ODT ( On-DieTermination ,片内终结)ODT 也是 DDR2 相对于 DDR1 的关键技术突破,所谓的终结(端接),就是让信号被电路的终端吸 收掉,而不会在电路上形成反射, 造成对后面信号的影响. 顾名思义, ODT 就是将端接电阻移植 到了芯片内部,主板上不再有端接电路.在进入DDR 时代, DDR 内存对工作环境提出更高的要求,如 果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象, 就会对后面信号的影响造成 运算出错.因此目前支持DDR主板都是通过采用终结

DDR采用一个周期来回传递一次数据,因此传输在同时间加倍,因此就像工作在两倍的工作频率一样.为了直观,以等效的方式命名,因此命名为DDR 200 266 333 400. DDR2尽管工作频率没有变化,数据传输位宽由DDR的2bit变为4bit,那么同时间传递数据是DDR的两倍,因此也用等效频率命名,分别为DDR2 400 533 667 800. DDR3内存也没有增加工作频率,继续提升数据传输位宽变为8bit,为DDR2两倍,因此也在同样工作频率下达到更高带宽,因此用等效方式命名DDR3 8

一. 软件平台与硬件平台 软件平台: 1.操作系统:Windows-8.1 2.开发套件:无 3.仿真工具:无 硬件平台: 1. FPGA型号:无 2. DDR3型号:无 二. 存储器的分类 存储器一般来说可以分为内部存储器(内存),外部存储器(外存),缓冲存储器(缓存)以及闪存这几个大类.内存也称为主存储器,位于系统主机板上,可以同CPU直接进行信息交换.其主要特点是:运行速度快,容量小.外存也称为辅助存储器,不能与CPU之间直接进行信息交换.其主要特点是:存取速度相对内存要慢得多,存储容量大

一.容量和封装相关 (1)逻辑Bank数量增加 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,而DDR3起始的逻辑Bank是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备. (2)封装(Packages) DDR2有60/68/84球FBGA封装三种规格. DDR3由于新增了一些功能,所以引脚有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,并且DDR3必须是绿色封装. DDR3学习笔记 分类: 服务器与存储 2014-02-20 12:09:52 原

首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格.和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格,这就是内存芯片寻址的基本原理.对于内存,这个单元格可称为存储单元,那么这个表格(存储阵列)就是逻辑 Bank(Logical Bank,下面简称Bank). DDR3内部Bank示意图,

ODT ( On-DieTermination ,片内终结)ODT 也是 DDR2 相对于 DDR1 的关键技术突破,所谓的终结(端接),就是让信号被电路的终端吸 收掉,而不会在电路上形成反射, 造成对后面信号的影响. 顾名思义, ODT 就是将端接电阻移植 到了芯片内部,主板上不再有端接电路.在进入DDR 时代, DDR 内存对工作环境提出更高的要求,如 果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象, 就会对后面信号的影响造成 运算出错.因此目前支持DDR主板都是通过采用终结

1.前言 DDR的全称为Double Data Rate SDRAM,也就是双倍速率的SDRAM,SDRAM在一个CLK周期传输一次数据,而DDR在一个CLK周期传输两次数据,分别在上升沿和下降沿各传输一次数据,该概念称为预取,在描述DDR速度的时候一般使用MT/S单位,也就是每秒多少兆次数据传输. 2.DDR结构框图 接下来将以Micro的DDR3L芯片MT41K256M16进行结构框图的介绍,该芯片是一款512MB的DDR3L内存芯片,框图如下所示: 接下来对上面给出的框架图各个标号进行简单

转自:http://www.360doc.com/content/14/0116/16/15528092_345730642.shtml 以及参考网络. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用. 这部分的讲述运用DDR3的简化时序图.DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格. 和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格, 这就是内存芯片寻址的基本原理

这两天正在学习FPGA如何控制DDR3的读写,找到一篇个人感觉比较有意义的文章,可以对DDR的内部结构有一个初步的了解.原文出处:http://blog.chinaunix.net/uid-28458801-id-3459509.html,感谢大神的付出. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的 内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格.和表格的检索原理一样,先指定一个行(R

DDR3内存详解,存储器结构+时序+初始化过程 标签: DDR3存储器博客 2017-06-17 16:10 1943人阅读 评论(1) 收藏 举报  分类: 硬件开发基础(2)  转自:http://www.360doc.com/content/14/0116/16/15528092_345730642.shtml 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你

随着AMD AM2平台CPU的上市,目前两大处理器巨头均提供了对DDR2内存的支持.不过,DDR2远不是内存技术发展的终点,CPU和内存厂商已经在着手进行DDR3内存的相应准备.DDR2内存的好日子还没过上几天,它的下一代产品DDR3又成为了人们关注的对象.     DDR3内存已经面世   在本届Computex 2006台北展会上,威刚科技向人们展示了新一代的DDR3内存.威刚此次展示的vitesta DDR3无缓冲DIMM内存包括DDR3-1066和DDR3-1333两种规格,单条容量均为

