64兆位串行SPI FLASH存储器 1.常规介绍 W25Q64BV(64兆位)串行FLASH存储器为一个空间大小,引脚,功耗限制的系统提供解决方案.25Q系列的灵活性和性能良好超越了普通的串行FLASH设备.该芯片是理想的代码跟踪到RAM,通过两路或四路SPI(XIP)直接执行代码来存储声音,文字,数据等,只需要一个2.7V到3.6V的供电,在活跃状态是电流消耗可以低至4mA,掉电模式下可以低到1uA.所有的设备都提供节省面积的封装. W25Q64BV拥有32768页的可编程阵列(每页可写25

一设计功能 对SPI_flash进行扇区擦除,分为写指令和扇区擦除两个时序部分. 二设计知识点 我简单理解flash,第一它是掉电不丢失数据的存储器,第二它每次写入新数据前首先得擦除数据,分为扇区擦除和全擦擦. 下面讲讲我自己亲自动手设计的原创代码过程: 自己设计过程: 第一步:就先看了SPI FLASH文档,了解SPI FLAHS的原理:先有写使能信号及其时序波形,然后是扇区擦除指令和地址及时序波形,再是延时3秒回到初始状态. 第二步:自己画出所有的状态及其转移图,还是就是用线性序列机表达写使

37款传感器与模块的提法,在网络上广泛流传,其实Arduino能够兼容的传感器模块肯定是不止37种的.鉴于本人手头积累了一些传感器和模块,依照实践(动手试试)出真知的理念,以学习和交流为目的,这里准备逐一做做实验,不管能否成功,都会记录下来---小小的进步或是搞不掂的问题,希望能够抛砖引玉. [Arduino]168种传感器模块系列实验(资料+代码+图形+仿真) 实验五十:W25Q64 64Mbit FLASH外扩存储模块 (DataFlash SPI接口 ) W25X64 该系列是华邦公司推出

基本操作 这里将会简要介绍一下NAND Flash的基本操作在NAND Flash内部是如何进行的,基本操作包括:读.写和擦除.   读:     当我们读取一个存储单元中的数据时(如图2.4),是使用一个门电压Vread(0V)作用于gate端,而没有被读取的存储单元的gate端则被偏置于Vpass.r(通常为4-5v),这样他们就能够不管阀值电压是多少而能够通过晶体管.事实上,一个被擦除过的Flash存储单元有一个低于0V的Vth值,而一个被写过的存储单元的Vth则一般会有一个正值,并且这个

W25X64 是华邦公司推出的大容量 SPI  FLASH 产品,W25X64 的容量为 64Mbit(8M),该系列还有 W25Q80/16/32 等.W25X16,W25X32,W25X64分别有8192,16384,32768个可编程页,每页256字节,用扇区擦除指令每次可以擦除16页,用块擦除指令每次可以擦除256页,用整片擦除指令既可以擦除整个芯片,W25X16,W25X32,W25X64分别有512,1024,2048个可擦除扇区,或者32,64,128个可擦除的块 W25Q64 的

本章参考资料:<STM32F76xxx参考手册>.<STM32F76xxx规格书>.库帮助文档<STM32F779xx_User_Manual.chm>及<SPI总线协议介绍>. 若对SPI通讯协议不了解,可先阅读<SPI总线协议介绍>文档的内容学习. 关于FLASH存储器,请参考“常用存储器介绍”章节,实验中FLASH芯片的具体参数,请参考其规格书<W25Q128>来了解. 24.1  QSPI协议简介 QSPI是Queued SP

第24章     SPI—读写串行FLASH 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx 中文参考手册>.<STM32F4xx规格书>.库帮助文档<stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm>及<SPI总线协议介绍>. 若对SPI通讯协议不了解,可先阅读<SPI总线协议

#include "w25qxx.h"  #include "spi.h" #include "delay.h"    #include "usart.h"   u16 W25QXX_TYPE=W25Q128; //默认是W25Q128 //4Kbytes为一个Sector //16个扇区为1个Block //W25Q128 //容量为16M字节,共有128个Block,4096个Sector    //初始化SPI FLAS

SPi是高速全双工的串行总线,通常应用在通讯速率较高的场合. SS:从设备选择信号线,也称片选信号线 每个从设备都有一个独立的SS信号线,信号线独占主机的一个引脚,及有多少个从设备就有多少个片选信号线, I2c是通过设备地址来寻址,选中总线上的某个设备并与其进行通讯. (SPi以SS线置低电平为开始信号,以ss线被拉高作为结束信号)摩托摩拉的标准 MOSI,主设备输出.从设备输入 MISO,主设备输入,从设备输出 1,QSPI初始化步骤 1)开启QSPI接口和相关IO的时钟,设置IO口的复用功能

目录 前言 bsp_spi.c bsp_spi.h bsp_flash.c bsp_flash.h 前言 SPI 介绍为搜集百度资料+个人理解 其余为原创(有误请指正) 集四种模式于一身 demo 采用MX25L64的FLASH芯片 bsp_spi.c /** ****************************************************************************** * @file bsp_spi.c * @author lzm * @versi

