SRAM即静态随机存取存储器.它是具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路便能保存它内部存储的数据.在工业与科学用的很多子系统,汽车电子等等都用到了SRAM.现代设备中很多都嵌入了几千字节的SRAM.实际上几乎所有实现了电子用户界面的现代设备都可能用上了SRAM,如数码相机.手机.音响合成器等往往用了几兆字节的SRAM. 实时信号处理电路往往使用双口的SRAM.下面介绍一下关于静态存储SRAM芯片的设计   一个SRAM基本单元有0和1两个电平稳定状态.   SRAM基本单元主要由两个CMOS反相

现代计算机的各个部件到底是如何通过逻辑电路构成的呢   半加器 我们说过了门电路 看似简单的三种门电路却是组成了整个逻辑电路的根基 真值表--其实就是根据输入输出状态枚举罗列出来的所有可能 比如有一台设备,他有两个输入A和B 无论何时,他们都有电或者都没有电的时候是正常,任何一个有电就是不正常 那么他的真值表就是这样子的 AB表示输入  F表示输出

静态存储器SRAM是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的存储器.在SRAM 存储阵列的设计中,经常会出现串扰问题发生.那么要如何减小如何减小SRAM读写操作时的串扰,以及提高SRAM的可靠性呢,下面宇芯来简单介绍. 设计结果与仿真分析图1为脉冲产生电路通过analog Environment的仿真波形图.当地址产生变化,由于信号经过的延迟路径长短不同而产生了脉冲,当V1脉冲生成时,作为灵敏放大器输入端电位平衡的控制信号,缩短了预充时间,大大提高了读取速度.V2 作为位线预充电路的控制信号,

下面是网上看到的一些关于内存和CPU方面的一些很不错的文章. 整理如下: 转: CPU的等待有多久? 原文标题:What Your Computer Does While You Wait 原文地址:http://duartes.org/gustavo/blog/ [注:本人水平有限,只好挑一些国外高手的精彩文章翻译一下.一来自己复习,二来与大家分享.] 本文以一个现代的.实际的个人电脑为对象,分析其中CPU(Intel Core 2 Duo 3.0GHz)以及各类子系统的运行速度——延迟和数据

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铁电存储器与传统存储器的区别. 一:易失性的存储器包括静态存储器SRAM和动态存储器DRAM.           优点:读写速度快,读写寿命无次数限止.           缺点:掉电会丢失数据.                  二:现在非易失性存储器包括EEPROM和Flash,不过它们都是在ROM技术上发展而成的.           优点:掉电数据会保存.           缺点:写入时间慢(一般每写入一次,需要一个5至10毫秒时间的缓冲或预冲)                 高压

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FPGA组成.工作原理和开发流程 备注:下面的描述基于ALTERA系列的FPGA芯片,而且是第一次学习FPGA,其中的一部分内容是参考一些资料总结的,个人独特的分析和见解还偏少. 1. FPGA概述 FPGA是英文Field Programmable Gate Array的缩写,即现场可编程门阵列,它是在PAL.GAL.EPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物.它是作为专用集成电路(ASIC)领域中的一种半定制电路而出现的,既解决了定制电路的不足,又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点 2

FPGA组成.工作原理和开发流程 原创 2012年01月07日 09:11:52 9402 0 4 ********************************LoongEmbedded******************************** 作者:LoongEmbedded(kandi) 时间:2012.1.7 类别:FPGA开发 ********************************LoongEmbedded*******************************

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DRAM芯片战争,跨越40年的生死搏杀 超级工程一览 ·2017-08-20 12:50·半导体行业观察 阅读:1.4万 来源:内容来自超级工程一览 , 谢谢. DRAM是动态随机存储器的意思,也就是电脑内存.对于今天的消费者来说,电脑内存只是些绿色的小条条,售价不过几百元.然而这些小玩意,却走过了长达120年的复杂演进历史.从百年前的穿孔纸卡.磁鼓.磁芯到半导体晶体管DRAM内存.人们已经很难想象,一个电冰箱大小的计算机存储器,只能存储几K数据,售价却高达几万美元.在中国市场,1994年的时候

u-boot分析(五) 上篇博文我们按照210的启动流程,对u-boot启动中的设置异常向量表,设置SVC模式进行了分析,今天我们继续按照u-boot的启动流程对以下内容进行分析. 今天我们会用到的文档: Arm9内核手册:http://download.csdn.net/detail/wrjvszq/8358867 Arm11内核手册:http://download.csdn.net/detail/wrjvszq/8358877 Arm a8内核手册:http://download.csdn.

好的时序是通过该严密的逻辑来实现的.http://blog.csdn.net/i13919135998/article/details/52117053介绍的非常好 有RAM(随机存储器可读可写)ROM(只读存储器:存储内容是固定不变的,只能读出不能写入的半导体存储器.)CAM(内容可寻址存储器).DRAM(动态随机存储器).SRAM(静态随机存储器).FLASH(闪存).FIFO(先入先出缓存器) 表格总结 存储器 功能 寻址方式 掉电后 说明 随机存取存储器(RAM) 读.写 随机寻址 数据

常见存储器概念:RAM.SRAM.SDRAM.ROM.EPROM.EEPROM.Flash存储器可以分为很多种类,其中根据掉电数据是否丢失可以分为RAM(随机存取存储器)和ROM(只读存储器),其中RAM的访问速度比较快,但掉电后数据会丢失,而ROM掉电后数据不会丢失. 在单片机中,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. FLASH:单片机运行的程序存储的地方. SRAM:存储单片机运行过程中产生的了临时数据.

RAM可分为SRAM(Static RAM/静态存储器)和DRAM(Dynamic RAM/动态存储器).SRAM是利用双稳态触发器来保存信息的,只要不掉电,信息是不会丢失的.SRAM存储元件所用MOS管多,占硅片面积大,因而功耗大,集成度低:但因为采用一个正负反馈触发器电路来存储信息,所以只要直流供电电源一直加在电路上,就能一直保持记忆状态不变,所以无需刷新.也不会因为读操作而使状态发生改变,特别是它的读写速度快,其存储原理可看作是对带时钟的RS触发器的读写过程.由于SRAM价格比较昂贵,因而