原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)微电子制造铜金属化的研究进展 Atomic Layer Deposition (ALD) and Chemical Vapor Deposition (CVD) of Copper-based Metallization for Microelectronic Fabrication

ALD技术,相机去噪,图像传感器 1. 作为镜片的防反射涂层技术被关注的ALD(atomic layer deposition)的引入趋势. (a)为什么需要一种新的防止反射的涂层技术? ALD被认为是最有前途的防止反射的涂层技术吗? 原子层沉积(ALD)是将物质以单原子膜形式一层一层镀在基底表面的技术.原子层沉积是化学气相沉积(CVD)的一种,是一种新型薄膜沉积技术,具有成膜均匀性极优.成膜密度极好.薄膜纯度高.台阶覆盖性优.可低温沉积等优点,可以广泛应用在微纳电子.纳米材料制造领域,全球多个

石墨烯(Graphene)是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜,只有一个碳原子厚度的二维材料[1].石墨烯一直被认为是假设性的结构,无法单独稳定存在[1],直至2004年,英国曼彻斯特大学物理学家安德烈·海姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫,成功地在实验中从石墨中分离出石墨烯,而证实它可以单独存在,两人也因“在二维石墨烯材料的开创性实验”为由,共同获得2010年诺贝尔物理学奖[2]. 石墨烯目前是世上最薄却也是最坚硬的纳米材料[3],它几乎是完全透明的,只吸收2.3%的光"[4]:

一沙一世界,一树一菩提,我们这个世界的深邃全部蕴藏于一个个普通的平凡当中.小小的厨房所容纳的不仅仅是人们对味道的情感,更有推动整个世界前进的动力.要想理解我们的世界,有的时候只需要细细品味一下我们所喜爱的美食即可.正因为此,我们才规划了<舌尖上的硬件>这样一个系列栏目.通过对美食的品味和体会,我们可以更好地理解许多硬件相关的原理.内涵甚至是趣闻,我们所需要为此准备的,其实仅仅是一颗平和的心而已. 在上一期的<舌尖上的硬件>栏目中,我们第一次接触到了隐藏在食物背后的其与半导体业界的神

1. 晶圆片 Wafer 晶圆(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片,由于其形状为圆形,故称为晶圆.晶圆是生产集成电路所用的载体,一般意义晶圆多指单晶硅圆片. 半导体行业从图1到图2,是一个所谓为的“点石成金”的行业:      这就是现实版的炼金术师,当然最完美的炼金成品的背后是最优美的炼金配方.半导体制造也是如此,我们先从半导体的基底材料的制作谈起.基底制造又以以硅晶圆片为例,它的制造经过了一下几个过程: 二氧化硅 ——> 粗硅 ——> 多晶硅 ——> 单晶硅 ——>

基于4H-SIC的先进集成电路用n型LDMOS晶体管 摘要: 通过对具有不同的设计方式的具有减小的表面电场的横向4H-SIC-N型-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管进行测量和模拟,得到了得出了不同的设计情况下集成电路中的电气行为.在p型参杂的外延层中制作一个额外n型区域从而形成漂移区,这促进了减小表面电场并因此增强了击穿能力.已有功率MOSFET的设计规则可与现有的20伏特4H-SIC的CMOS工艺技术兼容.额外植入的减小表面电场区域在深度大约为390纳米处为3.5×1012cm2.

