运算放大器大多数都是双电源的,这就要求有正负基准电压,除了从稳压源直接输出电压外,很多时候都是一个单电源对整个电路供电,这就要求要把正电压转换成负电压,从而产生正负的电压基准,对双电源运算放大器进行供电. 电路一:一个负精确电压基准通过使用MCP1525 或MCP1541 来产生如图所示 在这个电路中使用MCP606 和两个等值的电阻实现电压隔离.MCP1525电压基准的输出电压驱动R1,R1和MCP606放大器的反向输入连接.既然放大器的输入为0,第二个10KΩ电阻器被放置在放大器的反馈回路放

AD_TLC549采集模拟信号 实验原理 芯片介绍 TLC549是 TI公司生产的一种低价位.高性能的8位A/D转换器,它以8位开关电容逐次逼近的方法实现 A/D转换,其转换速度小于 17us,最大转换速率为 40000HZ,4MHZ典型内部系统时钟,电源为 3V至 6V.它能方便地采用三线串行接口方式与各种微处理器连接,构成各种廉价的测控应用系统. TLC549 引脚图及各引脚功能 TLC549引脚图 REF+:正基准电压输入 2.5V≤REF+≤Vcc+0.1. REF-:负基准电压输入端,

从2019年12月27到2020年2月12日,学习了Simulink仿真及代码生成技术入门到精通,历时17天. 学习的比较粗糙,有一些地方还没理解透彻,全书梳理总结: Simulink的基础模块已基本掌握,对不熟悉的模块可以借助帮助文档了解其功能: Simulink信号基本掌握,了解了各种信号的外观及意义的不同: 对Simulink子系统的认识有待深入,对原子子系统需要进一步熟悉: 对仿真过程及参数配置有所了解,对Debugger的应用不太熟悉: 对回调函数有所认识,能够简单应用到参数预加载等场

MOSFET, MOS管, 开关管 MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 金属氧化物半导体场效晶体管 常见封装 电路符号 MOSFET 的三端标记分别为 G, S, D(Gate, Source, Drain), 电路符号有多种形式, 最常见的如下图所示, 以一条垂直线代表沟道(Channel), 两条和沟道平行的接线代表源极(Source)与漏极(Drain), 左方和沟道垂直的接线代表栅极(Gate). 有时也会

一.典型电路 1.电路1 说明: GND-IN 为电源接口的负极 GND 为内部电路的公共地 原理分析 正向接: VCC-IN通过R1.R2.MOS体二极管,最后回到GND-IN;然后GS电压升高,紧接着SD沟道形成:沟道电阻很小,将MOS体二极管短路. 反向接:MOS体二极管截至 2.电路2 说明: GND-A-24V 为电源接口的负极 GND-A    为内部电路的公共地 原理分析 正向接: VCC-IN通过R1.R2 ,最后回到GND-IN;然后GS电压升高,紧接着SD沟道形成,GND-A

http://anlx27.iteye.com/blog/1583089 学过模拟电路,但都忘得差不多了.重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创.如有错误还请多多指点! 先上一张图 一. 一句话MOS管工作原理 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了.          PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMO

mos管的基本参数,大家熟悉的必然是Ids电流,Ron导通电阻,Vgs的阈值电压,Cgs.Cgd.Cds这几项,然而在高速应用中,开关速度这个指标比较重要.<ignore_js_op> 上图四项指标,第一项是导通延时时间,第二项是上升时间,第三项是关闭延时时间,第四项是下降时间.定义如下图:<ignore_js_op> 在高速H桥应用中,MOS管内部的反向并联寄生二极管的响应速度指标Trr,也就是二极管的反向恢复时间这个指标很重要,否则容易炸机,下图为高速二极管.<ignor

在电路设计当中假设我们想要对电流中止控制,那就少不了三极管的帮助.我们俗称的三极管其全称为半导体三极管,它的主要作用就是将微小的信号中止放大.MOS管与三极管有着许多相近的地方,这就使得一些新手不断无法明白两者之间的区别,本篇文章就将为大家引见三极管和MOS管的一些不同. 关于三极管和MOS管的区别,我们简单总结了几句话便当大家理解. 从性质上来说:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制. 从本钱上来说:三极管低价,MOS管贵. 关于功耗问题:三极管损耗大. 驱动能力上的的不同:MOS管常用于电

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

节选自 http://www.dianyuan.com/bbs/987183.html [草根大侠]贴 关于MOS管导通内阻和米勒电容(Qgd)差异对效率的影响 http://www.epc.com.cn/subject/200910/13172.html 理解功率MOSFET的开关损耗(图) 最近做了一款正激有源钳位电源,DC48输入,DC28V输出,功率200W,频率100K.下边分别说说MOS管的差异 1.主MOS管用的IRF640,钳位管也用的IRF640 ,输出整流管用的MBR2020

