之前我们发布过金士顿DT100 G3的黑片量产工具教程,因为白片的MPALL量产工具无法量产,所有版本的Phison_MPALL都爆红,最近出了新的白片MPALL V5.03.0A版本,所以试了一下结果成功了,先上图 可以看到这次量产的是东芝闪存颗粒,之前的是海力士的.具体量产教程如下:1.下载MPALL_F1_7F00_DL07_v503_0A2.打开文件夹中检测工具Getinfo v3.10.7.6,发现主控是PS2251-07,颗粒是东芝的TLC 3.打开文件夹中的MPALL_F1_7F0

影驰首发PCIe 4.0 SSD:群联AMD合作主控飚出5GB/s https://www.cnbeta.com/articles/tech/851275.htm 硬件发展的真快.. AMD刚刚发布的第三代锐龙3000处理器.X570芯片组主板是首个支持PCIe 4.0的消费级平台,飞速发展的SSD固态硬盘则第一个享受到了PCIe 4.0带来的红利.台北电脑展上,群联电子发布了首个支持PCIe 4.0的主控方案,影驰则揭开了首款PCIe 4.0 SSD的神秘面纱. 群联电子透露,2018年第三季

前言:U盘被写保护,真的很醉人啊~~      群联MPALL是一款群联PS2251系列主控量产修复工具,本版本支持PS2251-67.PS2251-68.PS2251-02.PS2251-03.PS2251-07等众多主控.支持将U盘分为2个分区,并设置每个分区的模式,支持制作CD-ROM优盘启动盘,可以给U盘进行低级格式化,设置分区类型为隐藏分区.可移动盘及固定磁盘. 下载群联MPALL工具地址:https://www.jb51.net/softs/566623.html#download,

紫光与群联联盟,长江存储NAND+群联主控+紫光品牌SSD可期 全国产的 SSD https://baijiahao.baidu.com/s?id=1620789429952097018&wfr=spider&for=pc 超能网 18-12-2510:34 紫光集团是中国发展存储芯片的急先锋,前两年收购了武汉新芯科技成立了长江存储,主要研发.生存NAND闪存,此外紫光旗下还有做DDR内存的紫光国微.做存储解决方案的紫光存储等子公司.昨天下午紫光存储与群联公司达成了战略合作协议,未来双方将

文档标识符:NS1081_FLASH-DRIVE_D-P9 作者:DLHC 最后修改日期:2020.8.22 本文链接:https://www.cnblogs.com/DLHC-TECH/p/NS1081_FLASH-DRIVE_D-P9.html  完成后 图0.0-完成后 量产工具.数据手册和详细教程 链接(1):百度100KB/s网盘 提取码:vkmn 链接(2):蓝奏云 前言 主控:采用瑞发科公司的NS1081主控制器,其USB接口支持USB SuperSpeed (5Gbps). Hi

还原成一个可移动磁盘教程,只是在"分区设置"中将 "模式=21" 改为 "模式=3" 即可. 1. 打开:"MPALL_F1_9000_v329_0B"进入量产界面: 2. 点击"Setting"进入设定画面: 选择"New Seting"."Advance Setting"点"OK",进入设定画面: 3. IC_FW选项卡设定: 语言勾选&quo

量产前准备: 1. 插上U盘,(台式机的话插机箱后面) 2. 一台电脑,最好不要装杀毒软件(特别是360) 3. ISO镜像文件 4. 下载MPALL v3.29.0B.zip 请先耐心看完教程: 1. 打开:"MPALL_F1_9000_v329_0B"进入量产界面: 2. 点击"Setting"进入设定画面: 选择"New Seting"."Advance Setting"点"OK",进入设定画面: 3

闪存主要是由闪存芯片.主控芯片.晶振.PCB板等部件组成的.其中主控芯片相当于闪存的“灵魂”,它控制着闪存的工作.主控芯片也是处理单元,在里面写入的程序对整个电路做控制.主控IC是把flash跟host 连接的桥梁,它可以决定flash的可用空间,还有LBA <-->PBA,平均抹除.耗损均衡等算法的实行.

文档标识符:AU6989_FLASH-DRIVE_D-P8 作者:DLHC 最后修改日期:2020.8.22 本文链接: https://www.cnblogs.com/DLHC-TECH/p/AU6989_FLASH-DRIVE_D-P8.html 完成后 图0.0-完成后 量产工具.闪存支持列表.数据手册和教程 链接(1):百度100KB/s网盘 提取码:uwyr 链接(2):蓝奏云 前言 主控:采用安国AU6989主控制器,接口为USB2.0(全速),板子上可以焊接一块存储器芯片(封装为T

早期的闪存产品每个厂家的设计标准各有不同,会碰到各种各样的问题,特别是到了06年之后,闪存产业市场需求开始发力,造成了迫切需要一个统一的标准来改变这个问题. 2007年1月,以英特尔,镁光,海力士,意法半导体,力晶为首的NAND闪存厂商和控制芯片开发商台湾群联电子以及产品厂商索尼等宣布统一制定连接NAND闪存和控制芯片的接口标准“ONFI 1.0”.       ONFI 1.0制定的是包括:闪存指令,寄存器集,引脚排列,电气参数以及封装等有关标准.主要是从包括东芝和三星在内各NAND闪存厂商的