PVD与CVD性能比较 CVD定义: 通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程. CVD技术特点: 具有淀积温度低.薄膜成分和厚度易于控制.均匀性和重复性好.台阶覆盖优良.适用范围广.设备简单等一系列优点. CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜,例如掺杂或不掺杂的SiO2.多晶硅.非晶硅.氮化硅.金属(钨.钼)等. 影响台阶覆盖性的关键在于气相沉积技术的"绕镀性". 气相沉积技术按照其原理可以分为化学气相沉积(CVD, Chemical Vapor Depo

摄像头PVD和CVD薄膜 在FDP 的生产中,在制作无机薄膜时,可以采用的方法有两种:PVD 和CVD (将VE 和VS 归于PVD ,而ALD 归于CVD). Physical Vapor Deposition (PVD) Physical Vapor Deposition (PVD)称为物理气象沉淀技术.该技术在真空条件下,通过先将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子.分子,或部分电离成离子,通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积,具有某种特殊功能的薄膜的技术. PVD 沉积流程,

ALD和CVD晶体管薄膜技术 现代微处理器内的晶体管非常微小,晶体管中的一些关键薄膜层甚至只有几个原子的厚度,光是英文句点的大小就够容纳一百万个晶体管还绰绰有余.ALD 是使这些极细微结构越来越普遍的一种技术. ALD 工艺直接在芯片表面堆积材料,一次沉积单层薄膜几分之一的厚度,以尽可能生成最薄.最均匀的薄膜.工艺的自限特性以及共形沉积的相关能力,是其成为微缩与 3D 技术推动因素的基础.自限式表面反应让原子级沉积控制成为可能:薄膜厚度仅取决于执行的反应周期数.表面控制会使薄膜保持极佳的共形性和

Semiconductor 导体.绝缘体和半导体主要依据导电系数的大小,决定了电子的移动速度. 导体:金.银.铜.铁.人.水……导电系数大,传导容易 绝缘体:塑料.木头.皮革.纸……导电系数小.传导不容易 半导体:硅中加锗.砷.镓.磷……平时不导电加特定电压后导电 Wafer 芯片或晶圆:原意为法国的松饼,饼干上有格子状的饰纹,与 FAB 内生 产的芯片图形类似. Lot  批:一批芯片中最多可以有 25 片,最少可以只有一片. ID     Identification 的缩写.用以辨识各个独

记者今天从中国科学院金属研究所获悉,该所沈阳材料科学国家(联合)实验室先进炭材料研究部任文才研究组在大尺寸高质量二维过渡族金属碳化物晶体的制备与物性研究方面取得了重要突破.相关成果日前在<自然—材料>杂志上在线发表,并获得同期“新闻与观点”栏目的重点介绍. 研究人员提出了采用上层铜箔/底层钼箔构成的双金属叠片作为生长基体的化学气相沉积(CVD)方法,在高温下通过铜催化裂解甲烷生成的碳原子与扩散到铜表面的钼原子反应生长出高质量的超薄二维Mo2C晶体.这些二维晶体具有规则的几何形状,仅有几纳米厚,

记者今天从中国科学院金属研究所获悉,该所沈阳材料科学国家(联合)实验室先进炭材料研究部任文才研究组在大尺寸高质量二维过渡族金属碳化物晶体的制备与物性研究方面取得了重要突破.相关成果日前在<自然—材料>杂志上在线发表,并获得同期“新闻与观点”栏目的重点介绍. 研究人员提出了采用上层铜箔/底层钼箔构成的双金属叠片作为生长基体的化学气相沉积(CVD)方法,在高温下通过铜催化裂解甲烷生成的碳原子与扩散到铜表面的钼原子反应生长出高质量的超薄二维Mo2C晶体.这些二维晶体具有规则的几何形状,仅有几纳米厚,

文章主体转载自: 1.zol摩尔定律全靠它 CPU光刻技术分析与展望 2.wiki:Extreme ultraviolet lithography 3.ITRS 2012 1. 光刻技术组成和关键点 ● 光刻技术的组成与关键点 光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点,将掩模板上的图形刻制到被加工表面上. 主要组成部分如下: 光源 功率W 波长$ \lambda $ 光学透镜 透射式透镜(248nm.193nm) 反射式透镜(157nm) 掩膜版 由透光的