目录 FLASH简介 W25Q64 W25Q64简介 FLASH控制指令 FLASH内部存储结构 代码讲解 读取芯片ID 发送写使能信号 等待FLASH不忙 擦除扇区 写入数据 读取数据 注 FLASH简介 FLASH俗称闪存,和EEPROM一样,都是掉电数据不丢失的非易失行存储器,但FLASH的存储容量普遍大于EEPROM,现在像如U盘.SD卡.SSD固态硬盘以及STM32芯片内部存储程序的设备都是FLASH类型的存储器.由此可见FLASH对于我们学习和工作的重要性,EEPROM可以实现单字节

SPI总线 SPI 简介 SPI 的全称是"Serial Peripheral Interface",意为串行外围接口,是Motorola 首先在其 MC68HCXX 系列处理器上定义的.SPI 接口主要应用在 EEPROM. FLASH.实时时钟.AD 转换器,还有数字信号处理器和数字信号解码器之间.SPI是一种高速的,全双工,同步的通信总线,并且在芯片的管脚上只占用四根线,节约了芯片的管脚,同时为 PCB 的布局上节省空间,提供方便,正是出于这种简单易用的特性,如今越来越多的芯片集

SPI总线 SPI 简介 SPI 的全称是"Serial Peripheral Interface",意为串行外围接口,是Motorola 首先在其 MC68HCXX 系列处理器上定义的.SPI 接口主要应用在 EEPROM. FLASH.实时时钟.AD 转换器,还有数字信号处理器和数字信号解码器之间.SPI是一种高速的,全双工,同步的通信总线,并且在芯片的管脚上只占用四根线,节约了芯片的管脚,同时为 PCB 的布局上节省空间,提供方便,正是出于这种简单易用的特性,如今越来越多的芯片集

RAM和ROM总结 一.在解释之前先备注一些缩写的全称便于记忆: 1.EPROM:(Electrically Programmable Read-Only-Memory)电可编程序只读存储器 2.EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory) 电可擦可编程只读存储器 3.SRAM(Static RAM)静态RAM 4.DRAM(Dynamic RAM)动态RAM 5.DDR SDRAM (Double Date-Rate

先看效果图: 显示 频道CH , 频率 100.0Mhz 欢迎信息,1602 内置日文平假名, 正好用来显示博主名称. 焊接前,已经万能面包板上试验成功. 焊接完成以后,1602 的D0 - D7 接到了 P1 上面,为了布线简单,这里是接反的 P1.0 => D7 .. 实际写入 读取数据时,还需要转换高低位. 背面走线图 元件清单:stc89c52,  lcd1602,  tea5767完整版 , at24c04 , DS18B20 (未实现功能,打算后期在加一个 RTC 芯片,和 GPS

前言:经过几天修改,norflash控制器基本已经完成,通过仿真.完整的norflash包含2个模块:直接操作硬件的norflash_ctrl.v与控制ctrl模块的驱动norflash_driver.v.目前只具备扇区块擦除.单字节写.单字节读. 设计思路: norflash_driver模块:可以根据外部控制脉冲信号(可以是按键.开关.其他模块产生的脉冲信号)控制其在每个脉冲下产生相应的“指令.读写地址.待写数据.norflash请求”4种信号.指令可以预先用一个lut存储.用这种方式操作n

转自:http://blog.chinaunix.net/uid-28236237-id-4164656.html 综述 UBI全称Unsorted Block Images,是一种原始flash设备的卷管理系统.这个系统能在一个物理的flash设备上管理操纵多个卷并且能在整个flash芯片上实现损耗均衡. 从某种意义上说,UBI和LVM有点相似,LVM将逻辑扇区映射到物理扇区上面,UBI映射逻辑擦除块到物理擦除块.但是除了映射,UBI还实现了全局的损耗均衡和透明的I/O错误处理. 一个UBI卷

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写. ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算 机的内存.        RAM   有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但 是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(

NandFlash详述 转自:http://wenku.baidu.com/view/04d9330bb52acfc789ebc92f.html?re=view 1. 硬件特性: [Flash的硬件实现机制] Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device).这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的如硬盘,ROM等, 与此相对的,易失性就是断电

目录 一.SD卡概述 1.定义 2.容量等级 3.SD卡框图 4.SD卡与TF卡的区别 二. SD卡内部结构 1. SD卡内部结构简图 2. 存储阵列结构图 3.Buffer 4.“存储阵列Block”--最小的存储单元 5.SD卡的特殊功能寄存器 三.SDIO接口 四.SD卡协议的核心--数据读.写.擦除 1.SD卡写数据块 2.SD卡读数据块 3.擦除SD卡 五.SD卡物理层协议 1.接口 2.命令格式 3.响应格式 4.SD卡的工作状态 5.SD卡的两种状态信息 六.STM32与SD卡相配