本文转自:(4条消息) xilinx ddr3 MIG ip核使用详解_admiraion123的博客-CSDN博客 1,DDR3基本内容介绍1.1,DDR3简介DDR3全称double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM,即第三代双倍速率同步动态随机存储器.所谓同步,是指DDR3数据的读取写入是按时钟同步的:所谓动态,是指DDR3中的数据掉电无法保存,且需要周期性的刷新,才能保持数据:所谓随机存取,即可以随机操作任一地址的数据:所谓double-data-r

What every programmer should know about memory, Part 1(笔记) 每个程序员都应该了解的内存知识[第一部分] 2.商用硬件现状      现在硬件的组成对于pc机而言基本上都是一下的结构:       由2部分组成:南桥,北桥 CPU通过FSB(前端总线)连接到北桥芯片,北桥芯片主要包含内存控制器和其他一些组件,内存控制器决定了内存的类型,SDRAM,DRAM等都需要不同类型的内存控制器. 南桥芯片主要是通过多条不同的总线和设备通信,主要有PC

概述: VK3606D SOP16具有6个触摸按键,可用来检测外部触摸按键上人手的触摸动作.该芯片具有较高的集成度,仅需极少的外部组件便可实现触摸按键的检测.提供了6路1对1直接输出低电平有效.最长输出时间10S.芯片内部采用特殊的集成电路, 具有高电源电压抑制比,可减少按键检测错误的发生,此特性保证在不利环境条件的应用中芯 片仍具有很高的可靠性.此触摸芯片具有自动校准功能,低待机电流,抗电压波动等特性,为各种6触摸按键+IO输出的应用提供了一种简单而又有效的实现方法. 特点: •工作电压 2.

图中虚线是自动跳转,实线是通过发送命令才能跳转的. 下面是框中对应的命令. ACT = ACTIVATE MPR = Multipurpose register MRS = Mode register set PDE = Power-down entry PDX = Power-down exit PREA = PRECHARGE ALL PRE = PRECHARGE READ = RD, RDS4, RDS8 ZQCL = ZQ LONG CALIBRATION REF = REFRESH

DDR与SDRAM的最大区别:内部L-Bank的规格不同. SDRAM中的L-Bank存储单元的容量与芯片位宽相同, DDRAM中的存储单元的容量是芯片位宽的一倍. 所以一次的地址访问,可以进行2-Prefetch.内部的L-Bank一次传输2Nbit的数据,分为Nbit的数据传给复用器, 然后在DQS信号的控制下,每次分Nbit进行传输. 差分时钟,CK/CK#,其中的CK#并不能理解为第二个触发时钟,它起到的作用是校准CK的上下沿. (在CK上升沿快,下降沿慢的情况下,CK#则是上升沿慢,下

源:DDR工作原理 DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM,中文名为“双倍数据流SDRAM”.DDR SDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来.也正因为如此,DDR能够凭借着转产成本优势来打败昔日的对手RDRAM,成为当今的主流.本文只着重讲讲DDR的原理和DDR SDRAM相对于传统SDRAM(又称SDR SDRAM)的不同. DDR的核心频率.时钟频率和数据传输频率: 核心频率就是内存的工作频率:DDR1内存的核心频率是和时钟频率相同的,到了DDR2和DDR

1.概述 i.MX 6ULL系列芯片的MMDC是一个多模式DDR控制器,支持DDR3/DDR3Lx16和LPDDR2x16的存储类型,MMDC是可配置,高性能,优化的内存控制器. 注:DDR3/DDR3Lx16.LPDDR2x16 ,此处的x16表示芯片位宽,每个传输周期能够提供的数据量(bit).也就是说明,如果要提供32位的位宽内存存储,需要2颗以上型号的内存进行并联使用. 下面是MMDC逻辑框图: MMDC由内核(MMDC_CORE)和物理层(MMDC_PHYl)两部分构成. 内核负责通过

DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM,中文名为“双倍数据流SDRAM”.DDR SDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来.也正因为如此,DDR能够凭借着转产成本优势来打败昔日的对手RDRAM,成为当今的主流.本文只着重讲讲DDR的原理和DDR SDRAM相对于传统SDRAM(又称SDR SDRAM)的不同. DDR的核心频率.时钟频率和数据传输频率: 核心频率就是内存的工作频率:DDR1内存的核心频率是和时钟频率相同的,到了DDR2和DDR3时才有了时钟频率的

RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM SRAM DRAM(下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM,random access memory(随机存取存储器)的缩写,下面是51hei.com为大家整理的目前所有的存储器的区别.SRAM:静态随机存储器,就是它不需要刷新电路,不像动态随机存储器那样,每隔一段时间就要刷新一次数据.但是他集成度比较低,不适合做容量大的内存,一般是用在处理器的缓存里面.像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的.DRAM,动态随机存取