转载自:http://wenku.baidu.com/view/b17d73244b35eefdc8d333ab.html RAM(随机存储器)可以分为SRAM(静态随机存储器)和DRAM(动态随机存储器).我们经常说的电脑内存条指的是DRAM,而SRAM接触的相对要少(像大部分的FPGA就是基于SRAM工艺的). SRAM:静态RAM SRAM(Static Random Access Memory,静态随机存储器),它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据. 优

实验现象: 核心代码: module DUAL_PORT_RAM( input CLK_12M, inout WR, input RD, input CS0, :]A, :]DB, output FPGA_LEDR, output FPGA_LEDG, output FPGA_LEDB ); //-------------------------------rst_n---------------------------------// reg rst_n; :]cnt_rst; always@

本次设计源码地址:http://download.csdn.net/detail/noticeable/9914173 实验现象:通过串口将数据发送到FPGA 中,通过quartus II 提供的in system memory content editor 工具查看RAM中接收到的数据,当需要是,按下按键KEY0,将FPGA 的RAM 中存储的数据通过串口发送出去. 知识点: (1)存储器IP核的使用(2)in system memory content editor 内存查看工具的使用 系统

在FPGA设计过程中,使用好双口RAM,也是提高效率的一种方法. 官方将双口RAM分为简单双口RAM和真双口RAM. 简单双口RAM只有一个写端口,一个读端口. 真双口RAM分别有两个写端口和两个读端口. 无论是简单双口RAM还是真双口RAM,在没有读操作的情况下,应将读使能rden信号拉成低电平,节省功耗. 在两种情况下,都应当避免read-during-write,虽然可在软件中进行设置,但是,作为设计者,应当尽量避免此种情况. 对于真双口RAM,还应当避免两个读端口或者两个写端口同时操作同

打开 IP Catalog,搜索 Block Memory Generator,即可看到其 Memory Type 可分为 5 中,分别是单口 RAM(Single Port RAM).伪双口 RAM(Simple Dual Port RAM).真双口 RAM(True Dual Port RAM).单口 ROM(Single Port ROM).双口 ROM(Dual Port ROM). 单口 RAM 与伪双口 RAM.真双口 RAM 的区别在于: 单口 RAM 只有一个时钟(clka)(时

硬件环境:ARM+FPGA通过FMC互联,STM32F767和 EP4CE15F23I7 FMC设置,STM的系统时钟HCLK为216MHz /* FMC initialization function */ void MX_FMC_Init(void) { FMC_NORSRAM_TimingTypeDef Timing; /** Perform the NOR1 memory initialization sequence */ hnor1.Instance = FMC_NORSRAM_DE

单口与双口的区别在于,单口只有一组数据线与地址线,因此读写不能同时进行.而双口有两组数据线与地址线,读写可同时进行.FIFO读写可同时进行,可以看作是双口.    双口RAM分伪双口RAM(Xilinx称为Simple two-dual RAM)与双口RAM(Xilinx称为true two-dual RAM).伪双口RAM,一个端口只读,另一个端口只写:而双口RAM两个端口都可以读写.    FIFO也是一个端口只读,另一个端口只写.FIFO与伪双口RAM的区别在于,FIFO为先入先出,没有地

实验现象: 核心代码: int main(void) { /* USER CODE BEGIN 1 */ int i; int address,data; ; ]; ]; char *p; /* USER CODE END 1 */ /* MCU Configuration----------------------------------------------------------*/ /* Reset of all peripherals, Initializes the Flash i

// Quartus II Verilog Template// Simple Dual Port RAM with separate read/write addresses and// single read/write clock module simple_dual_port_ram_single_clock#(parameter DATA_WIDTH=8, parameter ADDR_WIDTH=6)( input [(DATA_WIDTH-1):0] data, input [(A

下面我们进入双端口RAM和多模块存储器的学习.这是提高我们的存储器的访存速度的一些措施. 我们之前已经讲过我们的主存和CPU是进行连接的,那么这就导致了一个问题就是说,随着我们现代科技的发展,计算机的应用领域在不断地扩大,我们所处理的信息量呢也越来越多,所以呢我们的CPU的功能在不断地加强,我们主存的这样一个容量也在不断地扩大,这就导致了一个问题就是说我们的CPU的速度和我们的主存速度是不匹配的,CPU的速度的增长是一个指数级别的增长,而主存的速度的增长只是一个线性的一个增长.所以,我们现在要解

