采样定理在1928年由美国电信工程师H.奈奎斯特首先提出来的,因此称为奈奎斯特采样定理. 1933年由苏联工程师科捷利尼科夫首次用公式严格地表述这一定理,因此在苏联文献中称为科捷利尼科夫采样定理. 1948年信息论的创始人C.E.香农对这一定理加以明确地说明并正式作为定理引用,因此在许多文献中又称为香农采样定理. 奈奎斯特采样定理解释了采样率和所测信号频率之间的关系. 阐述了采样率fs必须大于被测信号感兴趣最高频率分量的两倍. 该频率通常被称为奈奎斯特频率fN.即: 首先,我们要明确以下两点:

-----------------------整理自<21ic电子网> 奈奎斯特定理(Nyquist's Theorem)和香农定理(Shannon's Theorem)是网络传输中的两个基本定理:要搞清楚这两个定理,需要先弄懂一些定义:波特率(buad rate).比特率(bit rate).带宽(bandwidth).容量(capacity). 波特率:是指信号每秒钟电平变化的次数,单位是Hz,比如一个信号在一秒钟内电平发生了365次变化,那么这个信号的波特率就是365Hz. 比特率:是指

A曲线内有4个极点两个零点,则B曲线绕(0,0)逆时针两圈 A曲线是nyqyict contour中的曲线,P是A曲线内的()极点个数,Z是()极点个数,N是曲线B逆时针围绕(-1,0)的圈数 没过(-1,0)点所以z=0

<虚短 & 虚断> 运算放大器组成的电路五花八门,令人眼花瞭乱,是模拟电路中学习的重点.遍观所有模拟电子技朮的书籍和课程,在介绍运算放大器电路的时候,无非是先给电路来个定性,比如这是一个同向放大器,然后去推导它的输出与输入的关系,然 后得出Vo=(1+Rf)Vi,那是一个反向放大器,然后得出Vo=-Rf*Vi……最后学生往往得出这样一个印象:记住公式就可以了!如果我们将电路稍稍变换一下,他们就找不着北了! 虚短和虚断的概念由于运放的电压放大倍数很大,一般通用型运算放大器的开环电压放大倍

电路中GND和GROUND.VCC,VDD,VEE,VSS有什么区别 一.解释 DCpower一般是指带实际电压的源,其他的都是标号(在有些仿真软件中默认的把标号和源相连的)VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电路);漏极电压(场效应管)VCC:电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);声控载波(VoiceControlledCarrier)VSS:地或电源负极VEE:负电压供电;场效应管的源极(S)VPP:编程/擦除电压. VCC:C=circuit表示电路的意思

电路解析:GND和GROUND.VCC,VDD,VEE,VSS 参考: http://www.elecfans.com/dianzichangshi/20160822432514.html 一.解释版本一: DCpower一般是指带实际电压的源,其他的都是标号(在有些仿真软件中默认的把标号和源相连的)VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电路);漏极电压(场效应管)VCC:电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);声控载波(VoiceControlledCarrier

回到目录 BJT晶体管的交流分析(也叫小信号分析)是模拟电路中的一个难点,也可以说是模电中的一个分水岭.如果你能够把BJT交流分析的原理全都搞懂,那之后的学习就是一马平川了.后面的大部分内容,诸如:场效应管.运放分析.功率放大器等等,基本上已经没有什么可以再难得倒你了.甚至可以说,市面上一般的模拟电路,你都已经具备了可以分析它们的能力.(再往后一个难点是频率分析,这个我们后面再讲) 反之,如果你经过一番努力,还是不能掌握BJT的交流分析要领,那基本上就此收手吧,可能你真的不是搞模拟这块料.专心去

回到目录 1.   名称由来 BJT的全称是双极性结型晶体管(Bipolar Junction Transistor),国内俗称三极管.其实,在英语中,三极管(triode)特指以前的真空电子管形式的三极管,而不是我们现在普遍使用的半导体三极管."tri-"的意思是"三","ode"的意思是"极",当年的电子管一般都封装在一个圆柱形的真空玻璃管中,所以中文翻译在后面加了个"管". 早在二战以前,电子技术和电

NeurIPS 2018 中的贝叶斯研究 WBLUE 2018年12月21日   雷锋网 AI 科技评论按:神经信息处理系统大会(NeurIPS)是人工智能领域最知名的学术会议之一,NeurIPS 2018 已于去年 12 月 3 日至 8 日在加拿大蒙特利尔市举办.来自 Zighra.com 的首席数据科学家在参加完此次会议之后,撰写了一篇关于贝叶斯研究的参会总结,雷锋网 AI 科技评论编译整理如下. 此次会议支持现场直播,所有讲座的视频内容均可以在 NeurIPS 的 Facebook 主页

逝者如斯夫,不舍昼夜. --<论语子罕篇> 说起0欧电阻,必须先铺垫一下电路中的各种地. 先说一下,地是什么??地是参考0电位,所有电压都是参考地得出的,地的标准要一致,故各种地应短接在一起.人们认为大地能够吸收所有电荷,始终维持稳定,是最终的地参考点.虽然有些板子没有接大地,但发电厂是接大地的,板子上的电源最终还是会返回发电厂入地.[1] 那么电路中到底有多少种地呢? 模拟地:它是指模拟电路部分的地模拟地.模拟地是系统中模拟电路零电位的公共基准地线.由于模拟电路既承担小信号的处理,又承担大信

