管理 随笔- 17  文章- 1  评论- 1  电容有什么作用?为什么cpu电源引脚都并联一个电容?   正文: 参考资料:http://blog.sina.com.cn/s/blog_7880d3350101dsf9.html:http://www.dzsc.com/data/2015-9-16/108785.html: http://www.21ic.com/jichuzhishi/analog/questions/2013-05-16/181478.html: 电容主要有以下四种作用,分

1 稳压二极管 1.1 稳压二极管伏安特性曲线 ΔIz 这一段为能够达到比较好的稳压效果的稳压电流. 1.2 两种连接方法的比较 2 整流二极管 2.1 特点 用于把交流电变成脉动直流电 3 开关二极管 3.1 功能: 它是电路上位进行“开”.“关”作用而特殊设计的二极管. 它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短. 3.2 应用: 在电路中主要防止反向电流烧坏一些精密器件起保护作用. 3.3 典型电路: 1N4148就是一个开关二极管. 外界是负电压,电流要灌入U1时,D2会导

原文地址:https://mp.weixin.qq.com/s/0dAyTpAcQWXlYULqCeKgFA 每个集成电路(IC)都必须使用电容将各电源引脚连接到器件上的地,原因有二:防止噪声影响其本身的性能,以及防止它传输噪声而影响其它电路的性能. 电力线就像天线一样,可能会拾取其它地方的高频(HF)噪声,然后通过电场.磁场.电磁场和直接传导等方式耦合到系统中.电源端的高频噪声会影响许多电路的性能,因此,必须将IC电源上存在的任何高频噪声短接到地.为实现噪声短接,我们不能使用导体,因为它会造成

本节首先介绍常用的E系列标称方法,然后介绍电阻.电容器.电感器.二极管的分类.性能和识别方法,以及简单的实用电路. 一.E系列标称方法 厂家生产的电阻器,并不是包含任何阻值,就像人民币,只有1.2.5三种规格一样. 电阻器.电容器标称值系列通常采用E系列.E系列是一种由几何级数构成的数列.源自Electricity的第一个字母,它是以6√10 ＝1.5 .12√10＝1.2 .24√10＝1.1 为公比的几何级数,分别称为E6系列.E12系列和E24系列.E6系列适用于允差±20%的电阻.电容器

进入正题前,我们先来回顾下电容的充放电时间计算公式,假设有电源Vu通过电阻R给电容C充电,V0为电容上的初始电压值,Vu为电容充满电后的电压值,Vt为任意时刻t时电容上的电压值,那么便可以得到如下的计算公式: Vt = V0 + (Vu – V0) * [1 – exp( -t/RC)] 如果电容上的初始电压为0,则公式可以简化为: Vt = Vu * [1 – exp( -t/RC)]  (充电公式)  由上述公式可知,因为指数值只可能无限接近于0,但永远不会等于0,所以电容电量要完全充满,需

在一些PCB的layout中,大家往往会看到在I2C通信的接口处,往往会接入一个4.7K的电阻,有的datasheet上面明确有要求,需要接入,有的则没有要求.   I2C接口 对于单片机来讲,有些IO内部的上拉电阻可以使能,这样就省去了外部的上拉电阻,这是对于单片机带有标准I2C通信协议接口,若是只带有模拟I2C协议接口,那么就需要考虑接入上拉电阻问题.下图是摄像头进行配置通信时SCL和SDA需要进行上拉电阻的连接. 在大多数情况下,由于I2C接口采用Open Drain机制,器件本身只能输出

一.DDR电源简介 1. 电源 DDR的电源可以分为三类: a.主电源VDD和VDDQ,主电源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是给IO buffer供电的电源,VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用. 有的芯片还有VDDL,是给DLL供电的,也和VDD使用同一电源即可.电源设计时,需要考虑电压,电流是否满足要求,电源的上电顺序和电源的上电时间,单调性等.电源电压的要求一般在±5%以内.电流需要根据使用的不同芯片,及芯片个数等进行计算.由于DDR的电流一般都比较大,所以

