MAX10 是Intel FPGA的CPLD中的一个特殊的芯片,因为它内部有CPLD的Flash结构,也有FPGA的Ram结构.具体的可以参考MAX10 Handbook文档. Max10 在外部存储器方面不但支持DDR2,还支持DDR3和LPDDR2. 不过需要注意的是并不是所有的芯片都支持DDR3和LPDDR2的,只有-6等级的芯片才支持DDR3和LPDDR2,而且速度也有要求,大于300MHZ,小于303Mhz.另外最大支持24bit(16bit data+8bit ECC),放置的位置为

节选内容转载自https://www.design-reuse.com/articles/13805/the-love-hate-relationship-with-ddr-sdram-controllers.html Keep the DRAMs Simple, Put Complexity in the Controller There are three critical decisions that forever complicated the DDR SDRAM memory con

DDR3的IP核的使用相当重要,尤其是对视频处理方面. 下面接收DDR3 的IP 核的生成步骤. 1. 选择DDR IP核的生成路径.名字以及哪种语言之后就可以设置DDR IP 的参数了. 2.选择存储大小,可以选择1G.2G.4G或custom. 操作时钟选择(如果速度等级为8,则就没得选择只有跑到300M). Memory Type 选择on_board_memory,就是焊接在板子上的DDR 芯片.memory data bus size 定义了数据总线的宽度. configuration

DDR与SDRAM的最大区别:内部L-Bank的规格不同. SDRAM中的L-Bank存储单元的容量与芯片位宽相同, DDRAM中的存储单元的容量是芯片位宽的一倍. 所以一次的地址访问,可以进行2-Prefetch.内部的L-Bank一次传输2Nbit的数据,分为Nbit的数据传给复用器, 然后在DQS信号的控制下,每次分Nbit进行传输. 差分时钟,CK/CK#,其中的CK#并不能理解为第二个触发时钟,它起到的作用是校准CK的上下沿. (在CK上升沿快,下降沿慢的情况下,CK#则是上升沿慢,下

源:DDR工作原理 DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM,中文名为“双倍数据流SDRAM”.DDR SDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来.也正因为如此,DDR能够凭借着转产成本优势来打败昔日的对手RDRAM,成为当今的主流.本文只着重讲讲DDR的原理和DDR SDRAM相对于传统SDRAM(又称SDR SDRAM)的不同. DDR的核心频率.时钟频率和数据传输频率: 核心频率就是内存的工作频率:DDR1内存的核心频率是和时钟频率相同的,到了DDR2和DDR

本文转载自: https://blog.csdn.net/weixin_38233274/article/details/81016870 ODT是什么鬼?为什么要用ODT?在很多关于DDR3的博文和介绍中都没有将清楚.在查阅了很多资料并仔细阅读DDR3的官方标准(JESD79-3A)之后,总算有点了头绪,下面来整理整理. 1.首先ODT是什么? ODT(On-Die Termination),是从DDR2 SDRAM时代开始新增的功能.其允许用户通过读写MR1寄存器,来控制DDR3 SDRAM

一. 软件平台与硬件平台 软件平台: 1.操作系统:Windows-8.1 2.开发套件:无 3.仿真工具:无 硬件平台: 1. FPGA型号:无 2. DDR3型号:无 二. 存储器的分类 存储器一般来说可以分为内部存储器(内存),外部存储器(外存),缓冲存储器(缓存)以及闪存这几个大类.内存也称为主存储器,位于系统主机板上,可以同CPU直接进行信息交换.其主要特点是:运行速度快,容量小.外存也称为辅助存储器,不能与CPU之间直接进行信息交换.其主要特点是:存取速度相对内存要慢得多,存储容量大

 CL (CAS latency) CL是从读命令发出到有效数据到DDR端口的延时,以时钟为单位.下图分别表示CL = 3和CL = 4的两种情况, 如果读命令在第n个时钟周期发出,CL = m,则读取的数据在第n+m个时钟时有效. 我们以MICRON 1Gb DDR2 SDRAM 为例, CL一般为3,4,5,6或者7个时钟,不同速度等级的DDR2支持的CL是不同的,如下图,速度等级为-187E的CL支持从3到7,而 速度等级为-25E的DDR2则只支持CL从3到6,速率等级为-3的DDR2支

ODT ( On-DieTermination ,片内终结)ODT 也是 DDR2 相对于 DDR1 的关键技术突破,所谓的终结(端接),就是让信号被电路的终端吸 收掉,而不会在电路上形成反射, 造成对后面信号的影响. 顾名思义, ODT 就是将端接电阻移植 到了芯片内部,主板上不再有端接电路.在进入DDR 时代, DDR 内存对工作环境提出更高的要求,如 果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象, 就会对后面信号的影响造成 运算出错.因此目前支持DDR主板都是通过采用终结