    一.等效串联电阻ESR概述 ESR是Equivalent Series Resistance的缩写,即“等效串联电阻”.理想的电容自身不会有任何能量损失,但实际上,因为制造电容的材料有电阻,电容的绝缘介质有损耗.这个损耗在外部,表现为就像一个电阻跟电容串联在一起,所以就称为“等效串联电阻”.有的电容还会标出ESR值(等效串联电阻),ESR越低,损耗越小,输出电流就越大,电容器的品质越高. 二.ESR的成因分析 任何一个电容都会存在ESR,在电容电极之间始终都存在着一个电气性的电阻,如金属

1. 前言 前面博客介绍了CTR预估中的贝叶斯平滑方法的原理http://www.cnblogs.com/bentuwuying/p/6389222.html. 这篇博客主要是介绍如何对贝叶斯平滑的参数进行估计,以及具体的代码实现. 首先,我们回顾一下前文中介绍的似然函数,也就是我们需要进行最大化的目标函数: 下面我们就基于这个目标函数介绍怎样估计参数. 2. 参数估计的几种方法 1. 矩估计 矩估计在这里有点乱入的意思:),因为它其实不是用来最大化似然函数的,而是直接进行参数的近似估计. 矩估

目录 场景引入 动态代理引入 动态代理进阶 总结 个人认为动态代理在设计模式中算是比较难的, 本篇文章将从无到有, 从一个简单代码示例开始迭代, 逐步深入讲解动态代理思想. 场景引入 假设现在有一个坦克类, 它实现了Moveable接口, 里面有一个move()移动的方法. 代码如下: class Tank implements Moveable{ @Override public void move(){ System.out.println("坦克开始移动..."); try {

第十三次作业——回归模型与房价预测 1. 导入boston房价数据集 2. 一元线性回归模型,建立一个变量与房价之间的预测模型,并图形化显示. 3. 多元线性回归模型,建立13个变量与房价之间的预测模型,并检测模型好坏,并图形化显示检查结果. 4.  一元多项式回归模型,建立一个变量与房价之间的预测模型,并图形化显示. 代码: #导入boston房价数据集 from sklearn.datasets import load_boston import pandas as pd boston =

最近自己正在学习angularJs,在学到ng-click时,由于想获取当前点击元素的自身,开始想到了用$index来获取当前元素的索引同样能实现我想要的效果,但是在有些特殊的情况下,使用$index却达不到实际的效果,所以就上网查了下资料,结果就发现了angularJs中怎么模拟jQuery中的this?这篇文章,这不正是我想要的嘛,赶紧按照文中的方法试了一下,果真可以(其实还是自己没有好好的看angularJs的API),很感谢写这篇文章的博主,以下是转载博主的原文: 今天想在Angular

这篇文章介绍了模拟jQuery中的ready方法及实现按需加载css,js实例代码,有需要的朋友可以参考一下     一.ready函数的实现经常用jQuery类库或其他类库中的ready方法,有时候想想它们到底是怎么实现的,但是看了一下jQuery中的源码,涉及到的模块比较多,(水平有限)代码比较难看懂:自己结合了一些书籍内容,总结一下.先说一下ready函数的实现思路:变量ready通过表达式赋值,右侧为一个自执行匿名函数,在这个匿名函数中,首先为各个浏览器的事件绑定处理函数,并为isRea

在电子芯片.运算处理器等集成电路行业中,存在多种电压.常用的的有:VDDQ->The supply voltage to output buffers of a memory chip 存储芯片输出缓冲器供电电压,内存控制器电压VTT->Tracking Terminal Voltage 监视终止电压(和VRef相比较决定高低电平)VDD->The supply voltage to input buffers and core logic of a memory chip 存储芯片输出

回到目录 1.   掺杂半导体 上面我们分析了本征半导体的导电情况,但由于本征半导体的导电能力很低,没什么太大用处.所以,一般我们会对本征半导体材料进行掺杂,即使只添加了千分之一的杂质,也足以改变半导体材料的导电特性.通过加入不同特性的掺杂的元素,可以做出两种不同性质的半导体材料:n型半导体材料和 p型半导体材料,下面分别予以介绍. (1) n型半导体 n型半导体材料是通过对本征半导体掺入有5个价电子的元素得到的,常见的5价元素有:锑(Sb).砷(As).磷(P),下面以锑作为掺杂元素.硅作为本

为什么位运算可以实现加法(1. 不考虑进位的情况下位运算符中的异或^可以表示+号)(2. 位运算符中的与运算符&和左移运算符<<可以模拟加法中的进位)(3.位运算不仅可以做加法,还可以做其它的乘法减法等:计算机本质是二进制运算) 一.总结 1. 不考虑进位的情况下位运算符中的异或^可以表示+号 2. 位运算符中的与运算符&和左移运算符<<可以模拟加法中的进位 3.位运算不仅可以做加法,还可以做其它的乘法减法等:计算机本质是二进制运算,许多高人和天书都展示了如何用位运

回到目录 1. 四种BJT模型概述 对BJT晶体管建模的基本思路就是,用电路原理中的五大基本元件(电阻.电容.电感.电源.受控源)构建一个电路,使其在一定工作条件下能等效非线性半导体器件的实际工作.一旦确定了交流等效电路,电路中的BJT就可以用这个等效电路来替代,然后用基本的电路计算方程,就可以大致计算出电路中需要确定的电压.电流等物理量. 在一般的模电教材中,常会提到以下4种BJT晶体管的模型:混合π模型.re模型.混合等效模型.简化混合等效模型.这么多模型一起拿出来,很容易把人搞晕.其实,所