1. NOR FLASH 的简单介绍 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),但不可以直接进行写操作.对NOR

转 http://blog.csdn.net/linweig/article/details/5556819 flash连接CPU时,根据不同的数据宽度,比如16位的NOR FLASH (A0-A19),处理器的地址线要(A1-A20)左移偏1位.为什么要偏1位? 从软件和CPU的角度而言,一个地址对应一个字节,就是8位数据.这是肯定的,不要怀疑这点. 对于具体器件而言,它的位宽是一定的,所谓位宽,指的是“读/写操作时,最小的数据单元”──别说最小单元是“位”,一般设备上没有单独的“位操作”,修

一.软件与硬件平台 软件平台: 操作系统:Windows 7 64-bit 开发套件:ISE14.7 硬件平台: FPGA型号:XC6SLX45-CSG324 QSPI Flash型号:W25Q128BV 二.背景介绍 在FPGA开发过程中,如果我们把bit文件下载到FPGA中,那么当FPGA掉电以后,bit文件就丢失,再次上电的时候,代码就不会运行了.如果想掉电以后,代码还可以运行,那么必须把编译好的文件下载到外部的QSPI Flash中.当文件下载到外部的QSPI Flash中以后,由于QS

一般Flash都有8.16.32等这些不同的位宽,当然说白了就是Flash的数据线位数. 在Flash与CPU的地址线的连接问题时:不同位宽的有不同的连接方法: 一般是:位宽为8时CPU的ADDR0与Flash的A0相连,其他的按顺序依次往下连接: 位宽为16时CPU的ADDR1与Flash的A0相连,其他的按顺序依次往下连接: 位宽为32时CPU的ADDR2与Flash的A0相连,其他的按顺序依次往下连接: 怎么对应起来的呢?    参考博客:http://blog.csdn.net/linw

Nor Flash是Intel在1988年推出的非易失闪存芯片,可随机读取,擦写时间长,可以擦写1~100W次,支持XIP(eXecute In Place). 本文以JS28F512M29EWH为例分析Nor Flash芯片的特性以及读.擦.写.查询等操作的具体实现原理. 1.芯片特性 1)页大小32Bytes, 块大小128KB, 写缓冲区1KB(芯片厂家决定写缓冲区大小) 2)随机或者按页读取 3)以块为单位擦除.写入(擦除之后所有位默认为1) 4)WP#引脚决定锁保护第一个块或者最后一个

作者:Hello,Panda 一般而言,Xilinx Microblaze会被用来在系统中做一些控制类和简单接口的辅助性工作,比如运行IIC.SPI.UART之类的低速接口驱动,对FPGA逻辑功能模块初始化配置及做些辅助计算等等.类程序的代码量普遍不大,常常在十几KB到几时KB之间,因此对存储的需求通常也不是太高,使用FPGA内部RAM资源便已经够用.那么,当Microblaze需要运行文件系统.USBHCD.网络协议栈甚至是操作系统时,代码量可能会高达几MB甚至是几十MB的规模,此时程序就必须

31.1 FSMC main features FSMC块能够与同步和异步内存和16位PC存储卡.其主要目的是: 将AHB事务转换为适当的外部设备协议 满足外部设备的访问定时要求 所有外部存储器与控制器共享地址.数据和控制信号.每个外部设备通过一个唯一的芯片选择来访问.FSMC一次只能访问一个外部设备. FSMC具有以下主要特点: 静态内存映射设备接口,包括: 静态随机存取存储器(SRAM) NOR 闪存/OneNAND闪存 PSRAM(4个内存库) 两个 NAND闪存库,带有ECC硬件,可以检

Nor Flash和Nand Flash的不同: 类型 NOR Flash  Nand Flash  接口 RAM-like,引脚多 引脚少 容量 小(1M.2M...) 大(512M.1G) 读 简单 复杂 写 复杂 复杂 价格 贵 便宜   无坏块.位反转 有位反转.坏块   存储一些重要的文件 可以出错的文件比如视频 xip 可以 不可以 使用uboot来体验nor Flash操作.(Nor的A0接到Soc的A1上.所以地址应该左移1位.) 1. 读数据(NOR Flash可以像内存一样直

对于flash的认识,比较肤浅,在网上找了些资料,感谢 http://blog.csdn.net/lin364812726/article/details/18815395  的博主, 将其博文转载过来,以便以后查看. flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程. flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flash和nand flash.(1)nor flash:像访问SDRAM一样,按照数据/地址总线直接访问, 可写的次数较少,速度也慢,由于其读时序类似