中断,GPIO,I2C等一般都是OC或者OD门,芯片内部无上拉电阻时,则外部必须加上拉电阻才能输出高电平.一般I/O端的驱动能力在2-4mA量级,OC或者OD门的导通电压为0.4V左右,手机中加在上拉电阻上的电压一般都是2.8V,上拉电阻的最小值不能低于800R(2.8-0.4V/3mA=0.8K),5V电压时,则不能低于1.5K(5-0.4V/3mA=1.5K).中断和GPIO信号本身,只需要产生一个高电平即可,不需要驱动设备,上拉电阻可以取大点,减小功耗,但须注意上拉电阻不能太大,否则会和P

之前看到同事在电路设计里使用了超级电容来进行供电,好奇为什么没有用到普通的电池,于是就是找了找两个的区别.有篇文章讲得挺好,所以就直接翻译一下. 超级电容有点像普通电池和一般电容的结合体,能比一般的电容储存更多的电荷,相较于电池可以承受更高频率的充电放电行为. 超级电容和电池的主要差别如下: 1)  能量密度和功率密度 能量密度单位是Wh/kg,就是一千克的这种设备能储存多少能量.功率密度单位是w/g, 就是一克的设备的功率多大.功率密度往往是用来衡量引擎或者电源的实际表现情况.电池在能量密度上

在模块应用设计中,电源设计是很重要的一部分. 由于射频发射时,会在短时间有一个较大电流的突发脉冲.在突发脉冲阶段内,电源必须能够提供高的峰值电流,不然有可能会引起供电电压的跌落.   而很多初学的朋友在实际应用中电源使用不当,不仅无法保证工作稳定可靠,还可能导致模块烧毁. 如何正确进行电源设计?本文将给出相关设计参考. 如何减小电压跌落 模块电源VBAT电压输入范围为3.3V~4.3V,但是模块在射频发射时通常会在VBAT电源上产生电源电压跌落现象,这是由于电源或者走线路径上的阻抗导致,一般难以

电容三点式振荡器也称考毕兹(Colpitts,也叫科耳皮兹)振荡器,是三极管自激LC振荡器的一种,因振荡回路中两个串联电容的三个端分别与三极管的三个极相接而得名,适合于高频振荡输出的电路形式之一.电容三点式振荡电路有多种具体形式,其最核心也是最基本的原理都是一样的,如下图所示: 从上图可以看出,电容三点式LC正弦波振荡电路的重要特性是:与三极管发射极相连的两个电抗元件为相同性质的电抗元件,而与三极管集电极(或基极)相连接的电抗元件是相反性质的.如果合理设置电路参数使其满足起振条件,则电路将开始振

漏极开路上拉电阻取值为何不能很大或很小? 如果上拉电阻值过小,Vcc灌入端口的电流(Ic)将较大,这样会导致MOS管V2(三极管)不完全导通(Ib*β<Ic),有饱和状态变成放大状态,这样端口输出的低电平值增大(I2C协议规定,端口输出低电平的最高允许值为0.4V)       如果上拉电阻过大,加上线上的总线电容,由于RC影响,会带来上升时间的增大(下降延是芯片内的晶体管,是有源驱动,速度较快:上升延是无源的外接电阻,速度慢),而且上拉电阻过大,即引起输出阻抗的增大,当输出阻抗和负载的阻抗可以

首先是几份模版 最大流:虽然EK很慢但是优势就是短.求最小割的时候可以根据增广时的a数组来判断哪些边是割边.然而SAP的最大流版我只会套版,并不知道该如何找到这个割边.在尝试的时候发现了一些问题.所以暂且搁下.这个问题目前先就EK把 struct Edge { int u,v,next; LL cap,flow; }edge[MAXM]; int head[MAXN],tot; void add_edge(int u,int v,LL cap) { edge[tot].u = u; edge[t