目录 advanced packaging ASM NEXX ASMPT完成收購NEXX 準備就緒迎接先進半導體封裝之高速增長 Intro Bumping 产品供应 晶圆溅镀– Apollo 300 晶圆电镀– Stratus TM P300 面板电镀– Stratus TM P500 Fan out 产品供应 RF filter Product Offering Amicra 狂砸81亿港元,TCL为什么要打ASM太平洋的主意? advanced packaging Here we take

ALD技术产品形态 原子层沉积研究设备 TFS 200是适合科学研究和企业研发的最灵活的ALD平台.倍耐克 TFS 200专门设计用于多用户研究环境中把可能发生的交叉污染降至最低. 大量的可用选项和升级意味着倍耐克TFS 200将与一起成长,以满足最高要求的研究需求. 倍耐克TFS 200不仅可以在平面物体上镀膜,而且还适用于粉末,颗粒,疏松多孔的基体材料,或是有较高深宽比的复杂的三维物体. 直接和远程等离子体沉积(PEALD)可以作为TFS 200的标准选项. 离子体是工业化标准的电容性耦合等

CVD和ALD薄膜沉积技术应用领域 显示 用于OLED.QD-OLED.甚至未来QLED的薄膜封装,通过有机/无机叠层结构的保护,水汽渗透率WVTR可降至10-5g/m2/day,保证OLED或者量子点发光材料的稳定.另外量子点光学膜QDEF也需要WVTR小于0.1的阻隔膜,保护量子点不受水氧破坏. 微电子 在包括miniLED.microLED.MMIC(Monolithic microwave integrated circuit单片微波集成电路)在内的微电子封装领域,越来越多的研究表明,使

CVD-ALD前驱体材料 ALD前驱体源瓶特点是什么   ALD前驱体源瓶(起泡器)用于固态.液态及气态超纯物料类的封装,涉及微正压.常压.中低压的危险化学品,对源瓶的安全性和洁净度提出严苛的要求. ALD前驱体源瓶特点: 所有管件采用316L不锈钢,内部经400目机械抛光和电化学抛光,Ra≦0.25微米: 阀门有美国世伟洛克球阀和隔膜阀.日本富士金隔膜阀和韩国TK隔膜阀供选择: 密封垫片选用纯银镀镍垫片: 氦质谱检测泄漏率≦1.0*10-10mbar L/s: 可盛装化学品纯度≧99.9995

这部分数字逻辑课上老师在讲CMOS部分时有讲过,当时在课堂上放了一个全英的视频,没怎么看懂,现在在研究计算机系统,自底层说起,也得从这讲起. 主要参考: <嵌入式C语言自我素养> b站相关科普视频(文中给出链接) 00 从沙子到单晶硅 在所有的半导体材料中,目前只有硅在集成电路中大规模应用:在自然界中,Si是含量第二丰富的元素,如沙子中就含大量二氧化硅. 还记得高中化学必修一的内容吗?从沙子中提取高精度硅: 这时我们得到的是多晶硅,我们将多晶硅放入高温反应炉中融化,通过拉晶做出单晶硅棒(单晶硅

 泰格老虎 2013-03-07 00:39:10 这是海恒CEO高鹏写的一篇国内app快速生成平台对比文章,介绍了国内快速生成APP的平台与自己平台的对比,很有参考价值. 同类网站 安米网 http://www.appbyme.org/追信 http://app.zhui.cn/简网app工厂 http://app.cutt.com/app华高科技 http://www.wacosoft.cn/cn/products/macp.html掌信通 http://app.m.cn/ http://w

GCC,LLVM,Clang编译器对比   转自: http://www.cnblogs.com/qoakzmxncb/archive/2013/04/18/3029105.html 在XCode中,我们经常会看到这些编译选项(如下图),有些人可能会有些茫然,本文将对GCC4.2.LLVM GCC 4.2.LLVM compliler 2.0三个编译选项进行一个详细的介绍. GCC GCC(GNU Compiler Collection,GNU编译器套装),是一套由 GNU 开发的编程语言编译器