二极管反向恢复时会产生浪涌电压,这里RC主要是吸收二极管D1产生的浪涌电压,防止二极管损坏. 寄生电容:寄生电容一般是指电感,电阻,芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性.实际上,一个电阻等效于一个电容,一个电感,和一个电阻的串联,在低频情况下表现不是很明显,而在高频情况下,等效值会增大,不能忽略.在计算中我们要考虑进去.ESL就是等效电感,ESR就是等效电阻.不管是电阻,电容,电感,还是二极管,三极管,MOS管,还有IC,在高频的情况下我们都要考虑到它们的等效电容值,电感值. 浪涌电压:电路

作者:BakerZhang 链接:https://www.jianshu.com/p/3ac3a29b0f58来源:简书 感谢! —————————————————————————————————————————————— 第一部分:上拉电阻&下拉电阻 文章摘自:http://www.360doc.com/content/16/0315/06/29864439_542282998.shtml 是不是经常听别人讲,加个上拉电阻试试看,加个下拉电阻试试看,是不是还在疑惑上下拉电阻是什么,该怎么用,什

稳压二极管 稳压二极管利用的特性是:二极管被反向击穿之后,随着电流的变化,稳压二极管两端电压维持不变的特性: 普通二极管反向击穿后就坏了,但是稳压二极管却可以恢复,而且在被击穿后处在正常的工作状态: 稳压二极管两端的反向电压低于击穿电压时,稳压二极管呈现高电阻状态,但是一旦其两端的电压超过击穿电压,稳压二极管的电阻就变得非常小,并且瞬间电流急剧增大: 稳压二极管的正向特性和普通二极管一样: 稳压二极管一般功率都不高,大约也就是1W或者2W,电流也在毫安级别,下面是稳压二极管在阻容降压电路中的应用

6.3 变压器隔离 在许多应用场合中,期望将变压器结合到开关变换器中,从而在变换器的输入输出之间形成直流隔离.例如,在离线(off-line)应用中(变换器输入连接到交流公用系统),根据监管部门要求,需要隔离.在这些情况下,只需要在变换器的交流输入端连接一个50Hz或者60Hz的变压器即可获得隔离.但由于变压器的尺寸和重量随频率成反比,因此通过将变压器并入变换器中恶意实现显著的改进, 使得变压器以数十或者百KHz频率工作. 当需要较大的升压或者降压变换比时,使用变压器可以优化变换器.通过合适的变

漏极开路上拉电阻取值为何不能很大或很小? 如果上拉电阻值过小,Vcc灌入端口的电流(Ic)将较大,这样会导致MOS管V2(三极管)不完全导通(Ib*β<Ic),有饱和状态变成放大状态,这样端口输出的低电平值增大(I2C协议规定,端口输出低电平的最高允许值为0.4V)       如果上拉电阻过大,加上线上的总线电容,由于RC影响,会带来上升时间的增大(下降延是芯片内的晶体管,是有源驱动,速度较快:上升延是无源的外接电阻,速度慢),而且上拉电阻过大,即引起输出阻抗的增大,当输出阻抗和负载的阻抗可以

本文为我负责编写的电子工业出版社出版的<嵌入式系统原理与接口技术>一书第七章部分,这里整理的仍然是修改稿,供需要的同学参考,本书为普通高等教育"十二五"规划教材,电子信息科学与工程专业规划教材,如果你对本书的内容感兴趣,可以通过各渠道购买. 由于博客排版比较麻烦,部分地方可能还有点混乱,后续的电子版整理可以关注本博客,也欢迎各位针对书中内容提出建议或意见.   第7章 嵌入式系统接口应用基础 7.1嵌入式系统的接口类型 根据数据的通信形式,嵌入式系统接口可以分为串行数据传输

