我一直用stm32 f407开发. 最近要学mqtt与阿里云联网之类的课程,因为没有做过,所以网上搜了一遍,结果全是stm32 f103c8t6的例程. 后来我就搬出我的f103最小系统版 (这个就为我出现上述错误埋下了坑) 在网上买了一个f103c8t6+esp8266+mqtt的例程,在keil5中打开,按f7编译完成,无错误.然后用st-link对好引脚,下载. 结果弹出 Error:Flash Download Failed-"Cortex-M3" 第1时间,马上去对了debu

Implementation of Serial Wire JTAG flash programming in ARM Cortex M3 Processors The goal of the project was to use the Serial Wire JTAG protocol implemented in the ARM cortex processors for programming the flash memory of it. JTAG was actually imple

Cortex-m3启动代码分析笔记 启动代码文件名是STM32F10X.S,它的作用先总结下,然后再分析. 启动代码作用一般是: 1)堆和栈的初始化: 2)中断向量表定义: 3)地址重映射及中断向量表的转移: 4)设置系统时钟频率: 5)中断寄存器的初始化: 6)进入C应用程序. (1)按启动代码的次序,先看堆和栈的初始化: Stack_Size EQU 0x00000200 ;定义Stack_Size为0x00000200 AREA STACK, NOINIT, READWRITE, ALIG

一.Cortex M3的GPIO口特性    在介绍GPIO口功能前,有必要先说明一下M3的结构框图,这样能够更好理解总线结构和GPIO所处的位置. Cortex M3结构框图     从图中可以看出,GPIO口都是接在APB总线上的,而且M3具有两个AHB到APB桥,GPIO则直接接在AHB矩阵上,这样可以减少CPU和DMA控制器之间的竞争冲入,获得较高性能.APB总线桥配置为写缓冲区,使得CPU或DMA控制器可直接操作APB外设,而无需等待总线写操作完成. M3数字I/O功能:高速GPIO口

ARM架构:  由英国ARM公司设计的一系列32位的RISC微处理器架构总称,现有ARMv1~ARMv8种类. ARM7:       一类采用ARMv3或ARMv4架构的,使用冯诺依曼结构的内核. ARM9:       一类采用ARMv4或ARMv5架构的,使用哈佛结构的内核. Cortex M3: 采用了ARMv7架构的,使用哈佛结构的内核. Cortex M4: 采用了ARMv7架构的,使用哈佛结构的内核.(较前者最大区:别增加了一个DSP处理功能,SIMD单指令多数据功能.其他区别请自

STM32学习之路入门篇之指令集及cortex——m3的存储系统 一.汇编语言基础 一).汇编语言:基本语法 1.汇编指令最典型的书写模式: 标号 操作码        操作数1, 操作数2,... :注释 1).标号是可选的,如果有,它必须顶格写.标号的作用是让汇编器来计算程序转移的地址. 2).操作码是指令的助记符,它的前面必须有至少一个空白符,通常使用提个Tab键来产生. 3).操作码后面往往跟若干个操作数,而第一个操作数,通常都给出本指令执行结果的存储地.不同指令需要不同数目的操作数,并

ARM7 ARM9 ARM Cortex M3 M4 区别 arm7 arm9 可以类比386和奔腾, 不同代,arm9相比arm7指令集和性能都有所增强,arm7和arm9都有带mmu和无mmu的版本,不过大多的arm7都不带,而大多的arm9的都带.所以一般是arm7跑实时操作系统像ucos做简单的控制应用,而arm9跑linux,cortex是更新一代,分高端的A系列和和低端的M系列,来接arm9和arm7的班 一般情况下ARM7 Cortex-M3 Cortex-M4可以认为是一类,M3

目录 前言 posix 标准接口层设计 模拟器的系统心跳 模拟器的task底层实质 模拟器的任务切换原理 cortex M3/M4异常处理 双堆栈指针 双操作模式 栈帧 EXC_RETURN 前言 如果对硬件任务内核切换不感兴趣的同学可以跳过. 由于任务源码分析开始涉及到接口层,所以在学习源码前,先了解下posix接口层的设计. 本系列接口层会讲解两个: posix标准接口.因为本教程demo在linux上跑freertos时实际使用的就是这个接口. cortex m3/m4架构接口.因为这才是

解析 STM32 的启动过程 解析STM32的启动过程 当前的嵌入式应用程序开发过程里,并且C语言成为了绝大部分场合的最佳选择.如此一来main函数似乎成为了理所当然的起点——因为C程序往往从main函数开始执行.但一个经常会被忽略的问题是:微控制器(单片机)上电后,是如何寻找到并执行main函数的呢?很显然微控制器无法从硬件上定位main函数的入口地址,因为使用C语言作为开发语言后,变量/函数的地址便由编译器在编译时自行分配,这样一来main函数的入口地址在微控制器的内部存储空间中不再是绝对不

