模拟CMOS 衬底噪声:由于相邻的电阻互相注入电流而产生的衬底噪声.解决方法:在两个电阻之间加入一个P+注入区(作为P衬底晶圆的衬底接触).P+注入区保护电路免受载流子的影响,由于注入区是一个环形,所以成为保护环. 共质心版图 共质心(共同的中心)版图有助于改善两电阻之间的匹配性能(代价是两元件之间具有不均匀的寄生特性),另外,共质心也能改善MOS和电容的匹配性能. 3.MOS电容 堆积 (VGS<<Vth) 当VGS<0,来自衬底移动的空穴被吸引(堆积)到栅氧层的下方.当MOS管处于堆

CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor(互补金属氧化物半导体)的缩写.它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片,是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片.因为可读写的特性,所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据,这个芯片仅仅是用来存放数据的. 电压控制的一种放大器件,是组成CMOS数字集成电路的基本单元.而对BIOS中各项参数的设定要通过专门的程序.BIOS设置程序一般都被厂商整合在芯片中,在开机时通过特

http://www.cnblogs.com/spartan/archive/2011/05/06/2038747.html SDRAM SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步动态随机存取存储器,同步是指Memory工作需要步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准:动态是指存储阵列需要不断的刷 新来保证数据不丢失:随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写.目前的168线64bit带宽内存基本上都采用SDRAM芯片

原文:http://blog.csdn.net/fg8181/article/details/2278100 内存在电脑中起着举足轻重的作用,一般采用半导体存储单元,包括随机存储器(RAM),只读存储器(ROM),以及高速缓存(CACHE). 按内存条的接口形式,常见内存条有两种:单列直插内存条(SIMM),和双列直插内存条(DIMM).SIMM内存条分为30线,72线两种.DIMM内存条与SIMM内存条相比引脚增加到168线.DIMM可单条使用,不同容量可混合使用,SIMM必须成对使用. 按内

作者:   来源:电源网 关键字:MOSFET 结构 开关 驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以

ROM与RAM 简单的说,一个完整的计算机系统是由软件和硬件组成的.其中,硬件部分由中央处理单元CPU(包括运算器和控制器).存储器和输入/输出设备构成.目前个人电脑上使用的主板一般只能支持到1GB的内存,即使是INTEL目前最高阶的450NX芯片组也只能支持到4GB. 存储器包括主存储器(Main Memory)和辅助存储器(Auxiliary Memory).单片机中,RAM主要用来保存数据.中间结果和运行程序等,所以也把RAM叫做数据存储器.1.RAM的分类 RAM又分动态存储器(DRAM

一.MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种.至于为什么不使用耗尽型的

一位工程师曾经对我讲,他从来不看MOSFET数据表的第一页,因为“实用”的信息只在第二页以后才出现.事实上,MOSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息.但人们不是总能搞得清楚该如何解读制造商提供的数据.本文概括了一些MOSFET的关键指标,这些指标在数据表上是如何表述的,以及你理解这些指标所要用到的清晰图片.像大多数电子器件一样,MOSFET也受到工作温度的影响.所以很重要的一点是了解测试条件,所提到的指标是在这些条件下应用的.还有很关键的一点是弄明白你在“产品简介”里看到的这

1( 单选题 | 1 分) 下面代码中,对数组x填充后,采用直接映射高速缓存,所有对x和y引用的命中率为() A . 1 B . 1/4 C . 1/2 D . 3/4 正确答案: D 解析:填充消除了抖动冲突不命中.对于x和y数组,只有在引用第0个和第4个元素的时候发生不命中,即四分之三的引用命中. 2( 多选题 | 1 分) 有关高速缓存的说法正确的是() A . 高速缓存的容量可以用C=SEB 来计算 B . 高速缓存容量为2048,高速缓存结构为( 32 ,8,8,32) C . 直接映

一.DRAM的存储元电路 常见的DRAM存储元电路有四管式和单管式两种,它们的共同特点是靠电容存储电荷的原理来存储信息.电容上存有足够多的电荷表示“1”,电容上无电荷表示“0”. 由于电容存储的电荷会逐渐泄漏,即使电源不掉电,信息也会很快消失,应用中需要定时恢复存储的电荷.与SRAM相比,DRAM具有集成度高,功耗低等特点,目前被广泛应用于各类计算机中. 四管DRAM存储元 二. 刷新操作:由于存储的信息电荷终究是有泄漏的,时间久了,信息就会丢失.为此,必须设法由外界按一定规律不断给栅极进行充电

芯片制造涉及到许多复杂重复的过程,如:光刻.蚀刻.离子注入.扩散.退火.而且都是原子级操作,尽管控制非常严格,但偏差不可避免. 工艺偏差会导致芯片物理参数偏差,如:线宽.沟道掺杂浓度.线厚.临界尺寸.栅氧厚度: 而物理参数偏差会导致电特性参数偏差,如:线的电容电阻.阈值电压.饱和电流.栅极电容: 电特性参数偏差会导致 cell delay, cell transtion, net delay的偏差,这正是STA 要如此重视variation 的原因所在. Environmental variat

