当我在看有关SDRAM的芯片手册的时候,我一直在想这样一个问题:SDRAM的容量它究竟是如何计算的呢?经过查找网上的各种资料,最后在这里给大伙分享一下我的总结! 就以我的开发板的SDRAM的芯片手册的型号:h57v2562gtr60c为例.通过查看我的h57v2562gtr60c的datasheet,我们知道:​行地址选择线有13根(RA0~RA12),列地址选择线有9根(CA0~CA8), Bank选择线有2根(BA0,BA1),数据线16根(DQ0~AQ15) 而我们知道SDRAM的总单元数

出处:http://www.100ask.org/bbs/forum.php?mod=viewthread&tid=11544&fromuid=5490 最近看到坛子里很多初学者对于CPU与SDRAM的接线方式不明白,不懂为什么CPU的地址线要从ADDR2开始接并且是接到SDRAM的0地址线上.当初我也费了一定的时间才把它弄懂,说实话需要动一定的脑筋. 1,先弄清楚第一个概念,对于CPU来说: 一个地址用32位来表示:0x30000000.0x40000000; 但是这个地址代表的地址空间

本章参考资料:<STM32F76xxx参考手册2>.<STM32F7xx规格书>.库帮助文档<STM32F779xx_User_Manual.chm>. 关于SDRAM存储器,请参考前面的“常用存储器介绍”章节,实验中SDRAM芯片的具体参数,请参考其规格书<W9825G6KH>来了解. 26.1  SDRAM控制原理 STM32控制器芯片内部有一定大小的SRAM及FLASH作为内存和程序存储空间,但当程序较大,内存和程序空间不足时,就需要在STM32芯片的

第26章     FMC—扩展外部SDRAM 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx 中文参考手册2>.<STM32F4xx规格书>.库帮助文档<stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm>. 关于SDRAM存储器,请参考前面的"常用存储器介绍"章节,实验中SDR

一.SDRAM(HY57V561620F)连线分析 1.  S3C2440 有27根地址线ADDR[26:0],8根片选信号ngcs0-ngcs7,对应bank0-bank7,当访问bankx 的地址空间,ngcsx引脚为低电平,选中外设. 2^27=128MByte, 8*128Mbyte = 1Gbyte,所以S3C2440 总的寻址空间是1Gbyte.但市面上很少有32位宽度的单片SDRAM,一般选择2片16位SDRAM 扩展得到32位SDRAM. 2.这里选择的SDARM是HY57V56

本章参考资料:< STM32F4xx 参考手册 2>.< STM32F4xx 规格书>.库帮助文档< stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm>.关于 SDRAM 存储器,请参考前面的“ 常用存储器介绍”章节,实验中 SDRAM 芯片的具体参数,请参考其规格书< IS42-45S16400J> 来了解. SDRAM 控制原理STM32 控制器芯片内部有一定大小的 SRAM 及 FLASH 作为内存和程序存储空间,但当程序较大,内存

一． 介绍 存储器的最初结构为线性,它在任何时刻,地址线中都只能有一位有效.设容量为N×M的存储器有S0-Sn-1条地址线:当容量增大时,地址选择线的条数也要线性增多,利用地址译码虽然可有效地减少地址选择线的条数,但这种存储器的长宽比太大,显然,这在工业上是无法实现的.而且由于连线的延时与连线的长度成正比,这样的设计会使存储器的存取速度很慢.为了解决这个问题,现在常用的存储器都是将存储单元设计成阵列形状,使其长宽比接近1:1.这样,电路就必须增加一个列地址译码器,才能选出正确的存储单元.这样,整

一．             介绍 存储器的最初结构为线性,它在任何时刻,地址线中都只能有一位有效.设容量为N×M的存储器有S0-Sn-1条地址线:当容量增大时,地址选择线的条数也要线性增多,利用地址译码虽然可有效地减少地址选择线的条数,但这种存储器的长宽比太大,显然,这在工业上是无法实现的.而且由于连线的延时与连线的长度成正比,这样的设计会使存储器的存取速度很慢.为了解决这个问题,现在常用的存储器都是将存储单元设计成阵列形状,使其长宽比接近1:1.这样,电路就必须增加一个列地址译码器,才能选出

12.1 SDRAM 介绍 12.1.1 SDRAM 定义 SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory):同步动态随机存储器-内存条 同步是指内存工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准: 动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失:   对比:SRAM(静态的-触发器) 随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写  对比:Flash(块) DDR:DDR就是DDR SDRAM,是SDRAM的升级版.(DDR

(1) 容量.SDRAM的容量经常用XX存储单元×X体×每个存储单元的位数来表示.例如某SDRAM芯片的容量为4M×4×8bit,表明该存储器芯片的容量为16 M字节.或128 M bit. (2) 时钟周期.它代表SDRAM所能运行的最大频率.显然,这个数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率就越高. 对于一片普通的PC-100 SDRAM来说,它芯片上的标识10代表了它的运行时钟周期为10  ns,即可以在100 MHz的外频下正常工作.例如芯片上标有7.5,表示它可以运行在133MHz的频

