ODT ( On-DieTermination ,片内终结)ODT 也是 DDR2 相对于 DDR1 的关键技术突破,所谓的终结(端接),就是让信号被电路的终端吸 收掉,而不会在电路上形成反射, 造成对后面信号的影响. 顾名思义, ODT 就是将端接电阻移植 到了芯片内部,主板上不再有端接电路.在进入DDR 时代, DDR 内存对工作环境提出更高的要求,如 果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象, 就会对后面信号的影响造成 运算出错.因此目前支持DDR主板都是通过采用终结

DDR与SDRAM的最大区别:内部L-Bank的规格不同. SDRAM中的L-Bank存储单元的容量与芯片位宽相同, DDRAM中的存储单元的容量是芯片位宽的一倍. 所以一次的地址访问,可以进行2-Prefetch.内部的L-Bank一次传输2Nbit的数据,分为Nbit的数据传给复用器, 然后在DQS信号的控制下,每次分Nbit进行传输. 差分时钟,CK/CK#,其中的CK#并不能理解为第二个触发时钟,它起到的作用是校准CK的上下沿. (在CK上升沿快,下降沿慢的情况下,CK#则是上升沿慢,下

源:DDR工作原理 DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM,中文名为“双倍数据流SDRAM”.DDR SDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来.也正因为如此,DDR能够凭借着转产成本优势来打败昔日的对手RDRAM,成为当今的主流.本文只着重讲讲DDR的原理和DDR SDRAM相对于传统SDRAM(又称SDR SDRAM)的不同. DDR的核心频率.时钟频率和数据传输频率: 核心频率就是内存的工作频率:DDR1内存的核心频率是和时钟频率相同的,到了DDR2和DDR

本文转载自: https://blog.csdn.net/weixin_38233274/article/details/81016870 ODT是什么鬼?为什么要用ODT?在很多关于DDR3的博文和介绍中都没有将清楚.在查阅了很多资料并仔细阅读DDR3的官方标准(JESD79-3A)之后,总算有点了头绪,下面来整理整理. 1.首先ODT是什么? ODT(On-Die Termination),是从DDR2 SDRAM时代开始新增的功能.其允许用户通过读写MR1寄存器,来控制DDR3 SDRAM

1.概述 i.MX 6ULL系列芯片的MMDC是一个多模式DDR控制器,支持DDR3/DDR3Lx16和LPDDR2x16的存储类型,MMDC是可配置,高性能,优化的内存控制器. 注:DDR3/DDR3Lx16.LPDDR2x16 ,此处的x16表示芯片位宽,每个传输周期能够提供的数据量(bit).也就是说明,如果要提供32位的位宽内存存储,需要2颗以上型号的内存进行并联使用. 下面是MMDC逻辑框图: MMDC由内核(MMDC_CORE)和物理层(MMDC_PHYl)两部分构成. 内核负责通过

一. 软件平台与硬件平台 软件平台: 1.操作系统:Windows-8.1 2.开发套件:无 3.仿真工具:无 硬件平台: 1. FPGA型号:无 2. DDR3型号:无 二. 存储器的分类 存储器一般来说可以分为内部存储器(内存),外部存储器(外存),缓冲存储器(缓存)以及闪存这几个大类.内存也称为主存储器,位于系统主机板上,可以同CPU直接进行信息交换.其主要特点是:运行速度快,容量小.外存也称为辅助存储器,不能与CPU之间直接进行信息交换.其主要特点是:存取速度相对内存要慢得多,存储容量大

图中虚线是自动跳转,实线是通过发送命令才能跳转的. 下面是框中对应的命令. ACT = ACTIVATE MPR = Multipurpose register MRS = Mode register set PDE = Power-down entry PDX = Power-down exit PREA = PRECHARGE ALL PRE = PRECHARGE READ = RD, RDS4, RDS8 ZQCL = ZQ LONG CALIBRATION REF = REFRESH

节选内容转载自https://www.design-reuse.com/articles/13805/the-love-hate-relationship-with-ddr-sdram-controllers.html Keep the DRAMs Simple, Put Complexity in the Controller There are three critical decisions that forever complicated the DDR SDRAM memory con

基本知识 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory 简称 DDR SDRAM 双倍数据率同步动态随机存取内存 DDR SDRAM 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输 DDR芯片的数据总线有 8位 16位 32位,如果是8位芯片则64位的数据总线需要8颗DDR3芯片. DDR芯片引脚介绍 CK,CK#:差分时钟信号.所有控制和地址输入信号在CK上升沿和CK#下降沿交叉处被采样,输入数据选通(DQS,DQS#)参考C