初学嵌入式Linux,感觉需要学习的东西太多了.把学习过程中的收获和问题记录在这里,算是一份经验吧.     前面利用开发板带的现成的东西step by step让Linux 2.4.19在开发板上跑起来了,对于开发的流程也有了一定的认识.现在想对每一步进行详细深入的探讨,好好学习一下,把笔记记录下来,省得忘记了.有些内容是从看过的书中摘要过来的,大部分是自己实践后的心得.我想记得详细点,也好为后面总结打好基础. 先谈一下对于嵌入式开发流程和嵌入式开发环境拓扑结构的认识. 刚开始比较盲目,看得书

4.3 开关损耗/4.4 小结 使用半导体器件实现开关后,我们现在可以讨论变换器中损耗和低效的另一个主要来源:开关损耗.如前所述,半导体器件的导通和关断转换需要几十纳秒到几微秒的时间.在这些开关转换期间,半导体器件中可能会出现非常大的瞬时功率损耗.尽管半导体开关时间很短,产生的平均功率损失也可能很大. 半导体器件是由电荷控制的.例如,MOSFET的导电状态由其栅极和沟道中的电荷决定,硅二极管或BJT的导电状态由器件内部半导体结附近存储的少数电荷的存在与否决定.为了在开和关状态之间切换半导体器件,

作为一个学微电子专业的IC learner,这个学期也有一门课:<微电子器件>,今天我就来聊聊基本的器件:CMOS器件及其电路.在后面会聊聊锁存器和触发器. 今天的主要内容如下所示: ·MOS晶体管结构与工作原理简述 ·CMOS单元电路与版图 ·CMOS门电路 ·CMOS的功耗表示 老实说,CMOS比较偏微电子器件,微电子器件还真难...这里我就说一些做数字设计或许要了解的东西吧(以后要是必要,会补充). 1.MOS晶体管结构与工作原理简述 我们或多或少知道,晶体管在数字电路中的主要作用就是一

CMOS门电路 以MOS(Metal-Oxide Semiconductor)管作为开关元件的门电路称为MOS门电路.由于MOS型集成门电路具有制造工艺简单.集成度高.功耗小以及抗干扰能力强等优点,因此它在数字集成电路产品中占据相当大的比例.与TTL门电路相比,MOS门电路的速度较低. MOS门电路有三种类型:使用P沟道管的PMOS电路.使用N沟道管的NMOS电路和同时使用PMOS和NMOS管的CMOS电路.其中CMOS性能更优,因此CMOS门电路是应用较为普遍的逻辑电路之一. 1. CMOS非

作为一个微电子专业的IC learner,这个学期也有一门课:<微电子器件>,今天我就来聊聊基本的器件:CMOS器件及其电路.在后面会聊聊锁存器和触发器. ·MOS晶体管结构与工作原理简述 ·CMOS单元电路与版图 ·CMOS门电路 ·CMOS的功耗表示 老实说,CMOS比较偏微电子器件,微电子器件还真难...这里我就说一些做数字设计或许要了解的东西吧(以后要是有必要,会补充). 1.MOS晶体管结构与工作原理简述 我们或多或少知道,晶体管在数字电路中的主要作用就是一个电子开关,通过电压或者电

CMOS Sensor的调试经验分享 我这里要介绍的就是CMOS摄像头的一些调试经验. 首先,要认识CMOS摄像头的结构.我们通常拿到的是集成封装好的模组,一般由三个部分组成:镜头.感应器和图像信号处理器构成.一般情况下,集成好的模组我们只看到外面的镜头.接口和封装壳,这种一般是固定焦距的.有些厂商只提供芯片,需要自己安装镜头,镜头要选择合适大小的镜头,如果没有夜视要求的话,最好选择带有红外滤光的镜头,因为一般的sensor都能感应到红外光线,如果不滤掉,会对图像色彩产生影响,另外要注意在PCB

reprint from:http://blog.csdn.net/hemeinvyiqiluoben/article/details/9253249 TTL和COMS电平匹配以及电平转换的方法 一．TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V电源. 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V,Uil≤0.8V 二．C

TTL电平和CMOS电平总结 1,TTL电平:          输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V.在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V.最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V. 2,CMOS电平: 1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V.而且具有很宽的噪声容限. 3,电平转换电路:          因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<＝＝>cmos 3.

转自:http://bbs.52rd.com/forum.php?mod=viewthread&tid=276351 CMOS Sensor的调试经验分享 我这里要介绍的就是CMOS摄像头的一些调试经验. 首先,要认识CMOS摄像头的结构.我们通常拿到的是集成封装好的模组,一般由三个部分组成:镜头.感应器和图像信号处理器构成.一般情况下,集成好的模组我们只看到外面的镜头.接口和封装壳,这种一般是固定焦距的.有些厂商只提供芯片,需要自己安装镜头,镜头要选择合适大小的镜头,如果没有夜视要求的话,最好