模拟CMOS 衬底噪声:由于相邻的电阻互相注入电流而产生的衬底噪声.解决方法:在两个电阻之间加入一个P+注入区(作为P衬底晶圆的衬底接触).P+注入区保护电路免受载流子的影响,由于注入区是一个环形,所以成为保护环. 共质心版图 共质心(共同的中心)版图有助于改善两电阻之间的匹配性能(代价是两元件之间具有不均匀的寄生特性),另外,共质心也能改善MOS和电容的匹配性能. 3.MOS电容 堆积 (VGS<<Vth) 当VGS<0,来自衬底移动的空穴被吸引(堆积)到栅氧层的下方.当MOS管处于堆

前几天开始自学拉扎维的模设教材,看之前浏览了EETOP论坛里面好多大神们对这本书的看法,当然也有人在抱怨,比如冒出“太科幻”.“一年才看完”之类恐怖的修饰语句,因此在开始看的时候就对此书充满了“敬畏”之情,于是打算以“边看边练”的方法完成课后习题以巩固所学.今天看完了第二章,一个下午只做了2.1-2.5这五道题,看上去不难,做的时候漏洞百出,于是自己打算把遇到的问题回顾一下.由于是半路出家,所以有不对的地方还望各位指出以便改正.刚起步也没做过什么项目,因此说不出什么设计思想,就当是课后习题总结吧

我们再看辅助定理: 这里,Gm是指输出与地短接时的跨导:Rout表示当输入电压为零时的输出电阻.这个是书上的原话,但是在推算公式时发现,这两个量的定义还不是完全完整,我 的理解是: 首先Gm是等效跨导,牢记其定义为: 也就是说,我们在计算等效跨导的时候,直观地,要看输出电流的变化引起的输入电压的变化. 而Rout应该为交流电阻,最初的定义为: 也就是说,在计算交流输出电阻时,应该明确输出电压变化和输出电流变化的关系. 另外,戴维南等效方法贯穿在增益计算过程中,因此理清了这些关系,增益的计算就只涉

基于4H-SIC的先进集成电路用n型LDMOS晶体管 摘要: 通过对具有不同的设计方式的具有减小的表面电场的横向4H-SIC-N型-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管进行测量和模拟,得到了得出了不同的设计情况下集成电路中的电气行为.在p型参杂的外延层中制作一个额外n型区域从而形成漂移区,这促进了减小表面电场并因此增强了击穿能力.已有功率MOSFET的设计规则可与现有的20伏特4H-SIC的CMOS工艺技术兼容.额外植入的减小表面电场区域在深度大约为390纳米处为3.5×1012cm2.

作为一个学微电子专业的IC learner,这个学期也有一门课:<微电子器件>,今天我就来聊聊基本的器件:CMOS器件及其电路.在后面会聊聊锁存器和触发器. 今天的主要内容如下所示: ·MOS晶体管结构与工作原理简述 ·CMOS单元电路与版图 ·CMOS门电路 ·CMOS的功耗表示 老实说,CMOS比较偏微电子器件,微电子器件还真难...这里我就说一些做数字设计或许要了解的东西吧(以后要是必要,会补充). 1.MOS晶体管结构与工作原理简述 我们或多或少知道,晶体管在数字电路中的主要作用就是一

作为一个微电子专业的IC learner,这个学期也有一门课:<微电子器件>,今天我就来聊聊基本的器件:CMOS器件及其电路.在后面会聊聊锁存器和触发器. ·MOS晶体管结构与工作原理简述 ·CMOS单元电路与版图 ·CMOS门电路 ·CMOS的功耗表示 老实说,CMOS比较偏微电子器件,微电子器件还真难...这里我就说一些做数字设计或许要了解的东西吧(以后要是有必要,会补充). 1.MOS晶体管结构与工作原理简述 我们或多或少知道,晶体管在数字电路中的主要作用就是一个电子开关,通过电压或者电

CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor(互补金属氧化物半导体)的缩写.它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片,是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片.因为可读写的特性,所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据,这个芯片仅仅是用来存放数据的. 电压控制的一种放大器件,是组成CMOS数字集成电路的基本单元.而对BIOS中各项参数的设定要通过专门的程序.BIOS设置程序一般都被厂商整合在芯片中,在开机时通过特