一:SDRAM SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory),同步动态随机存储器,同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准:动态是指需要不断的刷新来保证数据不丢失:随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写. SDRAM的一些参数: (1)容量.SDRAM的容量经常用XX存储单元×X体×每个存储单元的位数来表示.例如某SDRAM芯片的容量为4M×4×8bit,表明该存储器芯片的容量为16 M

command 模块总述 SDRAM 的 command 模块的内容包括如下: 1.对初始化请求.配置模式寄存器.读/写.刷新.预充电等命令的一个优先级的控制. 2.对命令执行时间进行控制,依据如图1,红圈框起来的都是最小值. 图1 3.将相应的命令进行解码即转化成相应的控制总线,转化依据如图2: 图2 代码详解 以下代码都是我通过学习别人的代码,然后按照我自己的理解修改后的,经过验证是正确的. 1.SDRAM 重要的参数 SDRAM 的容量为 4 * 1 M* 16 bit , 一共有 4 个

前面我们实验的LED和串口程序,是cpu发送地址给特定的寄存器,在寄存器中写相应的位,达到控制要求. 第一类是GPIO门电路如LED,第二类是协议类如串口,这些都不是cpu直接给地址信息,而是通过寄存器来控制的. 第三类是内存接口,cpu发出的地址可以直接传递给这种设备如nor flash,sdram,网卡.注意nand flash不属于这种类型. 关于SDRAM,可以参考这篇文章,这对于了解sdram很重要,非常有必要阅读一波. <高手进阶,终极内存技术指南(完整/进阶版)> 这篇文章能够让

2018/7/26 受教于邓堪文老师,开始真真学习控制sdram 由于自己买的sdram模块是256的,原来老师的是128,所以边学边改,不知道最后好不好使,但是我有信心 一.sdram的初始化 sdram介绍啥的就不用了,上来就是干,简单粗暴. 1.下面是引脚说明,看不懂自己可以用百度翻译,需要注意的是红框内的地址引脚和行列地址是复用的,A0~A12是行地址,A0~8是列地址 简单说一下SDRAM的容量计算:数据位宽 *行地址*列地址*bank数,我们用的256有4个bank,就是:16*81

python 全栈开发之路 day1   本节内容 计算机发展介绍 计算机硬件组成 计算机基本原理 计算机 计算机(computer)俗称电脑,是一种用于高速计算的电子计算机器,可以进行数值计算,又可以进行逻辑计算,还具有存储记忆功能.是能够按照程序运行,自动.高速处理海量数据的现代化智能电子设备.由硬件系统和软件系统所组成,没有安装任何软件的计算机称为裸机. 计算机发明者约翰·冯·诺依曼.计算机是20世纪最先进的科学技术发明之一,对人类的生产活动和社会活动产生了极其重要的影响,并以强大的生命力

本节内容: 1,计算机的发展史 2,计算机的组成 1,计算机的发展史 1946年2月14日,由美国军方定制的世界上第一台电子计算机“电子数字积分计算机”(ENIAC Electronic Numerical And Calculator)在美国宾夕法尼亚大学问世了.ENIAC(中文名:埃尼阿克)是美国奥伯丁武器试验场为了满足计算弹道需要而研制成的,这台计算器使用了17840支电子管,大小为80英尺×8英尺, 重达28t(吨),功耗为170kW,其运算速度为每秒5000次的加法运算,造价约为487

S3C2440对Nand Flash操作和电路原理(基于K9F2G08U0A) 转载自:http://www.cnblogs.com/idle_man/archive/2010/12/23/1915303.html S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器.S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性: l        一个引导启动单元 l        Nand Flash存储器接口,支持8位或16位的每页大小为256字,512字节,1K字和2K字节的Nand f

给定n,m表示n个城堡,我们可以选择攻占m个城堡.要使得价值最大 接下来n行 a b,   第i行的a b,表示攻占第i个城堡的价值为b,但需要先攻占第a个城堡 如果有多个a=0的点,那么就不是一棵树,但是我们可以建立一个根结点0,让根结点指向那些a=0的点,  同时m++,因为更结点必须被占据,占据一个结点需要一个容量 每个结点可以选或者不选,但是如果选,当且仅当父亲结点也被选. 所以是树上面的01背包问题,所以只要在每个结点处枚举当前容量和孩子的容量,算出各个容量的最大值. 状态转移方程见代

1.S3C6410 地址空间 For memory at the table details 2. SDRAM图解 3. SDRAM 芯片容量计算: L_BANK 数目 * 一个 L_BANK 中的单元数目 * 每个单元的位宽 4. 根据芯片手册分别完成 SDRAM 控制器初始化 ,以及 SDRAM 芯片初始化

半导体存储器的读写时间一般在十几至几百毫微秒之间,其芯片集成度高,体积小,片内含有译码器和寄存器等电路.常用的半导体存储器芯片有多字一位片和多字多位片,如16M位容量的芯片可以有16M×1位和4M×4位等种类. 一.存储容量的扩展 目前单片存储芯片的容量总是有限的,它在字数或字长方面与实际存储器的要求都有差距,所以需要在字向和位向方面进行扩充才能满足实际存储器的容量要求,通常采用位扩展.字扩展和字位扩展. 1) 位扩展 位扩展法指的是用若干片位数较少的存储芯片构成具有给定字长的存储器. 例如: