一.概述 本文描述采用C#语言访问控制Tektronix TBS 2000B 系列示波器.接口协议采用NI-VISA. 最近一个项目需要和一款示波器进行通信,需要对示波器进行一些简单控制并获取到波形数据.经过一段时间研究,大致了解了相关操作,因为发现相关资料不是很多,所以把我了解的相关知识和大家分享一下.文末将提供本文涉及的相关文档.代码.安装程序的下载地址. 正常情况下,我们如果需要和一个设备进行通信,首先需要知道PC通过什么方式和设备进行连接,通信协议是什么.由于工作需要和很多设备进行过连接

铁电存储器与传统存储器的区别. 一:易失性的存储器包括静态存储器SRAM和动态存储器DRAM.           优点:读写速度快,读写寿命无次数限止.           缺点:掉电会丢失数据.                  二:现在非易失性存储器包括EEPROM和Flash,不过它们都是在ROM技术上发展而成的.           优点:掉电数据会保存.           缺点:写入时间慢(一般每写入一次,需要一个5至10毫秒时间的缓冲或预冲)                 高压

可穿戴设备应用中的显示屏消耗了大部分电池电力.解决方法之一是直接提高电池容量,但是大容量电池会加大尺寸和重量,对可穿戴设备不合适,尤其是在市场不断追求更小型化的新款产品时更是如此.更具挑战性的是电池技术的发展跟不上日益增长的系统需求-- 在可穿戴设备中电池使用寿命对于良好的用户体验至关重要.可穿戴设备应用中的显示屏消耗了大部分电池电力.解决方法之一是直接提高电池容量,但是大容量电池会加大尺寸和重量,对可穿戴设备不合适,尤其是在市场不断追求更小型化的新款产品时更是如此.更具挑战性的是,电池技术的发

参考资料 器件规格书:https://atta.szlcsc.com/upload/public/pdf/source/20131104/1457706659695.pdf I2C总线规范:https://community.nxp.com/pwmxy87654/attachments/pwmxy87654/nxp-designs/931/1/UM10204.pdf 第一次接触这种 FRAM 铁电随机存储芯片,发现有几点有意思的知识点,顺带记录一下,数据读写的操作就没啥记录的了. 芯片简介 FR

由于客户在请人设计开发一设备,但是设备用户处总停电,造成设备及其周边耗材损耗严重,因此请我司在现有STC为主要芯片的基础上做掉电瞬间EEPROM里的20个参数保存,上电后通过读取EEPROM中的参数回到掉电的状态,基于此,荣致电子科技做了大量的工作,并选用了很多种方案: 1. 通过1法拉大电容做掉电临时备份电池. 2. 通过备份电池或者DS1302里的31个字节ram+电池方案. 3. 通过MAX813L检测掉电,然后通过普通STC10某个引脚读取MAX813L的第五脚高低电平状态. 4. 购买

FRAM,中文名称为铁电存储器..FRAM提供一种与RAM一致的性能,但又有与ROM 一样的非易失性. FRAM 克服以上二种记忆体的缺陷并合并它们的优点,它是全新创造的产品,一个非易失性随机存取储存器. 首先了解下FR5739的地址空间,对于FRAM,它的地址空间范围从0xC000-0xFFFF; 分成32个page,每个page的大小为512字节..具体分布可以查看官方的User Guide文档,此处截部分图: 因此,在编写程序的时候,假如需要将数据存储进FRAM,则应设置写入地址在该范围内

主要是介质材料不同.不同介质种类由于它的主要极化类型不一样,其对电场变化的响应速度和极化率亦不一样. 在相同的体积下的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗.容量稳定性等也就不同.介质材料划按容量的温度稳定性可以分为两类,即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器, NPO属于Ⅰ类陶瓷,而其他的X7R.X5R.Y5V.Z5U等都属于Ⅱ类陶瓷. 什么是Ⅰ类陶瓷,有什么特点?Ⅰ类陶瓷电容器(ClassⅠceramic capacitor),过去称高频陶瓷电容器(High-frequency ceramic c

前言:这是一年前我为公司内部写的一个文档,旨在向年轻的嵌入式软件工程师们介绍如何在裸机环境下编写优质嵌入式C程序.感觉是有一定的参考价值,所以拿出来分享,抛砖引玉. 转载请注明出处:http://blog.csdn.net/zhzht19861011/article/details/45508029 摘要:本文首先分析了C语言的陷阱和缺陷,对容易犯错的地方进行归纳整理:分析了编译器语义检查的不足之处并给出防范措施,以Keil MDK编译器为例,介绍了该编译器的特性.对未定义行为的处理以及一些高级

(1)如何禁止KEIL初始化RAM为零? 1. 在KEIL Noinit 打钩 2. <1> 另须对需要热启动保持的变量用 _at_ 关键字指定某个区域,否则还是没用 <2>或者__attribute__((zero_init)) 关键字 (2) 对STM32如何判断是软复位还是上电复位? flag = RCC_GetFlagStatus(RCC_FLAG_SFTRST); //上电复位flag=0, 软件复位flag=1 void RestStm32Cpu(void) { __s

总线:指能为多个部件服务的信息传送线,在微机系统中各个部件通过总线相互通信. 地址总线(AB):地址总线是单向的,用于传送地址信息.地址总线的宽度为16位,因此基外部存储器直接寻址64K,16位地址总线由P0口经地址锁存器提供低8位地址(A0~A7),P2口直接提供高8位地址(A8~A15). 数据总线(DB):一般为双向,用于CPU与存储器,CPU与外设.或外设与外设之间传送数据信息(包括实际意义的数据和指令码).数据总线宽度为8位,由P0口提供. 控制总线(CB):是计算机系统中所有控制信号

液晶的发现可追溯到19 世纪末,1888 年被奥地利植物学家发现.它是一种在一定温度范围内呈现既不同于固态.液态,又不同于气态的特殊物质态.既具有晶体所具有的各向异性造成的双折射性,又具有液体所特有的流动性.一般可分热致液晶和溶致液晶两类.显示应用领域使用的是热致液晶,温度低了,出现结晶,温度高了,就变成液体.液晶显示器件(LCD) 所标注的存储温度指的就是呈现液晶态的温度范围.液晶由于它的各向异性而具有电光效应,尤其是具有扭曲向列效应和超扭曲效应,因此,可以制造出不同类型的显示器件,可直接与大

微处理器:LPC2114 编译环境:Keil MDK V4.10 思路: 常把单片机系统的复位分为冷启动和热启动.所谓冷启动,也就是一般所说的上电复位,冷启动后片内外RAM的内容是随机的,通常是0x00或0xFF:单片机的热启动是通过外部电路给运行中的单片机的复位端一复位电平而实现的,也就是所说的按键复位或看门狗复位.复位后,RAM的内容都没有改变.在某些场合,必须区分出设备的重启是热重启还是冷重启.常用的方法是:确定某内存单位为标志位(如0x40003FF4-0x40003FF7 RAM单元)

NPO与X7R.X5R.Y5V.Z5U神马的有啥区别?主要是介质材料不同.不同介质种类由于它的主要极化类型不一样,其对电场变化的响应速度和极化率亦不一样. 在相同的体积下的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗.容量稳定性等也就不同.介质材料划按容量的温度稳定性可以分为两类,即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器, NPO属于Ⅰ类陶瓷,而其他的X7R.X5R.Y5V.Z5U等都属于Ⅱ类陶瓷. 什么是Ⅰ类陶瓷,有什么特点?Ⅰ类陶瓷电容器(ClassⅠceramic capacitor),过去称高频陶瓷电

android一体机可以根据用户的不同需求拓展各种不同的硬件外接设备和各种应用软件,环境适应能力又强,所以在诸多领域的应用都非常受欢迎,并且还在不断地开拓新市场.安卓系统触摸一体机占据绝对性优势. 1.首先,安卓系统坚持了它的开放性,为消费者和开发者同时留出了空间.这是安卓能够快速成长的关键因素.在安卓之前,没有任何一个智能操作系统的开源程度能够像安卓一样.免费开源的安卓系统节约了版权费用. 2.其次,安卓系统是基于Linux内核,但是在内核上面做了很多工作,智能手机的安卓系统具有高效率.低能高

standby 待机 hibernate 休眠(睡眠) power-off 关机 usb端口能给外部设备充电在低压状态(standby,hibernate,power-off),如果系统运行在battery mode,那么只工作在standby状态. 通过bios中cpu的配置core multi-processing disable/enable,只有一颗cpu,也就是一个socket disable this setting enables only one execution core u

前言:这是一年前我为公司内部写的一个文档,旨在向年轻的嵌入式软件工程师们介绍如何在裸机环境下编写优质嵌入式C程序.感觉是有一定的参考价值,所以拿出来分享,抛砖引玉. 转载请注明出处:http://blog.csdn.net/zhzht19861011/article/details/45508029 摘要:本文首先分析了C语言的陷阱和缺陷,对容易犯错的地方进行归纳整理:分析了编译器语义检查的不足之处并给出防范措施,以Keil MDK编译器为例,介绍了该编译器的特性.对未定义行为的处理以及一些高级

10.1寸人机界面介绍: 配置铁电存储器:非易失性记忆体,掉电后数据不丢失. 连接云端,支持云服务:数据综合管理,更有效率. 静电防护技术:高强度抗干扰,防静电,防电磁干扰. 提供所有接口的调用源码,并提供例程DEMO. 配合现场情况,进行相关产品电磁兼容测试与改进. 协助用户软件开发,包括接口驱动和相关通讯协议. 10.1寸人机界面(不含外壳) 10.1寸人机界面(含外壳) 人机界面特点: 1 结构简单,结构设计经过较为细致的考虑,使之结构完善达到尽可能的简单,极大的提高了可靠性. 2 操作简

RFID技术由3大组件构成, 包括: 阅读器.天线.标签三大组件. 阅读器 为RFID系统最重要也是最复杂的一个组件.因其工作模式一般是主动向标签询问标识信息, 所以有时又被称为询问器(Interrogator).阅读器可以通过标准网口.RS232串口或USB接口同主机相连, 通过天线同RFID标签通信.有时为了方便,阅读器和天线以及智能终端设备会集成在一起形成可移动的手持式阅读器. 天线 同阅读器相连,用于在标签和阅读器之间传递射频信号.阅读器可以连接一个或多个天线,但每次使用时只能激活一个天

AP_HAL::Storage 此类可以应用于所有平台.PX4v1平台支持8k的EEPROM,Pixhawk平台支持16k的FRAM铁电存储器 存储大小定义:libraries/AP_HAL/AP_HAL_Boards.h中HAL_STORAGE_SIZE The DataFlash library DataFlash是用来存储日志的.日志有固定的格式,固定的日志头和日志包头 //`日志头格式` // structure used to define logging format struct

问题 做了个测试板子的程序,里面有一项写铁电的功能,要求写入之后立即断电,重启后校验数据准确性:铁电设计是通过内存地址直接映射的,于是,使用mmap直接映射了/dev/mem文件,自然地写入之后使用msync进行同步,最后使用munmap解映射: 然而,当我运行这段程序的时候,发现msync的MS_SYNC选项进行同步的时候会返回错误,错误码是EINVAL:这就奇怪了: 查原因 1. 查看MAN手册,如下:当地址不是页的整数倍,或者参数传递错误时才返回这个结果: EINVAL addr is n

37款传感器和模块的提法,在网络上广泛流传,其实Arduino能够兼容的传感器模块肯定是不止37种的.鉴于本人手头积累了一些传感器与模块,依照实践出真知(动手试试)的理念,以学习和交流为目的,这里准备逐一做做实验,不管能否成功,都会记录下来---小小的进步或是搞不定的问题,希望能够抛砖引玉. [Arduino]108种传感器模块系列实验(资料+代码+图形+仿真) 实验十七:HC-SR312微型热释电人体感应传感器模块 热释电效应 在某些绝缘物质中,由于温度的变化引起极化状态改变的现象称为热释电效