 1.RS232电平 或者说串口电平,有的甚至说计算机电平,所有的这些说法,指得都是计算机9针串口 (RS232)的电平,采用负逻辑, -15v ~ -3v 代表1 +3v ~ +15v 代表0 2.RS485电平和RS422电平 由于两者均采用差分传输(平衡传输)的方式,所以它们的电平方式,一般有两个引脚 A,B 发送端 AB间的电压差 +2 ~ +6v:1 -2 ~ -6v:0 接收端 AB间的电压差 大于 +200mv  1 小于 -200mv  0 定义逻辑1为B>A的状态: 定义逻辑0

参考:https://wenku.baidu.com/view/8582501e964bcf84b9d57bd3.html 1.    CMOS与非门(P并N串) 2.    CMOS或非门(N并P串) 缺陷:随着输入信号的增多,串联和并联越来越多,会导致高电平信号拉低,低电平会被抬升.   3.    在输入.输出级加反相器 4.MOS传输门和双向模拟开关 因为上面是P沟道,开启电压为负:下面是N沟道,开启电压是正. 1)当C接低电平,C'接高电平时,两者等效的电阻非常大,传输门断开. 2)当

个人观点总结 对TTL和CMOS门电路的认识: 1.构成 TTL集成电路一般都是有三极管(或二极管)和电阻.电容构成,其中三极管(二极管)是作为主要的开关器件 CMOS集成电路一般是由场效应管和电阻.电容构成,其中场效应管作为主要的开关器件   2.  功耗 TTL电路功耗远大于CMOS电路的功耗,所以一般来说TTL电路很难实现大规模集成电路(LSI).这是TTL的一个最大的缺点,也是CMOS广泛被采用的 一个理由.但TTL电路响应速度快 3.防护 CMOS电路容易被静电电压损坏,需要考虑对其的

CMOS集成电路的基本结构是以P型材料作为衬底(p-substrate),直接生成NMOS, 同时增加N肼(n-well),在其上制造PMOS. 增加两个bulk(P+,N+)防止非MOS管内的PN结反偏. NMOS一般放在Pull-down结构中,PMOS一般放在Pull-up结构中. NMOS与PMOS均采用增强型的类型,这样便于控制channel length. Bulk端和Gate,Source,Drain通过metal层引出. 在基本的invert中,NMOS的Drain与PMOS的S

最近碰到一个PCB漏电的问题,起因是一款低功耗产品,本来整机uA级别的电流,常温老化使用了一段时间后发现其功耗上升,个别样机功耗甚至达到了mA级别.仔细排除了元器件问题,最终发现了一个5V电压点,在产品休眠的状态下本该为0V,然而其竟然有1.8V左右的压降!耐心地切割PCB线路,惊讶地发现PCB上的两个毫无电气连接的过孔竟然可以测试到相互间几百欧姆的阻值.查看该设计原稿,两层板,过孔间距焊盘间距>6mil,孔壁间距>18mil,这样的设计在PCB行业中实属普通的钻孔工艺.洗去油墨,排除油墨或孔

一般运放的datasheet中会列出众多的运放参数,有些易于理解,我们常关注,有些可能会被忽略了.在接下来的一些主题里,将对每一个参数进行详细的说明和分析.力求在原理和对应用的影响上把运放参数阐述清楚.由于本人的水平有限,写的博文中难免有些疏漏,希望大家批评指正. 第一节要说明的是运放的输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios .众说周知,理想运放是没有输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios .的.但每一颗实际运放都会有输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios .我们可以用下图中的模型来说明它们的定义.

