1 引言 MOSFET凭开关速度快.导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用.要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能,就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数.在应用中MOSFET一般工作在桥式拓扑结构模式下,如图1所示.由于下桥MOSFET驱动电压的参考点为地,较容易设计驱动电路,而上桥的驱动电压是跟随相线电压浮动的,因此如何很好地驱动上桥MOSFET成了设计能否成功的关键.半桥驱动芯片由于其易于设计驱动电路.外围元器件少.驱动能力强.可靠性高等优点在MOSFET驱动电路

作为一个电机驱动开发方面的菜鸟,近日研究了一下通过MOS管对整流后的电源斩波用以驱动直流电机进行调速的方案. 在驱动的过程中,遇到了很多问题,当然也有很多的收获. 写下来以供自己将来查阅,也为其他菜鸟提供一些力所能及的帮助. 1.研究目标     公司使用的电机驱动原来是用的模拟电路.驱动220V的高压直流电机.可是模拟电路的构成看不懂,方案是直接"借鉴"而来(你懂的哈).所以一旦出现故障,就仅仅能束手就擒了.为了解决技术方面的问题,仅仅能使用自觉得能够的数字控制方案,用来进行直流电机

电路特点:有三极管组成4个桥的腿,中间可以使电容或是电机. 应用:直流电机的正反转控制.DC-AC逆变电源(脉冲直流变为周期交流) 关键点:同一个时刻只能对角的一对三极管导通,同侧不能一块导通,共2对相反的4个控制信号. 实用驱动电路:通过与门与非门变成2个方向控制盒一个使能控制,或一些驱动芯片. dirvemoto(direction,enble/disable)

多次使用IR2104s,每次的调试都有种让人吐血的冲动.现在将使用过程遇到的错误给大家分享一下,方便大家找到思路. 一.自举电容部分(关键) 1.听说自举电路必须要安装场效应管,于是我在使用过程中,安装了只半桥的高端场效应管. 结果:高端驱动HO无输出信号 正确做法:自举电路回路是与半桥的下场效应管构成回路的,应该安装下场效应管,保险的做法是两个场效应管都安装 2.自举电容采用104,自举二极管采用SS34 ,(这两种参数是我以前比赛的常见参数值,很自信) 测试条件:1K PWM 结果:LO 有

1.判断二极管是否击穿 2.判断mos管是否烧坏 直接用声音档,发出响声说明击穿了 3.测试二极管的正负极方法 将万用表调到二极管档 1.信号发生芯片周围的电阻 2.反馈部分的电阻 3.实验准备部分: 示波器的探头勾在mos管的栅极上 15V输出部分加上25R电阻的负载 板子外部加上15VDC给两个芯片供电 3.实验现象 1)再输入电压很低的时候,开关管的频率在108khz左右 2)当输入电压达到180VAC时,输出电压稳定在15V左右,输入电压继续上升,输出电压还是稳定在15V,不过这个时候开

6.3 变压器隔离 在许多应用场合中,期望将变压器结合到开关变换器中,从而在变换器的输入输出之间形成直流隔离.例如,在离线(off-line)应用中(变换器输入连接到交流公用系统),根据监管部门要求,需要隔离.在这些情况下,只需要在变换器的交流输入端连接一个50Hz或者60Hz的变压器即可获得隔离.但由于变压器的尺寸和重量随频率成反比,因此通过将变压器并入变换器中恶意实现显著的改进, 使得变压器以数十或者百KHz频率工作. 当需要较大的升压或者降压变换比时,使用变压器可以优化变换器.通过合适的变

6.4 变换器评估与设计 没有完美适用于所有可能应用场合的统一变换器.对于给定的应用和规格,应该进行折中设计来选择变换器的拓扑.应该考虑几种符合规格的拓扑,对于每种拓扑方法,对比较重要的量进行计算,比如最坏情况下的晶体管电压,电流有效值,变压器尺寸等.这种类型的定量比较可以选择最佳方法,同时避免工程师的个人偏好. 6.4.1 开关应力和利用率 通常,变换器中最大的单一成本是有源半导体器件的成本.而且,与半导体器件相关的导通和开关损耗通常占变换器损耗的主体.因此,对于候选变换器而言,比较总有源开关