国产闪存颗粒终于熬出头 紫光存储S100固态硬盘评测 https://www.cnbeta.com/articles/tech/830875.htm 全国产的 SSD 群联貌似是对岸的 不过不管怎么说 也是国产了.   2017年以来,随着NAND颗粒价格的大起大落,固态硬盘产品也出现了成倍的价格上涨和近期的大幅度下落.这背后与国际大厂的默契操盘有着躲不开的关系.NAND颗粒作为广泛引用于PC.移动设备和各类存储设备的重要基础产品,对各大产业的影响不言而喻.这也是为什么近两年中国会大力投资相关产

本文转载自:https://blog.csdn.net/Blazar/article/details/77843655 快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器.这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘.闪存是非易失性的存储器,所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的. 硬盘相比,闪存也有更佳的动态抗震性.这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因.闪存还有一项特性:当

作者:范德成链接:https://www.zhihu.com/question/56251636/answer/157021710来源:知乎著作权归作者所有.商业转载请联系作者获得授权,非商业转载请注明出处. 偶自打四年前用上Sandisk Extreme CZ80 32GB以后,使用的高速U盘全是内置SSD主控的了.比较: 金士顿 DataTraveler G2 32GB(非SSD主控):读取15MB/s,写入5MB/s. 东芝隼 32GB(非SSD主控) 读取:20MB/s,写入:开头15M

一直以来,大家对手机的配置方面都比较关注CPU和GPU的架构.频率.核心数等,却经常忽略了手机闪存的速度.实际上手机的闪存素质对手机日常操作的响应.载入速度同样起到举足轻重的影响,今天给大家介绍的则是一款可以测试手机闪存速度的应用——A1 SD Bench. A1 SD Bench是一款可以测试手机内置闪存.外置TF卡.外置储存设备.RAM速度的应用,在Google Play上即可搜索到,考虑到最近“网络环境”比较封闭,我们这里也提供下载链接:猛击这里(如假包换Google Play下载的最新2

Oracle数据库部分迁至闪存存储方案 1.实施需求 2.确认迁移表空间信息 3.确认redo信息 4.确认undo信息 5.表空间迁移到闪存 6.redo迁移到闪存 7.undo迁移到闪存 8.备库修改参数 环境:Oracle 11.2.0.4 RAC(2 nodes) 说明:假设新增闪存挂载点是/flash(使用了第三方的集群文件系统),如果是使用Oracle的ASM,则本文提及的所有/flash目录都可以认定是新的闪存磁盘组是+FLASH. 1 实施需求 为提高数据库IO性能,采购了全闪存

2018年,NAND闪存全年供过于求,价格一直下跌,导致西数.东芝等厂商毛利率大幅下滑.如今到了2019年,情况会有所好转吗? 近日,集邦科技旗下半导体研究中心DRAMeXchange发布调查报告指出,2019年笔记本电脑.智能手机.服务器等主要需求表现难见起色,预计去年的产能过剩依然难以缓解. 调查指出,2018年NAND闪存供过于求难以遏制,韩系供应商带头降低资本支出,NAND闪存总体资本支出下调近10%,但整体供需失衡情况依然没有逆转. 2019年,美系厂商也开始减少资本支出,NAND闪存

Hardy 架构师技术联盟 All Flash/SSD存储的趋势势不可挡,未来在NAS服务上也是如此,眼下已经有非常多家初创厂商支持全SSD的NAS存储服务,包含EMC Isilion也推出了全闪存节点. 闪存场景下的高IOPS能力,相应到NAS应该是OPS操作能力.如随机小文件读写.分析和热点加速等.在NAS对数据库的支持上.比如GPFS NAS 对PureScale.Oracle支持上.假设存储介质採用SSD.那么对数据库性能和处理能力上,将会有显著的提升. 今天我们来看看Purestora

NANDflash和NORflash的区别(设计师在使用闪存时需要慎重选择)     NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR

转自:http://qiaodahai.com/solid-state-drives-ssd-and-flash-memory.html 固态硬盘SSD(Solid State Drive)泛指使用NAND Flash组成的固态硬盘,其特别之处在于没有机械结构,利用传统的NAND Flash特性,以区块写入和抹除的方式作读写的功能,因此在读写的效率上,非常依赖读写技术上的设计,与目前的传统硬盘相较,具有低耗电.耐震.稳定性高.耐低温等优点. 世界上第一款固态硬盘出现于1989年,不过由于其价格过

1.转载:Optane Memory 2.构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存,SLC.MLC和TLC三者都是闪存的类型 需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数,不是读出的次数,因为读取对芯片的寿命影响不大. 首先就要说说TLC是什么.简单来说TLC就是一种成本上相对比较偏向性价比的闪存颗粒 SLC MLC TLC规格对比 TLC其实只是一个形容词,我们所说的TLC指的是TLC闪存,而其中的TLC指的是Triple Level Cell,直接翻译过来叫做3阶单元,比较通俗的意思就是