CMOS 传输门从结构上看是由一个PMOS和一个NMOS管组成 先简单粗略讲讲PMOS管和NMOS管导通与截止吧 首先我们MOS管有三个极,源极(S:Source).漏极(D:Drain)和栅极(G:Gate) 我们理解为NMOS它是高电压导通,PMOS为低电压导通 则当栅极g为0时,NMOS截止,PMOS导通 当栅极g为1时,NMOS导通,PMOS截止 回到CMOS传输门,C和 /C是互补控制信号,PMOS管和NMOS管的源极漏极相互连接,结构对称,则输入输出可互换使用 1.当C=VDD时,/

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压.一般2V-4V就可以了.    但是,场效应管分为增强型(常开型)和耗尽型(常闭型),增强型的管子是需要加电压才能导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止.    开关只有两种状态通和断,三极管和场效应管工作有三种状态,1.截止,2.线性放大,3.饱和(基极电流继续增加而集电极电流不再增加).使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路,一般以晶体管截止

模电总复习之爱课堂题目概念整理 Chapter 1 1) 设室温情况下某二极管的反偏电压绝对值为1V,则当其反偏电压值减少100mV时,反向电流的变化是基本不发生变化. 2) 二极管发生击穿后,在击穿区的曲线很陡,反向电流变化很大,但两端的电压降却几乎不变. 3) 二极管的反向击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两类. 4) 齐纳击穿的反向击穿电压小于6V. 5) 二极管电击穿是可逆的,热击穿不可逆. 6) 在P型半导体中,多子是空穴,少子是自由电子. 7) 在P型半导体中:在室温下,当温度升高时,空穴的

这几天没有更新过网站了,也没继续开发VellLock了,可是感觉还是没有闲着,一直在跟下面的一些元器件在打交道,当然下面的都是小儿科,英文文档都看得我快吐血了.数电基本属于棺材边上过的我,是各种头大,硬着头皮扛了下来.一直想发一篇帖子纪念下,也一直不知道说个啥,今天实在忍不住了,上点图片吧~~~ 各种元器件(只是小部分啦): 最想说的来了,经过痛苦的设计,郁闷的连线,烦死的修改...看看历经千锤百炼的0-9.9v稳压电源的原理图吧... 再来我同时设计的交通灯(复杂...) 我多想把原理讲给每一

P1836 数页码_NOI导刊2011提高(04) 题目描述 一本书的页码是从1—n编号的连续整数:1,2,3,…,n.请你求出全部页码中所有单个数字的和,例如第123页,它的和就是1+2+3=6. 输入输出格式 输入格式: 一行为n(1≤n≤10^9). 输出格式: 一行,代表所有单个数字的和. 输入输出样例 输入样例: 3456789 输出样例: 96342015 我的想法是这样的: 分别考虑个位,十位,百位,千位,万位... 可以发现 其中res(i)表示第i位数相加之和. 故代码如下:

原文地址点击这里: 在前一节,我们对PMOS与NMOS两种增强型场效应管的开关电路作了详细的介绍, 并且还提到过一种广为流传的说法:相对于NMOS管,PMOS管的沟道导通电阻更大.速度更慢.成本更高等,虾米情况?我们还是从头说起吧! 如果读者有一定的电子技术应用经验的话,对NMOS管开关电路的使用场合肯定是如数家珍,几乎所有的开关电源拓扑都偏向于使用NMOS管(而不是PMOS管),如正激.反激.推挽.半桥.全桥等拓扑,NMOS管的应用电路案例真心不要太多,如下图所示(当然,这些也并不全是完全独立

OC门,又称集电极开路门,Open Collector.   为什么引入OC门?实际使用中,有时需要两个或两个以上与非门的输出端连接在同一条导线上,将这些与非门上的数据(状态电平)用同一条导线输送出去.因此,需要一种新的与非门电路--OC门来实现“线与逻辑”.   OC门主要用于3个方面:(1)实现线与逻辑(2)用做电平转换(3)用做驱动器.   1.实现线与逻辑,两个或两个以上输出端直接相连输出“AND”的功能 2. 实现与或非逻辑,用于电平转换.驱动器(TTL电平转换为CMOS电平)   2

pc线路板是有导电功能的,那么如何仅适用手工计算出线路的阻值能?那么就需要使用到一个公式: W*R*T=6000 W是指铜箔的宽度单位是密耳mil. T是指铜箔厚度单位是盎司oz. R是指铜箔的电阻单位是mΩ/ft. 6000是常数不变量. 根据这个公式就可以计算出横切面积内铜箔的电阻值.其中1oz=35um,当铜箔被蚀刻成线路的时候,这个时候只要将所要计算阻值的线路测量出宽度和长度就可以计算出线路的阻值是多少.

