1 引言 MOSFET凭开关速度快.导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用.要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能,就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数.在应用中MOSFET一般工作在桥式拓扑结构模式下,如图1所示.由于下桥MOSFET驱动电压的参考点为地,较容易设计驱动电路,而上桥的驱动电压是跟随相线电压浮动的,因此如何很好地驱动上桥MOSFET成了设计能否成功的关键.半桥驱动芯片由于其易于设计驱动电路.外围元器件少.驱动能力强.可靠性高等优点在MOSFET驱动电路

多次使用IR2104s,每次的调试都有种让人吐血的冲动.现在将使用过程遇到的错误给大家分享一下,方便大家找到思路. 一.自举电容部分(关键) 1.听说自举电路必须要安装场效应管,于是我在使用过程中,安装了只半桥的高端场效应管. 结果:高端驱动HO无输出信号 正确做法:自举电路回路是与半桥的下场效应管构成回路的,应该安装下场效应管,保险的做法是两个场效应管都安装 2.自举电容采用104,自举二极管采用SS34 ,(这两种参数是我以前比赛的常见参数值,很自信) 测试条件:1K PWM 结果:LO 有

作为一个电机驱动开发方面的菜鸟,近日研究了一下通过MOS管对整流后的电源斩波用以驱动直流电机进行调速的方案. 在驱动的过程中,遇到了很多问题,当然也有很多的收获. 写下来以供自己将来查阅,也为其他菜鸟提供一些力所能及的帮助. 1.研究目标     公司使用的电机驱动原来是用的模拟电路.驱动220V的高压直流电机.可是模拟电路的构成看不懂,方案是直接"借鉴"而来(你懂的哈).所以一旦出现故障,就仅仅能束手就擒了.为了解决技术方面的问题,仅仅能使用自觉得能够的数字控制方案,用来进行直流电机

半虚拟化驱动 5.1.1 virtio概述 KVM是必须使用硬件虚拟化辅助技术(如Intel VT-x.AMD-V)的hypervisor,在CPU运行效率方面有硬件支持,其效率是比较高的:在有Intel EPT特性支持的平台上,内存虚拟化的效率也较高.QEMU/KVM提供了全虚拟化环境,可以让客户机不经过任何修改就能运行在KVM环境中.不过,KVM在I/O虚拟化方面,传统的方式是使用QEMU纯软件的方式来模拟I/O设备(如第4章中提到模拟的网卡.磁盘.显卡等等),其效率并不非常高.在KVM中,

0.小叙闲言 最开始学习三极管的时候,很注重它的工作原理,后来到了实际应用,就直接把三极管或MOSFET直接当作一个开关器件使用.直到前这几天,接触到MOSFET组成的H桥驱动电路时,发现它纯当作一个开关器件来看,会出现许多问题.在这里总一下问题和对出现问题的一些原因做一些分析.个人知识有限,很多地方思虑难免有所不足,希望能够与网上各位一起学习交流. 目前我们一般将H桥驱动当作电机或步进电机的驱动,如下图1所示,要做好驱动电路,必须得了解清楚MOSFET的一些原理,才不会出错.  图1 H桥全桥

Install KVM Windows virtio para-virtualized dirver If you can't read Chinese, there's an English version on the Internet, click Here 本文测试环境: KVM主机: sl6(Scientific Linux 6). 虚拟机: (win2k3)Windows Server 2003. 安装半虚拟化驱动有助于提高网络和IO性能,下面我们来看看如何在sl6下为win2k3安

低端功率开关驱动电路的工作原理 低端功率开关驱动的原理非常简单,就是负载一端直接和电源正端相连,另外一端直接和开关管相连,正常情况下,没有控制信号的时候,开关管不导通,负载中没有电流流过,即负载处于断电状态:反之,如果控制信号有效的时候,打开开关管,于是电流从电源正端经过负载,然后经过功率开关流出,负载进入通电状态,从而产生响应的动作.基本的驱动原理图如图所示. 一般现在采用的开关功率管为N型MOSFET,N型MOSFET的优点是驱动采用电压驱动,驱动电流很小,驱动功耗低,而且工作频率可以很高,

可能无法完全导通,电流可能过小使导通所需时间变长,最终导致发热严重       回复 举报     csaaa DIY七级 3# 发表于 2016-7-12 14:11:59 直接驱动mos也没什么问题啊.但要满足mos的使用条件啊.你这问题没头没尾没图没条件没型号没电压谁知道为什么呢.     回复 举报     languifan DIY五级 4# 发表于 2016-7-12 16:25:36 MOD管的开启电压很高,一般的IC驱动电压没那么高.     回复 举报     老愚童63 DI