图中虚线是自动跳转,实线是通过发送命令才能跳转的. 下面是框中对应的命令. ACT = ACTIVATE MPR = Multipurpose register MRS = Mode register set PDE = Power-down entry PDX = Power-down exit PREA = PRECHARGE ALL PRE = PRECHARGE READ = RD, RDS4, RDS8 ZQCL = ZQ LONG CALIBRATION REF = REFRESH

深入分析:我们为何需要DDR2内存技术 http://www.cnblogs.com/thx-bj/archive/2008/04/02/1134040.html 文/IT168评测室特约 Myddn [IT168评测室]最近,假如你仔细的观察PC领域发生的变化,你就会注意的一个新鲜的术语“DDR2”频频出现.顾名思义,DDR2就是第二代双倍速率同步动态随机存储器,这个名字听上去很拗口,实际上我们只要知道它的缩写是DDR SDRAM就行了.就目前的发展看来,DDR2绝对不是纸上谈兵,它的平台已经

基本知识 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory 简称 DDR SDRAM 双倍数据率同步动态随机存取内存 DDR SDRAM 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输 DDR芯片的数据总线有 8位 16位 32位,如果是8位芯片则64位的数据总线需要8颗DDR3芯片. DDR芯片引脚介绍 CK,CK#:差分时钟信号.所有控制和地址输入信号在CK上升沿和CK#下降沿交叉处被采样,输入数据选通(DQS,DQS#)参考C

一.DDR电源简介 1. 电源 DDR的电源可以分为三类: a.主电源VDD和VDDQ,主电源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是给IO buffer供电的电源,VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用. 有的芯片还有VDDL,是给DLL供电的,也和VDD使用同一电源即可.电源设计时,需要考虑电压,电流是否满足要求,电源的上电顺序和电源的上电时间,单调性等.电源电压的要求一般在±5%以内.电流需要根据使用的不同芯片,及芯片个数等进行计算.由于DDR的电流一般都比较大,所以

https://blog.csdn.net/cpf099/article/details/52038862 https://blog.csdn.net/cpf099/article/details/52038879 http://www.linelayout.com/bbs/html/201668/14117.htm http://www.iot-online.com/IC/embedded/2017/082175058.html https://download.csdn.net/downlo

首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格.和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格,这就是内存芯片寻址的基本原理.对于内存,这个单元格可称为存储单元,那么这个表格(存储阵列)就是逻辑 Bank(Logical Bank,下面简称Bank). DDR3内部Bank示意图,

转自 http://www.fairchildic.org/module/forum/thread-658-1-1.html (原帖包括详细的附件内容) 1. 电源 DDR的电源可以分为三类A.主电源VDD和VDDQ,主电源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是给IO buffer供电的电源,VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用.有的芯片还有VDDL,是给DLL供电的,也和VDD使用同一电源即可.电源设计时,需要考虑电压,电流是否满足要求,电源的上电顺序和电源的上电时间

1. 获取 flash id: 硬件信息:通过这个节点可以知道当前flash的id,上层根据id找到对应的flash名字. cat /sys/block/mmcblk0/device/cid \kernel-4.4\drivers\mmc\core\Mmc.c MMC_DEV_ATTR(cid, "%08x%08x%08x%08x\n", card->raw_cid[0], card->raw_cid[1] MT8163_MT8127 GDT42A32ED7_T2E    

DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM,中文名为“双倍数据流SDRAM”.DDR SDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来.也正因为如此,DDR能够凭借着转产成本优势来打败昔日的对手RDRAM,成为当今的主流.本文只着重讲讲DDR的原理和DDR SDRAM相对于传统SDRAM(又称SDR SDRAM)的不同. DDR的核心频率.时钟频率和数据传输频率: 核心频率就是内存的工作频率:DDR1内存的核心频率是和时钟频率相同的,到了DDR2和DDR3时才有了时钟频率的

DDR PHY interface bit error testing and training is provided for Double Data Rate memory systems. An integrated circuit comprises a bit error test (BERT) controller that provides a bit pattern; and a physical interface having a plurality of byte lane

RAM的原理简单学习 DDR是RAM的一种,RAM常见的类型有SRAM,SDRAM,DDR他们的共同特点是,随机存储意味着读写速度快,掉电后数据丢失,所以常用来存储程序中的变量. SRAM 静态随机存储器英文是static random-access memory 就是保持上电就可以保存数据而不需要刷新.数据线和地址线分离以IS62WV51216这个芯片为例,他数据位宽为16,大小为1MB,地址线宽是19.所以可以访问的空间大小就是2的19次方即524288=512KB,然后数据线是16位了,所