分简单,仅由3个电阻加一个MOS管构成,电路图如下: 此电路来自于飞利浦的一篇设计指导文档,是I2C总线官方推荐使用的电平转换电路.在实际使用过程中,需要尤其注意NMOS管的选型以及上拉电阻阻值的选取.由于该电路基于上拉电阻,NMOS管的电容特性可能会导致波形劣化.为了保证输出的上升速度,使得输出波形维持较好的形状以保证数据正确,通常选择Qg较小的NMOS管. 上图中,SDA1/SCL1,SDA2/SCL2为I2C的两个信号端,VDD1和VDD2为这两个信号的高电平电压.电路应用限制条件为: 1

http://www.amobbs.com/thread-5541344-1-2.html 3.3V转5V:S3输入为0V时,NMOS管导通,S5＝S3＝0V:S3输入为3.3V时,NMOS管截止,S5上拉到5V: 5V转3.3V:S5输入为0V时,NMOS管体二极管导通,S3＝0.7V,此时NMOS管导通,S3＝S5＝0V:S5输入为5V时,NMOS管截止,S3上拉到3.3V. NMOS管可以选用BSS138 R2可以省略,NMOS管G极可以直接连接到3.3V电源,R2的作用是改善EMI性能.

最近在分析波形的时候,发现某个PAD模型的行为与想象的不一致,就进入stdcell里面看了下,主要是pmos和nmos相关的东西,暂列如下: 开关级基元14种 是实际的MOS关的抽象表示,分电阻型(前缀r表示)和非电阻型: (1)MOS开关 ·nmos开关:控制信号高,开关导通,否则关闭: ·pmos开关:控制信号低,开关导通,否则关闭: ·cmos开关:模拟了nmos和pmos开关的组合,一般ncontrol和pcontrol是互补信号:coms 实例名(out,data,ncontrol,p

Verilog中已有一些建立好的逻辑门和开关的模型.在所涉及的模块中,可通过实例引用这些门与开关模型,从而对模块进行结构化的描述. 逻辑门: and (output,input,...) nand (output,input,...) or (output,input,...) nor (output,input,...) xor (output,input,...) xnor (output,input,...) 缓冲器和与非门 buf (output,...,input) not (outp

了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管.NMOS做下管比较方便.使用PMOS做下管.NMOS做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用. 下面先了解MOS管的开通/关断原理,请看下图: NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高):而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比G电位高),下面以导通压差6V为例. NMOS管 使用NMOS当下管,S极直接接

方案一 输入3.3(可为2.7~14v):输出5v,700ma.已经过实际验证. 其中:C1,C2为贴片陶瓷电容,Cf也为贴片陶瓷电容,L1为6.8uH 电感 输出值只和R1,R2的值有关,但手册中又说输出越大L1应该加大. 方案二 1． Diode采用肖特基二极管(正向压降约为0.2V) , 如IN5819 , IN58222．电容:采用钽电容,47uF 开关电压芯片中用到的电容一般选择陶瓷电容:因为陶瓷电容拥有最小的串联阻抗和最高的共振频率

杰杰 物联网IoT开发 2017-10-12 大家好,我是杰杰.       今晚,设计电路搞了一晚上,终于从模电渣渣的我,把MOS管理解了那么一丢丢,如有写的不好的地方,请指出来.谢谢.       我带的师弟选的题目是  自动恒温控制的系统   ,打算用闭环的控制,对比继电器,MOS管更精确的控制一点.所以才用上MOS管. 在数字电路中使用三极管就可以做开关,但是一般是用于控制小信号.对于大电流,三极管发热会比较严重. mos管因为导通电子非常小,所以特别适合控制大电流的电路. 不会用mos

上一篇,用 GPIO 直接供电给 LED,用高低电平作开关,不靠谱.GPIO 是信号用的,不是当电源用的.而且,一个 GPIO 只能给可怜的 5mA 左右,取多了会烧(我没烧过不知道是不是真的会烧,但说明书上面是这样写).这样玩不过来,所以我做了以下三极管实验. 2N3904 参数请点击这里.不推荐这个,lcm 是 200mA,但我只有它,没办法.三极管,我当作开关用. 先用面包板试一次: 我准备用 BBB 3.3V 取电,2N3904 ,lcm 200mA,就是 C 脚只能 200mA 上限,

源:5V与3.3V器件电平转换 当你使用3.3V的单片机的时候,电平转换就在所难免了,经常会遇到3.3转5V或者5V转3.3V的情况,这里介绍一个简单的电路,他可以实现两个电平的相互转换(注意是相互哦,双向的,不是单向的!).电路十分简单,仅由3个电阻加一个MOS管构成,电路图如下: 上图中,S1,S2为两个信号端,VCC_S1和VCC_S2为这两个信号的高电平电压.另外限制条件为: 1,VCC_S1<=VCC_S2. 2,S1的低电平门限大于0.7V左右(视NMOS内的二极管压降而定). 3,

[博客大赛]使用LM2677制作的3V至24V数控可调恒压源   http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_3013105.HTM LM2677,是TI公司生产的高效率5A开关buck稳压器,由于它内部具备的low ON-register DMOS功率开关,使得它能够驱动大电流负载.LM2677有+3.3V.+5V.+12V和AJUSTABLE四个版本,其中AJUSTABLE的输出范围是1.2V~37V,使用它可以做一个可调的恒压源. 官方手册中给出的AJUSTA

