其他内存无法点亮. 在AMD方面,K8 CPU集成了内存控制器,CPU与内存直接交换数据,不

最近因项目需要,做一个数据采集的单片机平台.需要移植 FatFs .现在把最后成果贴上来. 1.摘要 在 STM32 单片机上,成功移植 FatFs 0.12b,使用的 Nand Flash 芯片为 K9F2G08 . 特点: 系统配合 FatFs 实现了坏块管理,硬件ECC,软件 ECC 纠错 2.代码分析 2.1.擦写均衡分析 在create_chain 函数中实现,每次分配都由当前scl 指向的 free cluster 开始,逐块检查,是否有可用 cluster 存在.如果没有则取下一块

Flash型号: NandFlash型号:TC58NVG2S3ETA00 pagesize: 2KB oobsize  : 64B blocksize : 128K 关于ECC可以参考:http://www.cnblogs.com/pengdonglin137/p/3438001.html,其中介绍了256B纠错1位的ECC生成算法,而这里的512B跟它的方法类似. 这里有一个EXCEL表格,它是对下面将要分析的算法的动态演示,只需要更改其中的16*16的表格中的数字,相应的ECC会自动计算出来

Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中有着广

转:http://www.cnblogs.com/elect-fans/archive/2012/05/14/2500643.html 0.NAND的操作管理方式 NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand flash为一个设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家分享的是恩智浦i.MXRT1170上Cortex-M7内核的FlexRAM ECC功能. ECC是"Error Correcting Code"的简写,ECC能够实现错误检查和纠正,含有ECC功能的内存一般称为ECC内存,使用了ECC内存的系统在稳定性和可靠性上得到很大提升.相比前几代不带ECC的i.MXRT10xx型号,新一代i.MXRT1170在ECC上做了全面武装,从eFuse到FlexRAM,从OCRAM到外部存储空间全都

1.内存查看 memory.limit():查看内存大小 memory.limit(n):申请内存大小 memory.size(NA):查看内存大小 memory.size(T):查看已分配的内存 memory.size(F):查看已使用的内存 2.内存申请 在Windows开始菜单运行: Rgui -max-mem-size 8GB 与在R GUI中执行: memory.limit(8) 都能申请8GB使用内存 3.垃圾清除 rm(x):从workplace中删除变量/文件x gc():清除内

     本篇文章主要介绍ECC基本原理以及在Nand Flash中的应用,本文记录自己对ECC校验原理的理解和学习. ECC介绍      ECC,全称为Error Correcting Code,错误纠正码,这是一种编码方式,用于在于可以在一定程度上自行发现和纠正传输过程中发生的错误.      香农在1948年发表的<通信的数学理论>中的信道编码定理指出:主要采取适当的纠错码,就可以在多类信道上传输消息,其误码率可以任意小.经过历代人们的持续努力,找出了许多好的信道编码方法,满足许多实用

0.NAND的操作管理方式      NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand flash为一个设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六字节外,通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码). 关于OOB区,是每个Page都有的.Page大小

ECC的全称是Error Checking and Correction,是一种用于Nand的差错检测和修正算法.如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话,NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个bit出错.ECC能纠正1个比特错误和检测2个比特错误,而且计算速度很快,但对1比特以上的错误无法纠正,对2比特以上的错误不保证能检测.校验码生成算法:ECC校验每次对256字节的数据进行操作,包含列

ECC简介 由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块.为了检测数据的可靠性,在应用NAND Flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略,而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测. 如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话,NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个bit出错. 对数

转载于:http://blog.csdn.net/hubifeng/article/details/41113789 在处理大型数据过程中,R语言的内存管理就显得十分重要,以下介绍几种常用的处理方法. 1,设置软件的内存 [plain] view plain copy <span style="font-size:14px;">memory.size(2048) #设置内存大小 memory.size(NA) #查看当前设置下最大内存(?"Memory-limit

OBB: 例如Samsung K9F1208U0B,数据存储容量为64MB,采用块页式存储管理.8个I/O 引脚充当数据.地址.命令的复用端口.芯片内部存储布局及存储操作特点: 一片Nand flash为一个设备(device), 其数据存储分层为: 1 (Device) = 4096 (Blocks)    1 (Block) - = 32   (Pages/Rows) 页与行是相同的意思,叫法不一样    1 (Page)   = 528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes)

引入ECC ECC:Error Checking and Correction,是一种差错检测和修正的算法. NAND闪存在生产和使用中都会有坏块产生,BBM就是坏块的管理机制.而生产坏块已经无法避免,我们只能尽全力减少使用中产生的坏块.一种是利用磨损平衡(WL)提前预防坏块产生,另一种是已经产生“坏块”,我们是否还能继续用? 因此引入了ECC,如果块产生错误,且能够被ECC纠正,那么这个块都不算坏块:但连ECC都纠正不过来,这个块就无法再继续使用,只能标记为坏块. 所以,有效管理坏块的首要前提

引言 R的内存管理机制究竟是什么样子的?最近几日在讲一个分享会,被同学问到这方面的问题,可是到网上去查,终于找到一篇R语言内存管理不过讲的不清不楚的,就拿memory.limit()函数来说,是在windows下才使用的,作者几乎没有提及,还有rm(),gc()函数到底怎么工作的,什么时候用,都无从提及.看来百度是解决不了了,关键时候还是靠google啊,这不,很快找到了一篇相当不错的文章Memory,还是人家外国人比较注重细节,下面的部分几乎是从那儿翻译过来的.需要学习R的高级编程的同学,可以

转:http://blog.csdn.net/lanmanck/article/details/4230904 例如Samsung K9F1208U0B,数据存储容量为64MB,采用块页式存储管理.8个I/O 引脚充当数据.地址.命令的复用端口. 芯片内部存储布局及存储操作特点:    一片Nand flash为一个设备(device), 其数据存储分层为:    1 (Device) = 4096 (Blocks)    1 (Block) - = 32   (Pages/Rows) 页与行是

一.背景 据记载,公元前 400 年,古希腊人发明了置换密码.1881 年世界上的第一个电话保密专利出现.在第二次世界大战期间,德国军方启用「恩尼格玛」密码机,密码学在战争中起着非常重要的作用. 随着信息化和数字化社会的发展,人们对信息安全和保密的重要性认识不断提高,于是在 1997 年,美国国家标准局公布实施了「美国数据加密标准(DES)」,民间力量开始全面介入密码学的研究和应用中,采用的加密算法有 DES.RSA.SHA 等.随着对加密强度需求的不断提高,近期又出现了 AES.ECC 等.

ECC 产生方法 ECC 是用于对存储器之间传送数据正确进行校验的一种算法,分硬件 ECC 和软件 ECC 算法两种,在 S3C2410 的 Nand Flash 控制器中实现了由硬件电路(ECC 生成器)实现的硬件 ECC. ECC 生成器工作过程 当写入数据到 Nand flash 存储空间时, ECC 生成器会在写入数据完毕后自动生成 ECC 码,将其放入到 ECC0-ECC2.当读出数据时 Nand Flash 同样会在读数据完毕后,自动生成 ECC 码将其放到 ECC0-ECC2 当

一.内存详解 NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block),这些区块是 NAND器件中最小的可擦除实体.擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为"1"(而所有字节(byte)设置为FFh).有必要通过编程,将已擦除 的位从"1"变为"0".最小的编程实体是字节(byte).一些NOR闪存能同时执行读写操作(见下图1).虽然NAND不能同时执行读写操作,它可以采用称为"映射(shadowing)"的方法,在系统级实