开关电源PCB设计中的布线技巧关键字:布线 开关电源 走线 一.引言 开关电源是一种电压转换电路,主要的工作内容是升压和降压,广泛应用于现代电子产品.因为开关三极管总是工作在 “开” 和“关” 的状态,所以叫开关电源.开关电源实质就是一个振荡电路,这种转换电能的方式,不仅应用在电源电路,在其它的电路应用也很普遍,如液晶显示器的背光电路.日光灯等. 开关电源与变压器相比具有效率高.稳性好.体积小等优点,缺点是功率相对较小,而且会对电路产生高频干扰,变压器反馈式振荡电路,能产生有规律的脉冲电流或电压

1  序言 相信对云台有兴趣的小伙伴对STorM32 BGC这块云台控制板并不陌生,虽说这块控制板的软件已经不再开源,但是在GitHub上依旧可以找到两三个版本的代码,而硬件呢我们也可以从Olliw(BGC的作者)的个人网站上找到,我手头上目前由于两个版本的电路图.而这两个电路中的电机驱动电路所使用的控制芯片的型号均为TC4452DF N08,对于我们所购买到的驱动板,其上面所使用的控制芯片为DRV8313.Olliw的电路使用了9块芯片,而使用DRV8313则只需要三片即可.如果想要自己设计主

开关电源五种PWM反馈控制模式 来源:--作者:--浏览:178时间:2016-08-10 14:18 关键词: 1 引言 PWM开关稳压或稳流电源基本工作原理就是在输入电压变化.内部参数变化.外接负载变化的情况下,控制电路通过被控制信号与基准信号的差值进行闭环反馈,调节主电路开关器件的导通脉冲宽度,使得开关电源的输出电压或电流等被控制信号稳定. PWM的开关频率一般为恒定,控制取样信号有:输出电压.输入电压.输出电流 .输出电感电压.开关器件峰值电流.由这些信号可以构成单环.双环或多环反馈系统

1. IRF540N,N沟道,100V,33A,44mΩ@10V 栅极(Gate-G,也叫做门极),源极(Source-S), 漏极(Drain-D) 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时) 33A 栅源极阈值电压 4V @ 250uA 漏源导通电阻 44mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C) 130W 类型 N沟道 IRF540N(NMOS管)应用电路 MOS管由电压控制,与三极管不同(三极管是电流控制).说白了,给箭头方向相反的压降就是导通,方

一.MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种.至于为什么不使用耗尽型的

目录 MOSFET, MOS管基础和电路 MOS管实现的STC自动下载电路 三极管配合 PMOS 管控制电路开关 STC MCU在烧录时, 需要断电重置后才能进入烧录状态, 通常是用手按开关比较繁琐. 如果利用STC-ISP在烧录开始时会拉低RTS的特性, 可以实现烧录开始时自动断电复位. 电路仿真测试 下面的电路适用于烧录下载STC MCU. 使用LTspice模拟. V2 为方波, 电压[0, 3.3V], 宽度1.5s 以下为模拟输出, 绿色为三极管基极电压, 红色为MOS管栅极(Gate

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避免的.所以,我么就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的目的. 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计.现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻,假设是6.5毫欧,通过的电流为1A(这个电流已经很大了),在他上面的压降只有6.5毫伏.

http://anlx27.iteye.com/blog/1583089 学过模拟电路,但都忘得差不多了.重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创.如有错误还请多多指点! 先上一张图 一. 一句话MOS管工作原理 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了.          PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMO

[导读]  一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. 关键词:PMOS管MOS管电源管理 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计.现在的MOS管可以做到

驱动电路 典型的H桥驱动电路如下:要使电机旋转只需导通对角线上的两个三极管即可,如导通Q1,Q4,关闭Q2,Q4即可驱动电机正转:若想电机反向转动,即导通三极管Q2,Q3,关闭Q1,Q4.此时电路图可简化为如下所示:但当我们直接导通一个半桥上的Q1,Q3(或Q2,Q4)时,电源被短接,由于三极管电阻很小,此时流过三极管的电流很大,非常容易烧坏三极管,因此实际运用中一定不能导通同一个半桥上的三极管. 但是在实际情况中,三极管导通/关闭和电路中的其它原件操作都存在一定延时的,因此不能简单的认为,只需

我开始时用的是MPS的MP1584EN,这个芯片各方面都挺不错的.有次老大让我画个降压电路,看到用的是MP1584就说国外的芯片太贵,让我用上海贝岭的BL8033.BL8033确实很好用,虽然它没有1584优秀,但是它便宜,还少用个二极管.1584则是有输入电压更高,输出电流更大,纹波更小等优势,毕