参数设置相邻导线间距必须能满足电气安全要求 印制线的长度和宽度会影响其阻抗和感抗 尽量加粗接地线若接地线很细 按照电路的流程安排各个功能电路单元的位置 在任何开关电源设计中,pcb板的物理设计都是最后一个环节,如果设计方法不当,pcb可能会辐射过多的电磁干扰,造成电源工作不稳定,以下针对各个步骤中所需注意的事项进行分析: 一.从原理图到pcb的设计流程建立元件参数->输入原理网表->设计参数设置->手工布局->手工布线->验证设计->复查->cam输出. 二.参数

基于6575平台: GPIO驱动程序提供了两个接口: (1)内核空间:所提供的GPIO驱动程序,驱动程序可以调用其他函数 (2)用户空间:用户空间的程序可以通过发送IOCTL   /dev/ mtgpio的操作GPIO GPIO_PIN 枚举所有的GPIO引脚.它将被用于在每个gpio驱动 查看文本打印? typedef enum GPIO_PIN { GPIO_UNSUPPORTED = -1, GPIO0  , GPIO1  , GPIO2  , GPIO3  , GPIO4  , GPIO

分立元件门电路虽然结构简单,但是存在着体积大.工作可靠性差.工作速度慢等许多缺点.1961年美国德克萨斯仪器公司率先将数字电路的元器件和连线制作在同一硅片上,制成了集成电路.由于集成电路体积小.质量轻.工作可靠,因而在大多数领域迅速取代了分立元件电路.随着集成电路制作工艺的发展,集成电路的集成度越来越高. TTL信号是数字信号.CMOS传输门(Transmission Gate)是一种既可以传送数字信号又可以传输模拟信号的可控开关电路. 按照集成度的高低,将集成电路分为小规模集成电路.中规模集成

/**************************************************************************//** * @file main.c * @version V3.00 * $Revision: 3 $ * $Date: 15/09/02 10:03a $ * @brief Demonstrate how to set GPIO pin mode and use pin data input/output control. 演示如何设置GPI

1.判断二极管是否击穿 2.判断mos管是否烧坏 直接用声音档,发出响声说明击穿了 3.测试二极管的正负极方法 将万用表调到二极管档 1.信号发生芯片周围的电阻 2.反馈部分的电阻 3.实验准备部分: 示波器的探头勾在mos管的栅极上 15V输出部分加上25R电阻的负载 板子外部加上15VDC给两个芯片供电 3.实验现象 1)再输入电压很低的时候,开关管的频率在108khz左右 2)当输入电压达到180VAC时,输出电压稳定在15V左右,输入电压继续上升,输出电压还是稳定在15V,不过这个时候开

4.3 开关损耗/4.4 小结 使用半导体器件实现开关后,我们现在可以讨论变换器中损耗和低效的另一个主要来源:开关损耗.如前所述,半导体器件的导通和关断转换需要几十纳秒到几微秒的时间.在这些开关转换期间,半导体器件中可能会出现非常大的瞬时功率损耗.尽管半导体开关时间很短,产生的平均功率损失也可能很大. 半导体器件是由电荷控制的.例如,MOSFET的导电状态由其栅极和沟道中的电荷决定,硅二极管或BJT的导电状态由器件内部半导体结附近存储的少数电荷的存在与否决定.为了在开和关状态之间切换半导体器件,

1 – 引言 首先让我们看下这个项目要考虑到的问题: .)使用100%Arduino兼容性硬件 .)保证存储器足够大可以装下大量的稍后会扩展的新内容 .)电量最少够1天用 .)BLE既是中枢设备又是外围设备 .)体积足够小 接下来的几页都是如何建造一个开源的手表!(这个版本是最初版本,所以之后的内容会有所更改来改进设计!) 这个项目非常耗时,既需要耐心又需要坚定的决心完成细致的焊接项目(小电线是不是非常有趣呢?) 这张图片是完成版的手表 2 – 零配件和工具 1.)Microduino Core