1.stm32综述 2.寄存器组 3.操作模式和特权级别 4.存储器映射 5.中断和异常 6.其他 Stm32综述 这可以说是我第一款认真学习的单片机了,学完这个就要开启我通往arm9的大门了,接下来把我学到的东西做一个系统的概述: 上图是stm32的系统结构. 使用哈弗体系结构,取指和取数据分离, ICODE指令总线连接到flash闪存指令存储区,这个存储区的地址在0x00000000-0x1FFFFFFF之间,负责取指操作. DCODE数据总线负责在0x00000000-0x1FFFFFFF

http://www.zembedded.com/cortex-m3-registers-in-depth/ Thanks for the overwhelm response you show in our first tutorial on Cortex_M3 series controllers. This is going to be the second tutorial, where we are going to discuss about the registers availa

此书有点深,记录点自己能够看懂的. 1.内存管理一章:讲到变量的类型.生存周期.内存分配. auto static register 局部变量,全局变量 malloc free 内存碎片,消除内存池的一个常见的策略是可以使用分配池 2.共享内存一章:讲到如何编写可重入函数,很多库函数都是设计为可重入函数的,函数体内不能有全局变量和静态变量,有的参数可以通过指针(或二级指针)实现. const类型限定符,使用方法有以下几种: const int p; const int p; int const

https://github.com/MarkDing/swd_programing_sram // // Copyright (c) 2013 SILICON LABORATORIES, INC. // // FILE NAME : 32bit_prog_defs.h // DESCRIPTION : ARM Serial Wire debug interface header file // #ifndef _32BIT_PROG_DEFS_ #define _32BIT_PROG_DEFS

Serial Wire Debug (SWD) provides a debug port for severely pin limited packages, often the case for small package microcontrollers but also complex ASICs where limiting pin-count is critical and can be the controlling factor in device costs. SWD repl

SWD其实和JTAG类似,是一种调试串口. JTAG大致了解了一下.JTAG(Joint Test Action Group)主要4 lines:TMS(模式选择),TCK(时钟),TDI(数据输入),TDO(数据输出).都是串行总线.JTAG model中通过状态机的方式,对cmd进行解析后控制TMS和TDI的输出. SWD(Serial Wire Debug)主要2 lines: SWDIO(双向串行数据线),SWDCLK(串行时钟线,Master drive).协议:ARM CPU sta

本文介绍了如何解决STM32芯片Flash写保护导致无法下载程序,无法在线调试的问题:如果您遇到相同的问题,希望本文可以带来一些帮助: 如果本文帮到了您,请帮忙点个赞

STM32F4Discovery开发帮使用的STM32F407VGT6芯片,内部FLASH有1M之多.平时写的代码,烧写完之后还有大量的剩余.有效利用这剩余的FLASH能存储不少数据.因此研究了一下STM32F4读写内部FLASH的一些操作. [STM32F4 内部Flash的一些信息] STM32F407VG的内部FLASH的地址是:0x08000000,大小是0x00100000. 写FLASH的时候,如果发现写入地址的FLASH没有被擦出,数据将不会写入.FLASH的擦除操作,只能按Sec

STM32中存储区分为:随机存取存储器RAM和只读存储器ROM. 其中: RAM为常说的内存,比如手机的2G内存4G内存等,就是程序跑起来的时候所占用的存储空间,特点是掉电数据丢失. ROM为常说的硬盘,比如手机的64G和128G等,可以简单的理解为硬盘的存储空间,特点是掉电数据不丢失,所以又叫“非易失性存储器件”.  ROM又包含:EEPROM和flash. 画个嵌入式产品存储器件的思维导图如下(如有什么地方不对,恳请大神们进行指正):  作为ROM的一份子,flash的特点自然是掉电数据不丢

编译环境:我用的是(Keil)MDK4.7.2   stm32库版本:我用的是3.5.0一.本文不对FLASH的基础知识做详细的介绍,不懂得地方请查阅有关资料. 对STM32 内部FLASH进行编程操作,需要遵循以下流程: FLASH解锁 清除相关标志位 擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便,即物理实现方便) 写入FLASH 锁定FLASH实例:#define FLASH_PAGE_SIZE    ((uint16_t)0x400) //如果一页为1K大小#define WRI

Flash 中文名字叫闪存,是一种长寿命的非易失性(断电数据不丢失)的存储器.可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程,在进行写入操作之前必须先执行擦除.一个Nand Flash由多个块(Block)组成,每个块里面又包含很多页(page).每个页对应一个空闲区域/冗余区域(spare area),这个区域不是用来存储数据的,用于放置数据的校验值检测和纠错的.块,是Nand Flash的擦除操作的基本/最小单位.页,是Nand Flash的写入操作的基本/最小的单位. 首先简要写一下FLASH

转载自: http://bbs.elecfans.com/jishu_388272_1_1.html 说到STM32的FLSAH,我们的第一反应是用来装程序的,实际上,STM32的片内FLASH不仅用来装程序,还用来装芯片配置.芯片ID.自举程序等等.当然, FLASH还可以用来装数据.     自己收集了一些资料,现将这些资料总结了一下,不想看的可以直接调到后面看怎么操作就可以了.FLASH分类       根据用途,STM32片内的FLASH分成两部分:主存储块.信息块. 主存储块用于存储程