为什么要用上拉电阻和下拉电阻?--避免输入引脚处于"悬空"状态 下图是一个没有使用上拉电阻/下拉电阻的电路图: 在按键没有按下时,要读取的输入引脚没有连接到任何东西,这种状态就称为"悬空". 由于附近引脚的电气噪声,从处于"悬空"状态的输入引脚读取到的数值会在高电平和低电平之间来回波动,得到一个不确定的值. 如果用串口监视器将 在没有使用上拉/下拉电阻的情况下 从一个数字引脚读取的输入打印出来,会得到图示的结果: 可以看到此时读取到的输入并不是一

CMOS Sensor的调试经验分享 我这里要介绍的就是CMOS摄像头的一些调试经验. 首先,要认识CMOS摄像头的结构.我们通常拿到的是集成封装好的模组,一般由三个部分组成:镜头.感应器和图像信号处理器构成.一般情况下,集成好的模组我们只看到外面的镜头.接口和封装壳,这种一般是固定焦距的.有些厂商只提供芯片,需要自己安装镜头,镜头要选择合适大小的镜头,如果没有夜视要求的话,最好选择带有红外滤光的镜头,因为一般的sensor都能感应到红外光线,如果不滤掉,会对图像色彩产生影响,另外要注意在PCB

转自:https://www.zhihu.com/question/21359049 作者:陈二发链接:https://www.zhihu.com/question/21359049/answer/69671935来源:知乎著作权归作者所有,转载请联系作者获得授权. 这几天组好了NAS,把方案分享出来给各位下片狂魔,好东西放在网盘里面会变成这个屌样:&lt;img src="https://pic2.zhimg.com/34b9a4e1b14c7cb4a252720cbad34465_b

首先是2440的存储控制器: 暂时不管是从nand启动还是nor启动,因为我现在只关注内存,从上图可以看到由2440的Memory Controller可以寻址的范围是0x0000,0000---0x4000,0000,总共是1G,这1G又分为8个bank,bank0-bank7,每个bank为128M, 8*128M＝1G.其中bank0-bank5这6个bank是只能接SROM,那么什么是SROM,2440数据手册的221页说明了,SROM是ROM或者SRAM. 通用存储设备: 内存存储设备

reprint from:http://blog.csdn.net/hemeinvyiqiluoben/article/details/9253249 TTL和COMS电平匹配以及电平转换的方法 一．TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V电源. 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V,Uil≤0.8V 二．C

作为应用工程师,我们经常遇到各种有关差分输入型高速模数转换器(ADC)的驱动问题.事实上,选择正确的ADC驱动器和配置极具挑战性.为了使鲁棒性ADC电路设计多少容易些,我们汇编了一套通用“路障”及解决方案.本文假设实际驱动ADC的电路——也被称为ADC驱动器或差分放大器——能够处理高速信号. 引言大多数现代高性能ADC使用差分输入抑制共模噪声和干扰.由于采用了平衡的信号处理方式,这种方法能将动态范围提高2倍,进而改善系统总体性能.虽然差分输入型ADC也能接受单端输入信号,但只有在输入差分信号时才

http://www.dz3w.com/info/interface/0075524.html http://wenku.baidu.com/view/02cc247c27284b73f24250e3.html 串行通信接口标准经过使用和发展,目前已经有几种.但都是在RS-232标准的基础上经过改进而形成的.所以,以RS-232C为主来讨论. 在讨论RS-232C接口标准的内容之前,先说明两点.首先,RS-232-C标准最初是远程通信连接数据终端设备DTE(Data Terminal Equip

用单片机于MRFC522与单片接时,加上485通讯后出现很诡异的像: 只要485芯片上有收到外部发送的信号时RC522就死掉,经过仿真卡在了SPI的收发部分(等待回复) u8 MFRC522WriteByte(u8 Byte) { {int i = 0; while((SPI1->SR&0X02)==0 && i < 0xff) i++;} //等待发送区空 SPI1->DR=Byte; //发送一个byte {int i = 0; while((SPI1->