BOOST升压电路中:      电感的作用:是将电能和磁场能相互转换的能量转换器件,当MOS开关管闭合后,电感将电能转换为磁场能储存起来,当MOS断开后电感将储存的磁场能转换为电场能,且这个能量在和输入电源电压叠加后通过二极管和电容的滤波后得到平滑的直流电压提供给负载,由于这个电压是输入电源电压和电感的磁砀能转换为电能的叠加后形成的,所以输出电压高于输入电压,既升压过程的完成:     肖特基二极管主要起隔离作用,即在MOS开关管闭合时,肖特基二极管的正极电压比负极电压低,此时二极管反偏截止,

一. 软件平台与硬件平台 软件平台: 1.操作系统:Windows-8.1 2.开发套件:无 3.仿真工具:无 硬件平台: 1. FPGA型号:无 2. DDR3型号:无 二. 存储器的分类 存储器一般来说可以分为内部存储器(内存),外部存储器(外存),缓冲存储器(缓存)以及闪存这几个大类.内存也称为主存储器,位于系统主机板上,可以同CPU直接进行信息交换.其主要特点是:运行速度快,容量小.外存也称为辅助存储器,不能与CPU之间直接进行信息交换.其主要特点是:存取速度相对内存要慢得多,存储容量大

ODT ( On-DieTermination ,片内终结)ODT 也是 DDR2 相对于 DDR1 的关键技术突破,所谓的终结(端接),就是让信号被电路的终端吸 收掉,而不会在电路上形成反射, 造成对后面信号的影响. 顾名思义, ODT 就是将端接电阻移植 到了芯片内部,主板上不再有端接电路.在进入DDR 时代, DDR 内存对工作环境提出更高的要求,如 果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象, 就会对后面信号的影响造成 运算出错.因此目前支持DDR主板都是通过采用终结

个人观点总结 对TTL和CMOS门电路的认识: 1.构成 TTL集成电路一般都是有三极管(或二极管)和电阻.电容构成,其中三极管(二极管)是作为主要的开关器件 CMOS集成电路一般是由场效应管和电阻.电容构成,其中场效应管作为主要的开关器件   2.  功耗 TTL电路功耗远大于CMOS电路的功耗,所以一般来说TTL电路很难实现大规模集成电路(LSI).这是TTL的一个最大的缺点,也是CMOS广泛被采用的 一个理由.但TTL电路响应速度快 3.防护 CMOS电路容易被静电电压损坏,需要考虑对其的

http://www.daxia.com/bibis/moredata30_1207792_29862.shtml 图中DA和PWM任选其一, 当DA或PWM输出为0~1.25V时,输出在12.5V~5V之间可调.实际上,DA输出到1.875V时,输出可以调至1.25V 将3K电阻改成7.68K,可以输出到1.25~30V MG_wmj,2576内部的参考电压1.23V跟外面的DA电压及Vout电压之间怎讲计算的??另外,如果用DA的话,PWM及运放电路可以去掉吗? VOUT=((Vref/R1

在本文中,我们将使用Arduino开发板制作一个交流电压测量装置,测量我们家中交流电源的电压.我们将在Arduino IDE的串行监视器上打印输出该电压,并在万用表上显示出来. 制作数字电压表比模拟电压更容易一些,因为在制作模拟电压表时,您必须具备一些物理参数的知识,如扭矩.摩擦损耗等.然而在制作数字电压表时,您只需使用LCD或LED矩阵或甚至你的笔记本电脑打印输出电压值即可. 所需的元件 ●  一个220-12变压器 ●   1N4007二极管 ●   1uf电容 ●   10k和4.7K电阻

中断,GPIO,I2C等一般都是OC或者OD门,芯片内部无上拉电阻时,则外部必须加上拉电阻才能输出高电平.一般I/O端的驱动能力在2-4mA量级,OC或者OD门的导通电压为0.4V左右,手机中加在上拉电阻上的电压一般都是2.8V,上拉电阻的最小值不能低于800R(2.8-0.4V/3mA=0.8K),5V电压时,则不能低于1.5K(5-0.4V/3mA=1.5K).中断和GPIO信号本身,只需要产生一个高电平即可,不需要驱动设备,上拉电阻可以取大点,减小功耗,但须注意上拉电阻不能太大,否则会和P