一.容量和封装相关 (1)逻辑Bank数量增加 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,而DDR3起始的逻辑Bank是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备. (2)封装(Packages) DDR2有60/68/84球FBGA封装三种规格. DDR3由于新增了一些功能,所以引脚有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,并且DDR3必须是绿色封装. DDR3学习笔记 分类: 服务器与存储 2014-02-20 12:09:52 原

一.DDR电源简介 1. 电源 DDR的电源可以分为三类: a.主电源VDD和VDDQ,主电源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是给IO buffer供电的电源,VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用. 有的芯片还有VDDL,是给DLL供电的,也和VDD使用同一电源即可.电源设计时,需要考虑电压,电流是否满足要求,电源的上电顺序和电源的上电时间,单调性等.电源电压的要求一般在±5%以内.电流需要根据使用的不同芯片,及芯片个数等进行计算.由于DDR的电流一般都比较大,所以

https://blog.csdn.net/cpf099/article/details/52038862 https://blog.csdn.net/cpf099/article/details/52038879 http://www.linelayout.com/bbs/html/201668/14117.htm http://www.iot-online.com/IC/embedded/2017/082175058.html https://download.csdn.net/downlo

首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格.和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格,这就是内存芯片寻址的基本原理.对于内存,这个单元格可称为存储单元,那么这个表格(存储阵列)就是逻辑 Bank(Logical Bank,下面简称Bank). DDR3内部Bank示意图,

转自 http://www.fairchildic.org/module/forum/thread-658-1-1.html (原帖包括详细的附件内容) 1. 电源 DDR的电源可以分为三类A.主电源VDD和VDDQ,主电源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是给IO buffer供电的电源,VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用.有的芯片还有VDDL,是给DLL供电的,也和VDD使用同一电源即可.电源设计时,需要考虑电压,电流是否满足要求,电源的上电顺序和电源的上电时间

DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM,中文名为“双倍数据流SDRAM”.DDR SDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来.也正因为如此,DDR能够凭借着转产成本优势来打败昔日的对手RDRAM,成为当今的主流.本文只着重讲讲DDR的原理和DDR SDRAM相对于传统SDRAM(又称SDR SDRAM)的不同. DDR的核心频率.时钟频率和数据传输频率: 核心频率就是内存的工作频率:DDR1内存的核心频率是和时钟频率相同的,到了DDR2和DDR3时才有了时钟频率的

1.前言 DDR的全称为Double Data Rate SDRAM,也就是双倍速率的SDRAM,SDRAM在一个CLK周期传输一次数据,而DDR在一个CLK周期传输两次数据,分别在上升沿和下降沿各传输一次数据,该概念称为预取,在描述DDR速度的时候一般使用MT/S单位,也就是每秒多少兆次数据传输. 2.DDR结构框图 接下来将以Micro的DDR3L芯片MT41K256M16进行结构框图的介绍,该芯片是一款512MB的DDR3L内存芯片,框图如下所示: 接下来对上面给出的框架图各个标号进行简单

ODT ( On-DieTermination ,片内终结)ODT 也是 DDR2 相对于 DDR1 的关键技术突破,所谓的终结(端接),就是让信号被电路的终端吸 收掉,而不会在电路上形成反射, 造成对后面信号的影响. 顾名思义, ODT 就是将端接电阻移植 到了芯片内部,主板上不再有端接电路.在进入DDR 时代, DDR 内存对工作环境提出更高的要求,如 果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象, 就会对后面信号的影响造成 运算出错.因此目前支持DDR主板都是通过采用终结

作者:一博科技 DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM,中文名为"双倍数据率SDRAM".DDR是在原有的SDRAM的基础上改进而来,严格的说DDR应该叫DDR SDRAM,人们习惯称为DDR.说到这里,很多人可能会问SDRAM.DRAM.SRAM或者RAM.ROM到底是什么鬼,怎么区别的?小编还是来简单普及下关于存储的基础知识吧.ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是只读存储器(Read-Only Memory)的简称,是一种只能读出事先所存数据的

以下内容为原创,欢迎转载,转载请注明 来自天天博客:http://www.cnblogs.com/tiantianbyconan/p/5098943.html Dagger2Metrics - 测量DI图表初始化的性能 原文:http://frogermcs.github.io/dagger2metrics-measure-performance-of-graph-initialization/ 几个月前我们通过 Dagger 2 - graph creation performance 经历了

随着智能机的发展,DDR内存容量越来越大,bank数量越来越多,功耗也越来越大.在不需要的时候关闭部分bank,或者降低自刷新频率,或者进入深度低功耗模式.有三种DDR技术用来降低功耗: PASR(Partial Array Self-Refresh),根据内存使用情况,调整内存位置,尽量空闲更多bank,选择关闭,以达到节省功耗的目的. TCSR(Temperature Compensated Self-Refresh),在不同的温度下,DDR需要不同的刷新率.根据温度调整自刷新频率以达到节省