ODT ( On-DieTermination ,片内终结)ODT 也是 DDR2 相对于 DDR1 的关键技术突破,所谓的终结(端接),就是让信号被电路的终端吸 收掉,而不会在电路上形成反射, 造成对后面信号的影响. 顾名思义, ODT 就是将端接电阻移植 到了芯片内部,主板上不再有端接电路.在进入DDR 时代, DDR 内存对工作环境提出更高的要求,如 果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象, 就会对后面信号的影响造成 运算出错.因此目前支持DDR主板都是通过采用终结

1,在完成上一节的memory初始化后,接下来在arch/arm/cpu/armv7/start.S的160行:如下图 2,跳转到arch/arm/lib/board.c下的board_init_f函数,如下图: 3,在285行的memset函数,此函数地址在0x3481c8c4,属于在BL2的地址范围.而_start地址在:0x34800000,很明显memset函数超出了BL1的16K的大小范围. 所以必需把BL2搬到DDR中,并且本身跳到DDR中执行BL2中的代码. 4,BL2移到内存中的

在config.ini文件中加入dm.park.time=1,会使uap中的tomcat启动加快

一.DDR中的基本术语 (2)逻辑Bank SDRAM的内部是一个存储阵列,类似于一张表格.和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),就可以准确地找到所需要的单元格,这就是内存芯片寻址的基本原理.对于内存,这个单元格可称为存储单元,那么这个表格(存储阵列)叫什么呢?它就是逻辑Bank(Logical Bank). (1)rank 在讲rank之前,我们先了解一下DDR数据存取,以64bits数据线为例,CPU每次从内存里面存读数据都是一次64bits,而我们知道

DDR中端接技术基本概念  版权声明:转载请注明出处:http://blog.csdn.net/lg2lh https://blog.csdn.net/lg2lh/article/details/9014195 端接技术主要分为三种端接方式:串行端接,并行端接,差分端接 关于三种端接电阻的位置: 串行端接电阻多用作源端阻抗匹配,故一般放置靠近信号源所在端,如cpu的clk. 并行端接电阻多用于负载端阻抗匹配,故一般放置靠近负载一侧. 其中差分端接属于并行短接,个人观点. 串行端接电阻记作Rs,并

图中虚线是自动跳转,实线是通过发送命令才能跳转的. 下面是框中对应的命令. ACT = ACTIVATE MPR = Multipurpose register MRS = Mode register set PDE = Power-down entry PDX = Power-down exit PREA = PRECHARGE ALL PRE = PRECHARGE READ = RD, RDS4, RDS8 ZQCL = ZQ LONG CALIBRATION REF = REFRESH

(3) 列地址选择(CAS#): 选择器件内感兴趣的地址列 行地址选择(RAS#): 选择设备中感兴趣的地址行. (4)(precharge)预充电 DRAM读取具有破坏性,也就是说,在读操作中会破坏内存单元行中的数据.因此,必需在该行上的读或写操作结束时,把行数据写回到 同一行中.这一操作称为预充电,是行上的最后一项操作.必须完成这一操作之后,才能访问新的行,这一操作称为关闭打开的行. (5)Activate (激活)命令 向SDRAM发送一个行地址,打开内存的一个行(页面)要求 Precha

一. 软件平台与硬件平台 软件平台: 1.操作系统:Windows-8.1 2.开发套件:无 3.仿真工具:无 硬件平台: 1. FPGA型号:无 2. DDR3型号:无 二. 存储器的分类 存储器一般来说可以分为内部存储器(内存),外部存储器(外存),缓冲存储器(缓存)以及闪存这几个大类.内存也称为主存储器,位于系统主机板上,可以同CPU直接进行信息交换.其主要特点是:运行速度快,容量小.外存也称为辅助存储器,不能与CPU之间直接进行信息交换.其主要特点是:存取速度相对内存要慢得多,存储容量大

前面已经详细介绍了从PL端如何用AXI总线去控制DDR的读写,并且从AXI_BRESP的返回值来看,我们也是成功写入了的.但是没有通过别的方式来验证写入的数据的话,总是感觉差了点什么. 今天试了一把从PS端直接读取DDR里面的数据,刚好跟PL端写入的一样,这下可以放心的认为我们写入成功了. 还是跟前面说的一样,在SDK里面使用hello world的模版就可以了. 准备工作:(这部分参考了[ZYNQ-7000开发之六]使用PS控制DDR3的读写) 1.DDR3的地址 在mem_demo_bsp-

DDR与SDRAM的最大区别:内部L-Bank的规格不同. SDRAM中的L-Bank存储单元的容量与芯片位宽相同, DDRAM中的存储单元的容量是芯片位宽的一倍. 所以一次的地址访问,可以进行2-Prefetch.内部的L-Bank一次传输2Nbit的数据,分为Nbit的数据传给复用器, 然后在DQS信号的控制下,每次分Nbit进行传输. 差分时钟,CK/CK#,其中的CK#并不能理解为第二个触发时钟,它起到的作用是校准CK的上下沿. (在CK上升沿快,下降沿慢的情况下,CK#则是上升沿慢,下

