模拟CMOS 衬底噪声:由于相邻的电阻互相注入电流而产生的衬底噪声.解决方法:在两个电阻之间加入一个P+注入区(作为P衬底晶圆的衬底接触).P+注入区保护电路免受载流子的影响,由于注入区是一个环形,所以成为保护环. 共质心版图 共质心(共同的中心)版图有助于改善两电阻之间的匹配性能(代价是两元件之间具有不均匀的寄生特性),另外,共质心也能改善MOS和电容的匹配性能. 3.MOS电容 堆积 (VGS<<Vth) 当VGS<0,来自衬底移动的空穴被吸引(堆积)到栅氧层的下方.当MOS管处于堆

https://wenku.baidu.com/view/c0a68a6a4a7302768e9939bd.html 根據 IEC 60384-14, 電容器分為 X 電容及 Y 電容 , 1. X 電容是指跨於 L-N 之間的電容器 , 2. Y 電容是指跨於 L-G/N-G 之間的電容器 . (L=Line, N=Neutral, G=Ground) X 電容底下又分為 X1, X2, X3, 主要差別在於 : 1. X1 耐高壓大於 2.5 kV, 小於等於 4 kV, 2. X2 耐高壓

上次的问题,看到很多回答里都有关于X电容,Y电容,NPO之类,这些很奇怪的参数到底代表什么意义呢?以前很多次都在BOM表里看到这些参数,一直都无视过去,正好这次的EMC课程里也提到这方面的知识,正好跟大家一起学习一下. NPO\X5R\X7R\Y5V\Z5U电容之间的主要区别是它们的填充介质不同.在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗.容量稳定性等也就不同,所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用.陶瓷电容根据介质的不同,一般分为两类:

capacitor无正负极性. cap electrolit有极性,实际中不能接反,否则电容会烧毁或爆炸. MULTISIM仿真中接反会有漏阻存在,但不会烧毁. 电容的分类 按结构可分为:固定电容,可变电容,微调电容: 按介质材料可分为:气体介质电容,液体介质电容,无机固体介质电容,有机固体介质电容,电解电容: 按极性可分为:有极性电容和无极性电容: 电容的作用 电容在电路中具有隔断直流电,通过交流电的作用,因此常用于级间耦合.滤波.去耦.旁路和信号调谐. 电容的符号 电容的符号同样分为国内标表

  1.1 什么是高速电路 信号的最高频率成分是取决于有效频率,而不是周期频率. 高速电路的定义是根据信号的有效频率来计算的,在现实世界中,任何信号都是由多个频率分量的正弦波叠加而成的.定义各正弦波分量的幅值为VN,则VN = 2 / (3.14 x N),可见各级谐波分量的幅值与频率成反比.现实信号,随着频率的升高,其各级谐波分量的幅值比理想方波中相同频率正弦波分量的幅值下降的更快,直到某级谐波分量.其幅值下降到理想方波中对应分量的70%(即功率下降到50%),定义该谐波分量的频率为信号的有效

第29章     电容触摸屏—触摸画板 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx 中文参考手册>.<STM32F4xx规格书>.库帮助文档<stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm>. 关于开发板配套的触摸屏参数可查阅<5.0寸触摸屏面板说明>,触摸面板配套的触摸控制芯片

电感啸叫原因 如果耳朵能听到啸叫(吱吱声),可以肯定电感两端存在一个20HZ-20KHZ(人耳范围)左右的开关电流. 例如DC-DC电路的电感啸叫,由于负载电流过大 DC内部有一个限流保护电路,当负载超过IC内部的开关(MOS)电流时,限流检测电路判断负载电流过大,会立即调整DAC内部开关占空比,或者立即停止开关工作,直到检测负载电流在标准范围内时,在重新启动正常的工作开关.从停止开关到重启开关的时间周期正好是几KHZ的频率,正因为这个周期的开关频率产生啸叫 改善对策:降低负载电流或更换功率稍大

管理 随笔- 17  文章- 1  评论- 1  电容有什么作用?为什么cpu电源引脚都并联一个电容?   正文: 参考资料:http://blog.sina.com.cn/s/blog_7880d3350101dsf9.html:http://www.dzsc.com/data/2015-9-16/108785.html: http://www.21ic.com/jichuzhishi/analog/questions/2013-05-16/181478.html: 电容主要有以下四种作用,分

X,Y电容都是安规电容,火线零线间的是X电容,火线与地间的是Y电容.它们用在电源滤波器里,起到电源滤波作用,分别对共模,差模工扰起滤波作用.安规电容是指用于这样的场合,即电容器失效后,不会导致电击,不危及人身安全. 安规电容安全等级. 根据IEC 60384-14,电容器分为X电容及Y电容, 1. X电容是指跨于L-N之间的电容器, 2. Y电容是指跨于L-G/N-G之间的电容器. (L=Line, N=Neutral, G=Ground) X电容底下又分为X1, X2, X3,主要差别在于:

作为一个学微电子专业的IC learner,这个学期也有一门课:<微电子器件>,今天我就来聊聊基本的器件:CMOS器件及其电路.在后面会聊聊锁存器和触发器. 今天的主要内容如下所示: ·MOS晶体管结构与工作原理简述 ·CMOS单元电路与版图 ·CMOS门电路 ·CMOS的功耗表示 老实说,CMOS比较偏微电子器件,微电子器件还真难...这里我就说一些做数字设计或许要了解的东西吧(以后要是必要,会补充). 1.MOS晶体管结构与工作原理简述 我们或多或少知道,晶体管在数字电路中的主要作用就是一