1.判断二极管是否击穿 2.判断mos管是否烧坏 直接用声音档,发出响声说明击穿了 3.测试二极管的正负极方法 将万用表调到二极管档 1.信号发生芯片周围的电阻 2.反馈部分的电阻 3.实验准备部分: 示波器的探头勾在mos管的栅极上 15V输出部分加上25R电阻的负载 板子外部加上15VDC给两个芯片供电 3.实验现象 1)再输入电压很低的时候,开关管的频率在108khz左右 2)当输入电压达到180VAC时,输出电压稳定在15V左右,输入电压继续上升,输出电压还是稳定在15V,不过这个时候开

点击打开链接 内容来自以下博客: http://blog.csdn.net/qianjin0703/article/details/5918041 Linux设备驱动子系统第二弹 - SD卡 (有介绍SD卡硬件)http://blog.csdn.net/wavemcu/article/details/7366852     linux2.6内核SD Card Driver详细解析之一http://blog.chinaunix.net/uid-147915-id-3063162.html     

下载网站 Downloads - KVM http://www.linux-kvm.org/page/Downloads yum 安装: [root@kvm-server ~]# wget https://fedorapeople.org/groups/virt/virtio-win/virtio-win.repo \ > -O /etc/yum.repos.d/virtio-win.repo --2019-03-10 18:16:16-- https://fedorapeople.org/gr

了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管.NMOS做下管比较方便.使用PMOS做下管.NMOS做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用. 下面先了解MOS管的开通/关断原理,请看下图: NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高):而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比G电位高),下面以导通压差6V为例. NMOS管 使用NMOS当下管,S极直接接

目录SAIU R20 1 6 第1页第1 章. 初识STM32...................................................................................................................... 11.1. 课前预习..........................................................................................

                                           高级定时器 初识stm32高级定时器:      (1)高级控制定时器(TIM1 和 TIM8)和通用定时器在基本定时器的基础上引入了外部引脚,可以实现输入捕获和输出比较功能.      (2)高级控制定时器比通用定时器增加了可编程死区互补输出.重复计数器.带刹车(断路)功能,这些功能都是针对工业电机控制方面.      (3)高级控制定时器时基单元包含:                            

第32章     TIM—高级定时器 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx 中文参考手册>.<STM32F4xx规格书>.库帮助文档<stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm>. 学习本章时,配合<STM32F4xx 中文参考手册>高级定时器章节一起阅读,效果会更佳,

1  序言 相信对云台有兴趣的小伙伴对STorM32 BGC这块云台控制板并不陌生,虽说这块控制板的软件已经不再开源,但是在GitHub上依旧可以找到两三个版本的代码,而硬件呢我们也可以从Olliw(BGC的作者)的个人网站上找到,我手头上目前由于两个版本的电路图.而这两个电路中的电机驱动电路所使用的控制芯片的型号均为TC4452DF N08,对于我们所购买到的驱动板,其上面所使用的控制芯片为DRV8313.Olliw的电路使用了9块芯片,而使用DRV8313则只需要三片即可.如果想要自己设计主

一. 银燕(XP-12A)电调修理 笔者的电调在使用4S电池时烧毁,其中一个PMOS管明显烧焦. 将其拆除,买来新元件重新焊接,通电依然冒烟了. 引脚定义 丝印662F: XC6206P332MR 低压差稳压器芯片 贴片SOT-23,引脚定义如下: 丝印RKU: RK7002BM 7002 SOT-23 贴片NMOS场效应管,引脚定义如下: 丝印SILF330: C8051F330 SILF330 MLP20单片机,引脚定义如下: AO4407A场效应管,PMOS,引脚定义如下: IRF8736

http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 场效应管种类场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107-1015Ω).噪声小.功耗低.动态

首先对于我这种电源方面的小白来说 关于电源用的最多的就是线性稳压了 开关类的如  TI 的TPS系列  我是只知道应用电路而不知道具体原理的 但是长此以往也不是个办法 于是今天就带打家详细的来讲一下  BUCK BOOST电路的原理 先挂几个连接: 比较粗略的BUCK/BOOST电路的分析 http://tech.hqew.com/fangan_522451 http://blog.csdn.net/u011388550/article/details/23841023 这个还是不错的 http