Momentum Indicator Functions ADX - Average Directional Movement Index 函数名:ADX 名称:平均趋向指数 简介:使用ADX指标,指标判断盘整.振荡和单边趋势. 公式: 一.先决定股价趋势(Directional Movement,DM)是上涨或下跌: “所谓DM值,今日股价波动幅度大于昨日股价波动幅部分的最大值,可能是创高价的部分或创低价的部分:如果今日股价波动幅度较前一日小,则DM = 0.” 若股价高点持续走高,为上涨趋势

深入分析:我们为何需要DDR2内存技术 http://www.cnblogs.com/thx-bj/archive/2008/04/02/1134040.html 文/IT168评测室特约 Myddn [IT168评测室]最近,假如你仔细的观察PC领域发生的变化,你就会注意的一个新鲜的术语“DDR2”频频出现.顾名思义,DDR2就是第二代双倍速率同步动态随机存储器,这个名字听上去很拗口,实际上我们只要知道它的缩写是DDR SDRAM就行了.就目前的发展看来,DDR2绝对不是纸上谈兵,它的平台已经

一.LVM原理 [MD]:Multi Device 多设备 Mdadm是一个用户空间工具,是RAID的管理工具,与真正的RAID工作没有太大关系.真正的RAID集成在linux内核中 [DM]Device Mapper设备映射也是linux中一种常用的管理机制 DM 与MD近似,也能够提供一种逻辑设备 DM比MD的功能要强大.因为DM不仅仅能提供MD的RAID的功能,它还是逻辑卷(LVM2)基础,同时,在逻辑卷的基础上我们也能实现RAID0,RAID1.这样的功能.所有DM与MD中有某些功能是重

首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格.和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格,这就是内存芯片寻址的基本原理.对于内存,这个单元格可称为存储单元,那么这个表格(存储阵列)就是逻辑 Bank(Logical Bank,下面简称Bank). DDR3内部Bank示意图,

1.为什么要有uboot 1.1.计算机系统的主要部件 (1)计算机系统就是以CPU为核心来运行的系统.典型的计算机系统有:PC机(台式机+笔记本).嵌入式设备(手机.平板电脑.游戏机).单片机(家用电器像电饭锅.空调) (2)计算机系统的组成部件非常多,不同的计算机系统组成部件也不同.但是所有的计算机系统运行时需要的主要核心部件都是3个东西: CPU + 外部存储器(Flash/硬盘) + 内部存储器(DDR SDRAM/SDRAM/SRAM) 1.2.PC机的启动过程 (1)部署:典型的PC

有不少的朋友,特别是刚刚接触DSP的朋友.基于DVRRDK编写C代码发现执行速度特别慢,我在上面简单的对每一个像素的UV分量赋值=0x80,这样就成了灰度图像.对1080P图像进行操作,发现处理每帧要耗时10-20ms,真是慢的不可思议. 近期将SWOSD的完整代码看了一遍发现了玄机. 主要问题是在DDR中读写数据拖慢了速度. 经測试SWOSD进行一帧D1的叠加仅须要400us(叠加大小大概208*32*3个窗体): 细致分析.其内部使用了基于内部 IALG_DARAM0(双通片上数据存储)的乒

Linux中LVM2原理及制作LVM2 一.LVM原理 [MD]:Multi Device 多设备 Mdadm是一个用户空间工具,是RAID的管理工具,与真正的RAID工作没有太大关系.真正的RAID集成在linux内核中 [DM]Device Mapper设备映射也是linux中一种经常使用的管理机制 DM 与MD近似,也可以提供一种逻辑设备 DM比MD的功能要强大.由于DM不只能提供MD的RAID的功能,它还是逻辑卷(LVM2)基础,同一时候,在逻辑卷的基础上我们也能实现RAID0,RAID

使用CCS调试基于AM335X的SPL.Uboot 一.开发环境 1.硬件平台:创龙AM3359核心板 2.SDK版本:ti-processor-sdk-linux-am335x-evm-03.00.00.04-Linux-x86-Install 3.Uboot版本:u-boot-2016.05-g1051776-v1.4.tar 4.CCS版本:CCS6.2.0.00050_linux-x64.tar 二.开发准备 1.使用虚拟机安装64位 Ubuntu16.04系统. 2.SDK的安装按照创

http://blog.csdn.net/ooonebook/article/details/53070065 以下例子都以project X项目tiny210(s5pv210平台,armv7架构)为例 [uboot] uboot流程系列: [project X] tiny210(s5pv210)上电启动流程(BL0-BL2) [project X] tiny210(s5pv210)从存储设备加载代码到DDR [uboot] (第一章)uboot流程——概述 [uboot] (第二章)uboot

Tiny210(S5PV210) u-boot移植http://www.microoh.com/bbs/forum.php?mod=viewthread&tid=254&fromuid=6205(出处: 麦可网论坛) 请大家关注原作者南山一梦 一直想开一个帖子,针对课程的Stage4系统移植阶段,把一些在视频课程中没有讲透彻的地方,和大家一起讨论交流一下,今天开一个关于u-boot移植的帖子,分享一些我u-boot移植过程中的笔记和学习心得,全当是抛砖引玉,也希望大家能指出其中的错误,对于