DMA,全称为:Direct Memory Access,即直接存储器访问.DMA传输方式无需CPU直接控制传输,也没有中断处理方式那样保留现场和恢复现场的过程,通过硬件为RAM与I/O设备开辟一条直接传送数据的通路,能使CPU的效率大为提高. DMA设置的一般步骤可以总结为如下几个步骤: 1．DMA时钟使能 2．DMA设置复位 3．设置DMA基地址,内存地址,输出方向参数 4．设置DMA数据大小,优先级,使用通道参数 5．DMA工作方式初始化 6．使能DMA 7．编写中断处理函数 前端采集模块

1:什么是同步逻辑和异步逻辑?(汉王) 同步逻辑是时钟之间有固定的因果关系.异步逻辑是各时钟之间没有固定的因果关系. 答案应该与上面问题一致 [补充]:同步时序逻辑电路的特点:各触发器的时钟端全部连接在一起,并接在系统时钟端,只有当时钟脉冲到来时,电路的状态才能改变.改变后的状态将一直保持到下一个时钟脉冲的到来,此时无论外部输入 x 有无变化,状态表中的每个状态都是稳定的. 异步时序逻辑电路的特点:电路中除可以使用带时钟的触发器外,还可以使用不带时钟的触发器和延迟元件作为存储元件,电路中没有统一

-1=1(即Di=1). Di=(Y1' * Y2' * Y4' * Y7')'可以得到74HC138来表示,(注意:Ai,Bi,Ci-1的各自位权对应A2,A1,A0) Ci同理可得.

STM32 的通用定时器是一个通过可编程预分频器(PSC)驱动的 16 位自动装载计数器(CNT)构成.STM32 的通用定时器可以被用于:测量输入信号的脉冲长度(输入捕获)或者产生输出波形(输出比较和 PWM)等.使用定时器预分频器和 RCC 时钟控制器预分频器,脉冲长度和波形周期可以在几个微秒到几个毫秒间调整. STM32 的每个通用定时器都是完全独立的,没有互相共享的任何资源. 通用定时器设置的一般步骤可以总结为如下几个步骤: 1．定时器时钟使能 2．设置定时参数 3．定时器工作方式初始化

STM32F103C8T6拥有3个ADC,其独立使用已经在本文的3.1.3里面有详细的介绍,这里主要是介绍双ADC的同时使用,即STM32的同步规则模式使用.在此模式在规则通道组上执行时,外部触发来自ADC1的规则组多路开关(由ADC1_CR2寄存器的EXTSEL[2:0]选择),它同时给ADC2提供同步触发.此功能必须使用DMA通道.同时两组数据是公用一个寄存器,ADC1数据在低16位,ADC2数据在高16位.由于保证数据稳定,在双ADC同步规则模式的情况下,还添加了多通道同时采样. ADC1

作者:   来源:电源网 关键字:MOSFET 结构 开关 驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以

SYN5006型电机同步编码脉冲分配器 编码器信号分配板增量式编码器脉冲分配器使用说明视频链接: http://www.syn029.com/h-pd-81-0_310_13_-1.html 请将此链接复制到浏览器打开观看 分配器的主要功能是把来源于控制环节的时钟脉冲串按一定的规律分配给步进电动机驱动器的各相输入端. 步进电机是将电脉冲信号转变为角位移或线位移的开环控制元步进电机件.在非超载的情况下,电机的转速.停止的位置只取决于脉冲信号的频率和脉冲数,而不受负载变化的影响,当步进驱动器接收到一

MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管 在实际项目中,我们基本都用增强型mos管,分为N沟道和P沟道两种. 我们常用的是NMOS,因为其导通电阻小,且容易制造.在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管.这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要.顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的.     1.导通特性   NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电

「MoreThanJava」 宣扬的是 「学习,不止 CODE」,本系列 Java 基础教程是自己在结合各方面的知识之后,对 Java 基础的一个总回顾,旨在 「帮助新朋友快速高质量的学习」. 当然 不论新老朋友 我相信您都可以 从中获益.如果觉得 「不错」 的朋友,欢迎 「关注 + 留言 + 分享」,文末有完整的获取链接,您的支持是我前进的最大的动力! Part 1. 原来,我们是这样记数的 本节内容节选自下方 参考资料 1 在讨论「二进制」和「CPU 如何工作」之前,我们先来讨论一下我们生活

一.MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种.至于为什么不使用耗尽型的

按常规,在51端口(P1.P2.P3)某位用作输入时,必须先向对应的锁存器写入1,使FET截止.一般情况是这样,也有例外.所谓IO口内部与电源相连的上拉电阻而非一常规线性电阻,实质上,该电阻是由两个场效应管并联在一起:一个FET为负载管,其阻值固定:另一个FET可工作在导通或截止两种状态(姑且叫可变FET).使其总电阻值变化近似为0或阻值较大(20千欧--40千欧)两种情况.当和端口锁存器相连的FET由导通至截止时,该阻值近似为0,可将引脚快速上拉至高电平:当和锁存器相连的FET由截止至导通时,

一.器件的选用 制做并口ISP下载在网上有很多的电路和对应的PC端下载软件.很多人疑惑,不知该用哪张图,用哪个下载软件.我看了一下,采用的器件主要是74HC373.74HC541和74HC244.其实用哪个器件都可以,基本上用哪个软件也都可以使用.只要搞清了它们的并口引脚和控制线的控制方法.我先上这几个器件的图: 通过这几张图的逻辑和真值表可以看出它们的异同. ISP下载线电路的实质也就是将PC端下载软件送出的4路串行编程信号通过4个缓冲器整形为TTL信号然后交给AT89S51的ISP口.只要把