作为一个微电子专业的IC learner,这个学期也有一门课:<微电子器件>,今天我就来聊聊基本的器件:CMOS器件及其电路.在后面会聊聊锁存器和触发器. ·MOS晶体管结构与工作原理简述 ·CMOS单元电路与版图 ·CMOS门电路 ·CMOS的功耗表示 老实说,CMOS比较偏微电子器件,微电子器件还真难...这里我就说一些做数字设计或许要了解的东西吧(以后要是有必要,会补充). 1.MOS晶体管结构与工作原理简述 我们或多或少知道,晶体管在数字电路中的主要作用就是一个电子开关,通过电压或者电

4.2 功率半导体器件概述 功率半导体设计中最根本的挑战是获得高击穿电压,同时保持低正向压降和导通电阻.一个密切相关的问题是高压低导通电阻器件的开关时间更长.击穿电压,导通电阻和开关时间之间的折衷是各种功率器件的关键区别特征. 反向偏置的PN结及其相关的耗尽区的击穿电压是掺杂程度的函数:在PN结的至少一侧的材料中,获得高击穿电压需要低掺杂浓度,从而导致高电阻率.该高电阻率区域通常是设备导通电阻的主要贡献者,因此高压设备必定具有比低压设备更高的导通电阻.在多数载流子元件(单极型器件)中(包括MOS

catalogue . ROM.RAM.DRAM.SRAM和FLASH的区别 . 内存工作原理 . DRAM基本结构与原理 . SD卡基本结构与原理 1. ROM.RAM.DRAM.SRAM和FLASH的区别 0x1: ROM ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,ROM也有很多种 . PROM是可编程的ROM: PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了 . EPROM(可擦除可编程ROM): EPR

PCB封装主要分为贴片式与插件式 1)贴片元件封装说明发光二极管:颜色有红.黄.绿.蓝之分,亮度分普亮.高亮.超亮三个等级,常用的封装形式有三类:0805.1206.121  (常用封装为RB.1/.2 ) 引申出来的有:0805C.0805D.0805L等 二极管:根据所承受电流的的限度,封装形式大致分为两类,小电流型(如1N4148)封装为1206, 大电流型(如IN4007)暂没有具体封装形式,只能给出具体尺寸:5.5 X 3 X 0.5电容:可分为无极性和有极性两类,无极性电容下述两类封

PCB布线规则,布板需要注意的点很多,但是基本上注意到了下面的这此规则,LAYOUT PCB应该会比较好,不管是高速还是低频电路,都基本如此. 1. 一般规则 1.1 PCB板上预划分数字.模拟.DAA信号布线区域. 1.2 数字.模拟元器件及相应走线尽量分开并放置於各自的布线区域内. 1.3 高速数字信号走线尽量短. 1.4 敏感模拟信号走线尽量短. 1.5 合理分配电源和地. 1.6 DGND.AGND.实地分开. 1.7 电源及临界信号走线使用宽线. 1.8 数字电路放置於并行总线/串行D

电子元件封装大全及封装常识 电子元件封装大全及封装常识 一.什么叫封装封装,就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装.固定.密封.保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接,从而实现内部芯片与外部电路的连接.因为芯片必须与外界隔离,以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降.另一方面,封装后的芯片也更便于安

一 加速度计原理 1.1 加速度计由MEMS传感器与信号处理芯片组成. 1.2 MEMS加速度计工作原理 由上电容.中电容板(可移动).下电容板等组成:当加速度达到一定值后,中电容板会移动,与上.下电容板的距离就会变化, 上.下电容因此变化.电容变化跟加速度成比(如下面公式),通过对输出电压数字处理后,输出数字化信号. 如图:

PN结加正向电压 当PN结外加正向电压时,外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱了内电场,破坏了原来的平衡,使扩散运动加剧,PN结导通.PN结的压降只有零点几付,所以在其回路里应串联一个电阻. PN结加反向电压 当PN结加反向电压时,外电场使空间电荷区变宽,加强了内电场,阻止了扩散运动的进行,而加剧了漂移运动的进行,形成反向电流.但其电流很小,可忽略不计.这是PN结处于截止状态. PN结的电流方程      其中Ut=26mV,Is为反向饱和电流.     反向击穿又分为齐纳击穿和雪崩

目录: 单片机的大致介绍         1-1.通俗定义         1-2.51系列产品         1-3.标号意思         1-4.引脚介绍         1-5.用C语言开发的部分信息 1.单片机的大致介绍    1-1.通俗定义    1-2.51系列产品    1-3.标号意思 附加关键字:芯片上标号对应温度范围.芯片封装(DIP\PLCC\QFP\PGA\BGA\CBGA\)    1-4.引脚介绍 通用的为40引脚的,但是也有其他数量引脚的. >_<&quo

概要:本章旨在说明如何生成电路原理图.把设计信息更新到PCB文件中以及在PCB中布线和生成器件输出文件.并且介绍了工程和集成库的概念以及提供了3D PCB开发环境的简要说明.欢迎使用Altium Designer,这是一个完善的适应电子产品发展的开发软件.本章将以"非稳态多谐振荡器"为例,介绍如何创建一个PCB工程. Contents 创建一个新的PCB工程创建一个新的电气原理图 设置原理图选项 画电路原理图 加载元件和库 在电路原理图中放置元件 电路连线 设置工程选项检查原理图的电气