1 PCB布线与布局 PCB布线与布局隔离准则:强弱电流隔离.大小电压隔离,高低频率隔离.输入输出隔离.数字模拟隔离.输en入输出隔离,分界标准为相差一个数量级.隔离方法包括:空间远离.地线隔开. 2 PCB布线与布局 晶振要尽量靠近IC,且布线要较粗 3 PCB布线与布局 晶振外壳接地 4 PCB布线与布局 时钟布线经连接器输出时,连接器上的插针要在时钟线插针周围布满接地插针 5 PCB布线与布局 让模拟和数字电路分别拥有自己的电源和地线通路,在可能的情况下,应尽量加宽这两部分电路的电源与地线

低功耗设计这个专题整理了好久,有一个月了,有图有证据: 然而最近一直有些烦心事.郁闷事,拖延了一下,虽然现在还是有点烦,但是还是先发表了吧.下面我们就来聊聊低功耗设计吧,由于文章比较长,因此我就不一次性发完,我整理之后再发上去.当然,这里的低功耗设计基本上是入门阶段,也就是大部分从理论角度进行阐述,你也可以说是从书本上说的,但是呢,我可以先给大家剧透一下:不仅仅是从理论上说,我还结合EDA工具进行说明如何进行低功耗设计.废话不多说,下面就来看看这个专题的主要内容: ·低功耗设计的目的 ·功耗的构

基于6575平台: GPIO驱动程序提供了两个接口: (1)内核空间:所提供的GPIO驱动程序,驱动程序可以调用其他函数 (2)用户空间:用户空间的程序可以通过发送IOCTL   /dev/ mtgpio的操作GPIO GPIO_PIN 枚举所有的GPIO引脚.它将被用于在每个gpio驱动 查看文本打印? typedef enum GPIO_PIN { GPIO_UNSUPPORTED = -1, GPIO0  , GPIO1  , GPIO2  , GPIO3  , GPIO4  , GPIO

I2C接口上拉电阻的选择 - I2C接口上拉电阻的选择 1.I2C接口的输出端是漏极开路或集电极开路,所以必须在接口外接上拉. 2.上拉电阻的范围很宽,但也需要跟据功耗.信号上升时间等具体确定. 和速度应该没关系.主要是I2C是oc,所以需要.和驱动的从机个数(虽然从机个数不是由电阻决定的)有一定关系 不能说和速度没关系, 从机数量多的话, 由于经常在CMOS 集成电路里面源和基底是相连的, 而漏和基底存在寄生电容, 所以源和漏之间是有寄生电容的, 过大的上拉电阻会引起延时,导致边缘的上升下降速

低功耗设计这个专题整理了好久,有一个月了,有图有证据: 然而最近一直有些烦心事.郁闷事,拖延了一下,虽然现在还是有点烦,但是还是先发表了吧.下面我们就来聊聊低功耗设计吧,由于文章比较长,因此我就不一次性发完,我整理之后再发上去.当然,这里的低功耗设计基本上是入门阶段,也就是大部分从理论角度进行阐述,你也可以说是从书本上说的,但是呢,我可以先给大家剧透一下:不仅仅是从理论上说,我还结合EDA工具进行说明如何进行低功耗设计.废话不多说,下面就来看看这个专题的主要内容: ·低功耗设计的目的 ·功耗的构

按部位分类 技术规范内容 1 PCB布线与布局 PCB布线与布局隔离准则:强弱电流隔离.大小电压隔离,高低频率隔离.输入输出隔离.数字模拟隔离.输入输出隔离,分界标准为相差一个数量级.隔离方法包括:空间远离.地线隔开. 2 PCB布线与布局 晶振要尽量靠近IC,且布线要较粗 3 PCB布线与布局 晶振外壳接地 4 PCB布线与布局 时钟布线经连接器输出时,连接器上的插针要在时钟线插针周围布满接地插针 5 PCB布线与布局 让模拟和数字电路分别拥有自己的电源和地线通路,在可能的情况下,应尽量加宽这

转自:http://blog.csdn.net/hunanchenxingyu/article/details/46476545 迄今为止还没有一种cpu散热系统能保证永不失效.失去了散热系统保护伞的“芯”,往往会在几秒钟内永远停止“跳动”.值得庆幸的是,聪明的工程师们开发出有效的CPU温度监控.保护技术.以特殊而敏锐的“嗅觉”随时监测CPU的温度变化,并提供必要的保护措施,使CPU免受高温下的灭顶之灾.在我们看来,探索这项技术如同开始一段神秘而有趣的旅程,何不与我们同行? CPU功耗和温度随运