开关button也是在项目中经经常使用到的控件,github上有开源的项目,我们研究下它的用法: 1.SlideButton.java: /* * Copyright (C) 2015 Quinn Chen * * Licensed under the Apache License, Version 2.0 (the "License"); * you may not use this file except in compliance with the License. * You

MEDICI仿真NMOS器件晶体管 TITLE     TMA MEDICI Example 1 - 1.5 Micron N-Channel MOSFET 给本例子取的标题,对实际的模拟无用 COMMENT语句表示该行是注释 MESH      SMOOTH=1 创建器件结构的第一步是定义一个初始的网表(见图1),在这一步中网表不需要定义得足够精确,只需要能够说明器件的不同区域,在后面我们会对该网表进行优化.网表的生成是由一个MESH语句开始的,MESH语句中还可以对smoothing进行设置

常用的20V和24V转5V,3.3V的LDO稳压和DC-DC降压芯片: PW6206系列是一款高精度,高输入电压,低静态电流,高速,低压降线性稳压器具有高纹波抑制.输入电压高达40V,负载电流高达100mA,采用BCD工艺制造.PW6206提供过电流限制.软启动和过热保护,以确保设备在良好的条件下工作 PW6206调节器有标准SOT89-3L和SOT23-3L封装.标准产品无铅无卤. 特点 输入电压:4.75V~40V 输出电压:1.8V~5.7V 输出精度:<±2% 输出电流:100mA(典型

PW5328B是一个恒定频率, 6引脚 SOT23电流模式升压转换器,用于小型低功耗应用. PW5328B的开关频率为 1.2MHz,允许使用微小的.低成本的电容器和电感器.内部软启动导致小涌流和延长电池寿命. PW5328B输入电压2V-24V,可以满足2V升3V输出1A的设计要求. PW5100是输入电压0.7V-5V,可以满足2V升3V输出0.5A的设计要求.外围最少,功耗最低10uA PW5200A是输入电压1V-4.4V,可以满足2V升3V输出0.5A的设计要求.

1.5V升3V的升压芯片,3V给LED供电,或者单片机模块供电等. PW5200A工作频率为1.4MHZ.轻载时自动PWM/PFM模式切换,提高效率. PW5200A能够提供2.5V和5V之间的可调输出电压,内部同步整流开关,节省了肖特基的情况下提高了效率.PW5200A的输入电压是1V-4.4V之间,适合1-2节干电池或者锂电池输入. PW5100是同步升压芯片,输入电压范围0.7V-5.5V,输出电压固定3.3V,3V,5V等.超低功耗升压芯片

原文地址点击这里: 在前一节,我们对PMOS与NMOS两种增强型场效应管的开关电路作了详细的介绍, 并且还提到过一种广为流传的说法:相对于NMOS管,PMOS管的沟道导通电阻更大.速度更慢.成本更高等,虾米情况?我们还是从头说起吧! 如果读者有一定的电子技术应用经验的话,对NMOS管开关电路的使用场合肯定是如数家珍,几乎所有的开关电源拓扑都偏向于使用NMOS管(而不是PMOS管),如正激.反激.推挽.半桥.全桥等拓扑,NMOS管的应用电路案例真心不要太多,如下图所示(当然,这些也并不全是完全独立

MOSFET, MOS管, 开关管 MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 金属氧化物半导体场效晶体管 常见封装 电路符号 MOSFET 的三端标记分别为 G, S, D(Gate, Source, Drain), 电路符号有多种形式, 最常见的如下图所示, 以一条垂直线代表沟道(Channel), 两条和沟道平行的接线代表源极(Source)与漏极(Drain), 左方和沟道垂直的接线代表栅极(Gate). 有时也会

3.7V是常规我们知道的锂电池多,一般锂电池的放电电压是3V-4.2V之间,再降压转3V,1.5V的话,不需要担心升降压等其他问题,不像输出3.3V时,可能要考虑到升降压芯片的问题了,升降压芯片可考虑到PW2228A,PW5410B等等.其他具体参数要看规格书资料来判断. 1,LDO稳压芯片电路图 2,800MA的DC-DC降压器芯片电路 3,1500MA的DC-DC降压器芯片电路 4,2000MA的DC-DC降压器芯片电路 5,3000MA的DC-DC降压器芯片电路 1,LDO稳压芯片电路图

在 18V 和 15V 输入中,我们需要给其他电源电路提高供电,有的电路的供电电压在 5V,或者是 3.3V 时, 我们就需要使用降压芯片来组建一个降压电路来给后面的的电路,提供稳定的,持续的 3.3V 输出电压. 同时, 根据输出电流的大小,一般有 2 个方式: 1 是 LDO, 2 是 DC-DC 降压 1, 输出电流偏小,一般供电如 MCUC,CPU 等,推荐用 LDO 芯片了:18V 和 15V 输入的 LDO 芯片中,我们需要选择最少 24V 耐压的 LDO 才行,最好是 30V以上耐

12V转5V应用中,大多要求会输出电流高的,稳压LDO就不能满足了,需要使用DC-DC降压芯片来持续稳压5V,输出电流1000MA,2000MA,3000MA,5000MA等.不同的输出电流可以选择适合的降压芯片来使用. 12V转3.3V,稳压3.3V输出,一般用于给MCU单片机或者其他特殊重要模块供电等,要求也会比较多和不一样.例如10MA,100MA,1000MA-5000MA不等.时常小电流的较多,小电流使用LDO稳压芯片. 1, LDO稳压芯片 40V高输入电压LDO线性稳压器, 高输入