位置传感器:旋转编码器          MCU:STM32F405RGT6          功率MOS驱动芯片:DRV8301 全文均假设在无弱磁控制的情况下 FOC算法理论 首先,我们要知道FOC是用来干什么的?有什么用?相比于BLDC的六步方波驱动有什么优点? 传统的六步方波驱动由于产生的磁场旋转运动不连续,导致电机转子受的驱动力矩发生突变(转矩脉动),即使通过增加电机极对数也不能的很好解决这一问题.另外由于方波驱动产生的驱动力不能全部的用于转子切线方向的转矩,还有一部分力损失在转子径向

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压.一般2V-4V就可以了.    但是,场效应管分为增强型(常开型)和耗尽型(常闭型),增强型的管子是需要加电压才能导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止.    开关只有两种状态通和断,三极管和场效应管工作有三种状态,1.截止,2.线性放大,3.饱和(基极电流继续增加而集电极电流不再增加).使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路,一般以晶体管截止

原文地址点击这里: 在前一节,我们对PMOS与NMOS两种增强型场效应管的开关电路作了详细的介绍, 并且还提到过一种广为流传的说法:相对于NMOS管,PMOS管的沟道导通电阻更大.速度更慢.成本更高等,虾米情况?我们还是从头说起吧! 如果读者有一定的电子技术应用经验的话,对NMOS管开关电路的使用场合肯定是如数家珍,几乎所有的开关电源拓扑都偏向于使用NMOS管(而不是PMOS管),如正激.反激.推挽.半桥.全桥等拓扑,NMOS管的应用电路案例真心不要太多,如下图所示(当然,这些也并不全是完全独立

MimeMessageHelper代码发邮件时,通过客服端登陆到邮箱,在已发送邮件里没有已经通过代码发送的邮件, 这个问题很奇怪,这样的话不能看到通过代码发送的邮件历史记录,所以只好借助秘密抄送了,抄送到发件箱里,这样通过收件箱就可以看到发送的邮件记录了.

pc线路板是有导电功能的,那么如何仅适用手工计算出线路的阻值能?那么就需要使用到一个公式: W*R*T=6000 W是指铜箔的宽度单位是密耳mil. T是指铜箔厚度单位是盎司oz. R是指铜箔的电阻单位是mΩ/ft. 6000是常数不变量. 根据这个公式就可以计算出横切面积内铜箔的电阻值.其中1oz=35um,当铜箔被蚀刻成线路的时候,这个时候只要将所要计算阻值的线路测量出宽度和长度就可以计算出线路的阻值是多少.

安装插件:http://mirror.xmission.com/jenkins/plugins/subversion/2.5/subversion.hpi 可以解决svn中文目录问题 百度云:http://pan.baidu.com/s/1nuD1X5B

电子设备中使用着大量各种类型的电子元器件,设备发生故障大多是由于电子元器件失效或损坏引起的.因此怎么正确检测电子元器件就显得尤其重要,这也是电子维修人员必须掌握的技能.我在电器维修中积累了部分常见电子元器件检测经验和技巧,供大家参考. 1．测整流电桥各脚的极性 万用表置R×1k挡,黑表笔接桥堆的任意引脚,红表笔先后测其余三只脚,如果读数均为无穷大,则黑表笔所接为桥堆的输出正极,如果读数为4-10kΩ,则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极,其余的两引脚为桥堆的交流输入端. 使用数字万用表时只需将档位打

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

2017—2018学年度第一学期 <单片机原理及应用>作品考试 八音盒 2017-2018-1<单片机原理及应用>作品设计提交文档 一.作品设计目的 1.利用51单片机的各个部件结合实现八音盒. 2. 通过按键控制蜂鸣器播放设定的歌曲,按键1~8控制8首歌曲的播放,按键0 停止播放歌曲. 3. 熟练掌握C 语言与单片机的结合,单片机的原理和PCB制图原理. 二.作品设计内容 1.总电路图显示 2.总程序 #include <reg52.h> #define uchar

4.3 开关损耗/4.4 小结 使用半导体器件实现开关后,我们现在可以讨论变换器中损耗和低效的另一个主要来源:开关损耗.如前所述,半导体器件的导通和关断转换需要几十纳秒到几微秒的时间.在这些开关转换期间,半导体器件中可能会出现非常大的瞬时功率损耗.尽管半导体开关时间很短,产生的平均功率损失也可能很大. 半导体器件是由电荷控制的.例如,MOSFET的导电状态由其栅极和沟道中的电荷决定,硅二极管或BJT的导电状态由器件内部半导体结附近存储的少数电荷的存在与否决定.为了在开和关状态之间切换半导体器件,