二极管反向恢复时会产生浪涌电压,这里RC主要是吸收二极管D1产生的浪涌电压,防止二极管损坏. 寄生电容:寄生电容一般是指电感,电阻,芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性.实际上,一个电阻等效于一个电容,一个电感,和一个电阻的串联,在低频情况下表现不是很明显,而在高频情况下,等效值会增大,不能忽略.在计算中我们要考虑进去.ESL就是等效电感,ESR就是等效电阻.不管是电阻,电容,电感,还是二极管,三极管,MOS管,还有IC,在高频的情况下我们都要考虑到它们的等效电容值,电感值. 浪涌电压:电路

#include<iostream> #include<algorithm> #include<cstring> using namespace std; const int N=510,M=1e4+10; int n,m,k,dis[N],backup[N]; //dis数组表示dis[i]到起点的距离. struct { int a,b,w; }edge[M]; //bellman-ford可以求出来图中有没有负权回路. //迭代k次返回的数表示:从起点经过不超过k

引言 本来是数字电路学习时很重要的考点,但是总容易忘掉,所以记录一下~ 内容 TTL TTL电路中的TTL是Transistor-Transistor-Logic的英文缩写,指的是晶体管逻辑电路,即TTL门是又三极管组成的. 由三极管的阻抗特性可知,当输入端串联电阻时,会影响TTL电路的输入电压,当输入端串联电阻大于1kΩ时,即使串联电阻后接地,其输入端的电压相当于高电平. 所以针对TTL门可以展开讨论: (1)与门.与非门.悬空输入可以是 a.接到VDD b.与一条输入并联 c.串联大于1kΩ

转自嵌入式单片机之家公众号 问题的提出 电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避免的.所以,我们就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的目的 01二极管防反接 通常情况下直流电源输入防反接保护电路是运用二极管的单向导电性来完结防反接保护.这种接法简略可靠,但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的.以输入电流额定值抵达2A,如选用Onsemi的快速恢复二极管  MUR3020PT,额定管压降为0.7V,那么功耗至少也要抵达:Pd＝2A×0.7V＝1.4W,这样功率低,发

目录 MOSFET, MOS管基础和电路 MOS管实现的STC自动下载电路 三极管配合 PMOS 管控制电路开关 STC MCU在烧录时, 需要断电重置后才能进入烧录状态, 通常是用手按开关比较繁琐. 如果利用STC-ISP在烧录开始时会拉低RTS的特性, 可以实现烧录开始时自动断电复位. 电路仿真测试 下面的电路适用于烧录下载STC MCU. 使用LTspice模拟. V2 为方波, 电压[0, 3.3V], 宽度1.5s 以下为模拟输出, 绿色为三极管基极电压, 红色为MOS管栅极(Gate

W3C规范在介绍margin时有这样一句话: Negative values for margin properties are allowed, but there may be implementation-specific limits. 于是,聪明的开发者们就发现了很多负边距的巧妙用法. 比如,他可以增加一个不定宽块框的宽度,他可以让一个框向上移动去覆盖另一个框,他可以让文字移动去覆盖文字,也可以让浮动框移动去覆盖另一个浮动框. 利用这些特点,我们可以实现圣杯布局和双飞翼布局.等高布局.

同早年~ 问题描述 在xx项目中,羊城通卡号的输入框处使用了xx库中的实现方式,即将提示文字标签<label>通过负margin移位到<input>框的下面.静态时展现良好,js逻辑添加后发现,输入文字时<input>框会抖动.排查后发现,是重置了<label>的负margin值引起的.这引起了我对负margin定位的兴趣,于是乎,做了个简单的测试. Demo测试 初始状态: 图 (1) 灰框 {margin-bottom:-10px;}: 图 (2) 灰框

You are given a string, s, and a list of words, words, that are all of the same length. Find all starting indices of substring(s) in s that is a concatenation of each word in words exactly once and without any intervening characters. For example, giv

自从1998年CSS2作为推荐以来,表格的使用渐渐退去,成为历史.正因为此,从那以后CSS布局成为了优雅代码的代名词. 对于所有设计师使用过的CSS概念,负边距作为最少讨论到的定位方式要记上一功.这就像是在线纹身-每个人都会做,但是没有人会谈论它.(It’s like an online taboo—everyone’s doing it, yet no one wants to talk about it.) 为其正名 我们都使用过CSS得外边距,但是当谈到负边距的时候,我们好像往差的方向发展

css中的负边距(negative margin)是布局中的一个常用技巧,只要运用得合理常常会有意想不到的效果.很多特殊的css布局方法都依赖于负边距,所以掌握它的用法对于前端的同学来说,那是必须的.本文非常基础,老鸟可以略过. 负边距在普通文档流中的作用和效果 那些没有脱离文档流的元素(指不是浮动元素也不是绝对定位.固定定位的元素等),其在页面中的位置是跟随者文档流的变化而变化的.看下面这幅图: 负边距对这些由文档流控制的元素的作用是,会使它们在文档流中的位置发生偏移,但这种偏移不同于相对定位