NOR Flash擦写和原理分析 1. NOR FLASH 的简单介绍 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),

nor flash驱动与nand flash驱动的差别不大,只是设置不同的结构体而已,, nor flash驱动代码: #include <linux/module.h> #include <linux/types.h> #include <linux/kernel.h> #include <linux/init.h> #include <linux/slab.h> #include <linux/device.h> #include

关于Flash Player插件的安装,其实Fedora官方Wiki文档已经给出了详细的说明,我这里再把重点提取一下: 1. 首先到Adobe Flash Plugin官方下载页面选择YUM for Linux然后Download,将下载下来的RPM文件保存到指定的路径,比如/home/user/downloads. 2. 安装这个RPM文件: # 切换到刚才下载的RPM包所在路径 cd /home/user/downloads # 注意下面的adobe-release-i386-1.0-1.n

本文原创于观海听涛,原作者版权所有,转载请注明出处. 近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH,但由于开发板例程以及固件库是用于小页(512B),我要用到的FLASH为1G bit的大页(2K),多走了两天弯路.以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND,并作驱动.本文硬件:控制器:STM32F103ZET6,存储器:HY27UF081G2A首先说一下NOR与NAND存储器的区别,此类区别网上有很多,在此仅大致说明:1.Nor读取速度比NAND稍快 2.Na

NAND FLASH 原理 http://www.360doc.com/content/12/0522/21/21412_212888167.shtml 闪存保存数据的原理: 与DRAM以电容作为存储元件不同,闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极.漏极和栅极.栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用 来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏.采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再 次倒入或倒出,所以闪存具有记忆能力.

整理自NOR FLASH 与NAND FLASH 1:NandFlash与NorFlash典型电路图 Nor Flash接原理图 从上图可以看出,该NorFlash采用并行地址和数据总线, 其中,21bit地址总线,16bit数据总线. 该NorFlash最大可寻址2M的地址空间.实际上,该NorFlash大小为2M.所以,NorFlash可作内存使用.可以直接寻址每一个存储单元. NandFlash的典型原理图 NandFlash没有区分地址总线和数据总线.只有一个8bit的I/O总线.6根控

原文:http://hi.baidu.com/abners/item/a9042ef35d3f005bc8f337f5 一般来说这几种存储器是一个nios系统都具有的,sram的好处是接口简单,速度快容易操作,用资源也比较少:sdram的最大好处是容量大,当然速度也比较快,但是接口复杂些,也耗逻辑资源多些:flash是非易失性存储器,速度慢.SRAM.SDRAM都用于程序工作时保存临时数据和程序,因为在系统调电后,保存在其中的数据都会丢失. FLASH用于系统中保存长期的数据,如:配置信息,程序

1 比较nor/nand flash NOR                                  NAND接口:    RAM-Like,引脚多                 引脚少,复用容量:  小 1M 2M 3M            大:128M 256M G读:        简单                                   复杂写:        发出特定命令 慢               发出特定命令 快价格:    贵          

MTD(Memory Technology Device)即常说的Flash等使用存储芯片的存储设备,MTD子系统对应的是块设备驱动框架中的设备驱动层,可以说,MTD就是针对Flash设备设计的标准化硬件驱动框架.本文基于3.14内核,讨论MTD驱动框架. MTD子系统框架 设备节点层:MTD框架可以在/dev下创建字符设备节点(主设备号90)以及块设备节点(主设备号31), 用户通过访问此设备节点即可访问MTD字符设备或块设备. MTD设备层: 基于MTD原始设备, Linux在这一层次定义出

1.本节使用的nand flash型号为K9F2G08U0M,它的命令如下: 1.1我们以上图的read id(读ID)为例,它的时序图如下: 首先需要使能CE片选 1)使能CLE 2)发送0X90命令,并发出WE写脉冲 3)复位CLE,然后使能ALE 4)发送0X00地址,并发出WE写脉冲 5)设CLE和ALE为低电平 6)读出8个I/O的数据,并发出RE上升沿脉冲 (我们的nand flash为8个I/O口,所以型号为K9F2G08U0M) 1.2 nand flash 控制器介绍 在244

1. NOR FLASH 的简单介绍 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),但不可以直接进行写操作.对NOR