MOSFET, MOS管, 开关管 MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 金属氧化物半导体场效晶体管 常见封装 电路符号 MOSFET 的三端标记分别为 G, S, D(Gate, Source, Drain), 电路符号有多种形式, 最常见的如下图所示, 以一条垂直线代表沟道(Channel), 两条和沟道平行的接线代表源极(Source)与漏极(Drain), 左方和沟道垂直的接线代表栅极(Gate). 有时也会

了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管.NMOS做下管比较方便.使用PMOS做下管.NMOS做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用. 下面先了解MOS管的开通/关断原理,请看下图: NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高):而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比G电位高),下面以导通压差6V为例. NMOS管 使用NMOS当下管,S极直接接

  推荐文章:PCBA大讲堂:用数据比较OSP及ENIG表面处理电路板的焊接强度 如果你有机会拿起一片电路板,稍微观察一下会发现这电路板上有着许多大大小小的孔洞,把它拿起来对着天花板上的电灯看,还会发现许多密密麻麻的小孔,这些孔洞可不是放在哪里摆好看的,每个孔洞都是有其目的而被设计出来的. 这些孔洞大体上可以分成PTH(Plating Through Hole,电镀通孔)及NPTH(Non Plating Through Hole,非电镀通孔)两种,这里说「通孔」是因为这种孔真的就是从电路板的一

1.基于XC866的直流无刷电机简易正弦波控制 http://blog.gkong.com/hushunlin_219521.ashx 2.无刷直流电机的PWM调制方式介绍 http://blog.gkong.com/hushunlin_216395.ashx 3.基于中颖SH79F168的家用风扇无刷直流电机180°正弦波控制 http://blog.gkong.com/hushunlin_216377.ashx 4.电动车无刷马达控制器硬件电路详解/软件设计详解 http://blog.gk

原文:https://blog.csdn.net/u__f_o/article/details/82756701 一般出现这种情况,应该是没有扫描到对应的mapper包,即在启动类下配置MapperScan时导错了包. 此时应该导入的包是 tk.mybatis.spring.annotation.MapperScan, 而不是 org.mybatis.spring.annotation.MapperScan

catalogue . Cortex-M3地址空间 . 基于标准外设库的软件开发 . 基于固件库实现串口输出(发送)程序 . 红外接收实验 . 深入分析流水灯例程 . GPIO再举例之按键实验 . 串口通信(USART) . 库函数开发通用流程小结 . DMA传输方式 . STM32 ADC . SysTick(系统滴答定时器) . STM32定时器 0. Cortex-M3地址空间 0x1: MDK中三种linker之间的区别 1. 采用Target对话框中的RAM和ROM地址 采用此方式,需

1.引脚定义 P3口各引脚第二功能定义 标号 引脚 第二功能 说明 P3.0 10 RXD 串行输入口 P3.1 11 TXD 串行输出口 P3.2 12 INT0(上划线) 外部中断0 P3.3 13 INT1(上划线) 外部中断1 P3.4 14 T0 定时器/计数器0 外部输入端 P3.5 15 T1 定时器/计数器1 外部输入端 P3.6 16 WR(上划线) 外部数据存储器写脉冲 P3.7 17 RD(上划线) 外部数据存储器读脉冲 XTAL1(19脚) XTAL2(18脚):外接时钟

Arduino周边模块:执行部件 Arduino周边模块:执行部件 嵌入式系统的构成 如今已经有各种各样的基于Arduino的嵌入式系统, 比如:智能小车.3D打印机.机器人,甚至还有基于Arduino的开源人造卫星 但是光有Arduino,就像一个人只有大脑,没有四肢也是什么也做不到的 因此, 控制代码+Arduino+执行部件=改变世界的力量 常用的执行部件: 1.舵机-------->机器人2.直流电机----->智能小车3.步进电机----->3D打印机 使用Arduino输出P

1 数字IC(ASIC)设计流程: IC设计分为前端和后端.前端设计主要将HDL语言-->网表,后端设计是网表-->芯片版图. 前端主要有需求分析与架构设计.RTL设计.仿真验证.逻辑综合.STA.形式验证.后端主要包括DFT.布局规划.布线以及版图物理验证. 2 MCU结构: 它是由CPU系统.程序存储器(ROM).数据存储器(RAM).各种I/O端口.基本功能单元(定时器/计数器等)组成. 3 低功耗技术: 功耗可用公式描述:Power = KFCV^2,即功率等于常数系数*工作频率*负载

一.TTL集成门电路的结构1.总体结构 所谓TTL就是transistor transistor logic,就是说是由晶体管和晶体管之间构成电路. 2.    TTL集成门电路典型输入级形式 1)二极管与门输入 2)二极管或门输入 3)单发射级输入 跟随输入的同相关系 钳位二极管VD:左下角并有二极管,既抑制输入端可能出现的负极性干扰脉冲,又可以防止输入电压为负时,VT的发射极电流过大,起保护作用. 电路中经常有干扰信号,当A端出现了一个比较大的负极性脉冲的干扰信号,假设有-20V,那么压降V