场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压.一般2V-4V就可以了.    但是,场效应管分为增强型(常开型)和耗尽型(常闭型),增强型的管子是需要加电压才能导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止.    开关只有两种状态通和断,三极管和场效应管工作有三种状态,1.截止,2.线性放大,3.饱和(基极电流继续增加而集电极电流不再增加).使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路,一般以晶体管截止

原文地址点击这里: 在前一节,我们对PMOS与NMOS两种增强型场效应管的开关电路作了详细的介绍, 并且还提到过一种广为流传的说法:相对于NMOS管,PMOS管的沟道导通电阻更大.速度更慢.成本更高等,虾米情况?我们还是从头说起吧! 如果读者有一定的电子技术应用经验的话,对NMOS管开关电路的使用场合肯定是如数家珍,几乎所有的开关电源拓扑都偏向于使用NMOS管(而不是PMOS管),如正激.反激.推挽.半桥.全桥等拓扑,NMOS管的应用电路案例真心不要太多,如下图所示(当然,这些也并不全是完全独立

pc线路板是有导电功能的,那么如何仅适用手工计算出线路的阻值能?那么就需要使用到一个公式: W*R*T=6000 W是指铜箔的宽度单位是密耳mil. T是指铜箔厚度单位是盎司oz. R是指铜箔的电阻单位是mΩ/ft. 6000是常数不变量. 根据这个公式就可以计算出横切面积内铜箔的电阻值.其中1oz=35um,当铜箔被蚀刻成线路的时候,这个时候只要将所要计算阻值的线路测量出宽度和长度就可以计算出线路的阻值是多少.

电子设备中使用着大量各种类型的电子元器件,设备发生故障大多是由于电子元器件失效或损坏引起的.因此怎么正确检测电子元器件就显得尤其重要,这也是电子维修人员必须掌握的技能.我在电器维修中积累了部分常见电子元器件检测经验和技巧,供大家参考. 1．测整流电桥各脚的极性 万用表置R×1k挡,黑表笔接桥堆的任意引脚,红表笔先后测其余三只脚,如果读数均为无穷大,则黑表笔所接为桥堆的输出正极,如果读数为4-10kΩ,则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极,其余的两引脚为桥堆的交流输入端. 使用数字万用表时只需将档位打

按常规,在51端口(P1.P2.P3)某位用作输入时,必须先向对应的锁存器写入1,使FET截止.一般情况是这样,也有例外.所谓IO口内部与电源相连的上拉电阻而非一常规线性电阻,实质上,该电阻是由两个场效应管并联在一起:一个FET为负载管,其阻值固定:另一个FET可工作在导通或截止两种状态(姑且叫可变FET).使其总电阻值变化近似为0或阻值较大(20千欧--40千欧)两种情况.当和端口锁存器相连的FET由导通至截止时,该阻值近似为0,可将引脚快速上拉至高电平:当和锁存器相连的FET由截止至导通时,

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

一.TTL集成门电路的结构1.总体结构 所谓TTL就是transistor transistor logic,就是说是由晶体管和晶体管之间构成电路. 2.    TTL集成门电路典型输入级形式 1)二极管与门输入 2)二极管或门输入 3)单发射级输入 跟随输入的同相关系 钳位二极管VD:左下角并有二极管,既抑制输入端可能出现的负极性干扰脉冲,又可以防止输入电压为负时,VT的发射极电流过大,起保护作用. 电路中经常有干扰信号,当A端出现了一个比较大的负极性脉冲的干扰信号,假设有-20V,那么压降V

16楼说得非常明白,补充一点,R3如果不要,会有下冲产生.4 Q: Z/ G  G1 s8 Z- } 能解释下为什么会产生过冲吗?9 i, P* D* X) u. t/ b  ^ 让我们这些菜鸟学习学习         回复 支持 反对 举报   EDA365微信号及QQ群号! tyongfeng18 0 主题 3 帖子 83 积分 二级会员(20) 积分 83 发消息 32#   发表于 2012-7-31 13:51 | 只看该作者 当电压12V输入的时候,D2没拿掉为好.       回复

0.小叙闲言 最开始学习三极管的时候,很注重它的工作原理,后来到了实际应用,就直接把三极管或MOSFET直接当作一个开关器件使用.直到前这几天,接触到MOSFET组成的H桥驱动电路时,发现它纯当作一个开关器件来看,会出现许多问题.在这里总一下问题和对出现问题的一些原因做一些分析.个人知识有限,很多地方思虑难免有所不足,希望能够与网上各位一起学习交流. 目前我们一般将H桥驱动当作电机或步进电机的驱动,如下图1所示,要做好驱动电路,必须得了解清楚MOSFET的一些原理,才不会出错.  图1 H桥全桥

实际工程应用中常用的MOS管电路(以笔记本主板经典电路为例): 学到实际系统中用到的开关电路模块以及MOS管非常重要的隔离电路(结合IIC的数据手册和笔记本主板应用电路): MOS管寄生体二极管,极性判断?** 1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流:而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流.MOSFET管是FET的一种,可以被制造为增强型或者耗尽型,P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增

了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管.NMOS做下管比较方便.使用PMOS做下管.NMOS做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用. 下面先了解MOS管的开通/关断原理,请看下图: NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高):而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比G电位高),下面以导通压差6V为例. NMOS管 使用NMOS当下管,S极直接接

Part01:Buck电路工作原理: 图1-1 Buck电路拓扑结构 Buck电路的拓扑结构如图1-1所示: (1) input接输入电源,既直流电动势: (2) IGBT1为开关管,可以选择以全控型开关管为主,对于高频状态多使用MOSFET,对于高电压状态,多采用IGBT(MOSFET或者IGBT由Buck电路具体工作情况决定).Buck变换器又称降压变换器,通过控制input侧直流电动势的供电与断电实现输出测的降压.开关管的控制方式根据控制信号的不同主要又分为以下三种方式: a) 脉冲调制型

555定时器(Timer)因内部有3个5K欧姆分压电阻而得名,是一种多用途的模数混合集成电路,它能方便地组成施密特触发器.单稳态触发器与多谐振荡器,而且成本低,性能可靠,在各种领域获得了广泛的应用. 其原理框图如下图所示: 其中,第2脚TRIG(Trigger)为外部低电平信号触发端,第5脚为CONT(Control)为电压控制端,可通过外接电压来改变内部两个比较器的基准电压,不使用时应将该引脚串入0.01u电容接地以防止干扰.第6脚THRES(Threshold)为高电平触发端,第7脚DISC

区别: 1.MOS管损耗比三极管小,导通后压降理论上为0. 2.MOS管为电压驱动型,只需要给电压即可,意思是即便串入一个100K的电阻,只要电压够,MOS管还是能够导通. 3.MOS管的温度特性要比三极管好. MOS管比三极管最大的有点是所需的驱动功率小,用MOS管做电源驱动时,只需要一个驱动电压信号即可,就可以控制很大的电源电流了(几安培到几十安培),控制很方便,如果用三极管,需要几级推动电路,将控制电流逐步加大,也就是多级放大,常见的方式是达林顿电路,这样在设计电路时就很繁琐了,调试也费劲

学点啥系列之 --STM32F103ZET6 核心板制作指引 原创资料,转载请联系 作者的话:会画stm32F103ZET6的话,rct6啥的简直不要太简单 一.电路总览 图1:电路整体 二.单片机部分 要做一块核心板,首先要搞清楚自己想在这块板子上加啥东西. 依照思路,一块单片机最小系统,应该要有电源(三处讲).单片机本身.复位电路以及时钟电路. 我们先从单片机本身入手,如图 2 所示,是本次的主角,STM32F103ZET6 图2:STM32F103ZET6 翻开数据手册,查一下,如图 3:

转自:http://www.elecfans.com/dianlutu/dianyuandianlu/20180511675801.html USB充电器套件,又名MP3/MP4充电器,输入AC160-240V,50/60Hz,额定输出:DC5V. 250mA(标签贴纸为500mA,如果要长期输出更大电流,请更换Q1为13003).MP3和MP4在全国范围大量流行,不过作为日常用品的充电器由于直接和220V高压相连,具有故障率较高,容易损坏的特点,特别是买到那些不成熟的产品后,真是苦不看言. 下

http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 场效应管种类场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107-1015Ω).噪声小.功耗低.动态

场效应晶体管(Field Effect Transistor, FET)简称场效应管,是一种由多数载流子参与导电的半导体器件,也称为单极型晶体管,它主要分型场效应管(Junction FET, JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide Semiconductor FET,MOSFET),属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高.噪声小.功耗低.动态范围大.易于集成.无二次击穿现象.安全工作范围宽等优点. 本节我们讲解一下N沟道增强型MOS场效应管,其基本结构如下图所示: 如

晶体三极管分为NPN和PNP型两种结构形式,除了电源极性的不同工作原理是大致相同的.对于NPN管,它是由2块N型半导体夹着一块P型半导体所组成的,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区所形成的PN结称为集电结,三条引线分别为发射极(Emitter).基极(Base)和集电极c(Collector).b点电压高于e点电压时,发射结正偏,而当c点电压高于b点电压时,集电结反偏,集电结电源要高于基极电源.由于在制造过程中,发射区的自由电子浓度要多于集电区的电子浓度,因此在正偏电压下,自

  推荐文章:PCBA大讲堂:用数据比较OSP及ENIG表面处理电路板的焊接强度 如果你有机会拿起一片电路板,稍微观察一下会发现这电路板上有着许多大大小小的孔洞,把它拿起来对着天花板上的电灯看,还会发现许多密密麻麻的小孔,这些孔洞可不是放在哪里摆好看的,每个孔洞都是有其目的而被设计出来的. 这些孔洞大体上可以分成PTH(Plating Through Hole,电镀通孔)及NPTH(Non Plating Through Hole,非电镀通孔)两种,这里说「通孔」是因为这种孔真的就是从电路板的一