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实验现象: 写RAM命令格式:write:地址(0-255),数据(0-65535)\cr\lf 读RAM命令格式:read:地址(0-255)\cr\lf 核心代码: int main(void) { /* USER CODE BEGIN 1 */ int i; int address,data; ; ]; ]; char *p; /* USER CODE END 1 */ /* MCU Configuration----------------------------------------

实验现象: 核心代码: module single_port_ram( input CLK_12M, input WR, input RD, input CS0, inout [:]DB, input [:]A, output FPGA_LEDR, output FPGA_LEDG, output FPGA_LEDB ); //----------------------------pll-------------------------------// /*实例化MY_PLL模块,输出48M时

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一. RAM 分类XILINX 的 RAM 可分为三种,分别是:单口 RAM,简化双口 RAM 和真双口 RAM.如下 图所示: 图1 单口 RAM 图2 简化双口 RAM A 口写入数据,B 口读数据 图3 真双口 RAM A,B 任意一个口都可以读写数据,可从 A 写入,B 读数据 二.选择数据位宽和深度Block RAM 的数据位宽为 1-1152bit,深度取决于所选择 FPGA 器件中 block 的数量.超出地址范围之外的写操作,写进去的数据不会与存储器件中的数据冲突. 读超出地址范

先加点自己的总结:真双口RAM可以在任意时间访问任意地址,两个端口的地址是一样的,即共享内存和地址.这就会带来一个问题:同时读写一个地址会发生冲突.基于这个点矛盾就要设置限制条件,这个在Xilinx IP core中会设置,在RTL中也可以通过控制相应的使能端,进而控制不同时读写一个地址,详情参见,Xilinx官方文档UG383中Conflict Avoidance部分和PG058. 一. RAM 分类 XILINX 的 RAM 可分为三种,分别是:单口 RAM,简化双口 RAM 和真双口 RA

首先构建SOPC系统,先分别添加两个CPU,分别命名为CPU1和CPU2,设置如下图,其中CPU1运行VGA的乒乓游戏,CPU2运行音乐,这里为了简单,音乐用LED来表示. 这里CPU1选择是中等容量的CPU,其他后面的选项为默认,注意:Reset Vector从0X0开始,Exception Vector从0X20开始.由于笔者板子上带的是EPCS4,容量有限,所以这里都从SDRAM启动,也就是不能固化程序了. 这里CPU2选择是最小容量的CPU,其他后面的选项为默认,注意:Reset Vec

1.altera 提供了两种rom :单口rom和双口rom. 官方文档偷图: 单口rom:输出可以配置寄存器寄存再输出,时钟可以输入输出用不同的时钟. 双口rom:输入输出时钟可不同或者A与B的时钟可不同.输出可寄存. 2.altera 提供了两种ram :单口ram和双口ram.双口ram又分为伪双口ram和真双口ram. 官方文档偷图: 单口ram:读写共用地址线. 伪双口ram:可同时读写,读用读的地址,写用写的地址.避免同时对同一地址单元读写. 真双口ram:两个端口均可读写. 单口r

(1)单口RAM 1.无读使能rden信号的ModelSim功能仿真: 在不使用读使能rden信号的情况下,单口RAM仿真结果表明: 1.写使能wren为高时,写数据操作有效: 2.写使能wren为低时,读数据操作有效: 3.写有效(高)时,输出端q输出为刚写入的数据: 4.一般选择输出寄存一拍. 2.有读使能rden信号的ModelSim功能仿真: 在使用读使能rden信号的情况下,单口RAM仿真结果表明: 1.读使能rdren为高时,读数据操作有效: 2.写有效(高)时,读使能信号为低,则输

1.RAM——随机存取存储器, 分为SRAM和DRAM. SRAM:存和取得速度快,操作简单.然而,成本高,很难做到很大.FPGA的片内存储器,就是一种SRAM,用来存放程序,以及程序执行过程中,产生的中间数据.运算结果等: DRAM:与SRAM特点相反,但速度慢只是相对SRAM慢,其实也算是很快了,比如DDR3,DDR4: 2.Altern的RAM ip核,在生成时,可以选择单还是双口RAM,如果是单端口RAM,那么同一时间只能对同一个地址进行读or写:而如果是双口RAM,那么可以在同一时间读