ODT ( On-DieTermination ,片内终结)ODT 也是 DDR2 相对于 DDR1 的关键技术突破,所谓的终结(端接),就是让信号被电路的终端吸 收掉,而不会在电路上形成反射, 造成对后面信号的影响. 顾名思义, ODT 就是将端接电阻移植 到了芯片内部,主板上不再有端接电路.在进入DDR 时代, DDR 内存对工作环境提出更高的要求,如 果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象, 就会对后面信号的影响造成 运算出错.因此目前支持DDR主板都是通过采用终结

open-drain与push-pull] GPIO的功能,简单说就是可以根据自己的需要去配置为输入或输出.但是在配置GPIO管脚的时候,常会见到两种模式:开漏(open-drain,漏极开路)和推挽(push-pull). 对此两种模式,有何区别和联系,下面整理了一些资料,来详细解释一下: 图表 1 Push-Pull对比Open-Drain   Push-Pull推挽输出 Open-Drain开漏输出 原理 输出的器件是指输出脚内部集成有一对互补的MOSFET,当Q1导通 .Q2截止时输出高

catalogue . ROM.RAM.DRAM.SRAM和FLASH的区别 . 内存工作原理 . DRAM基本结构与原理 . SD卡基本结构与原理 1. ROM.RAM.DRAM.SRAM和FLASH的区别 0x1: ROM ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,ROM也有很多种 . PROM是可编程的ROM: PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了 . EPROM(可擦除可编程ROM): EPR

综述先看这里 第一节的1.1简单介绍了DC/DC是什么: 第二节是关于DC/DC的常见的疑问答疑,非常实用: 第三节是针对nRF51822这款芯片电源管理部分的DC/DC.LDO.1.8的详细分析,对于研究51822的人很有帮助: 第四节是对DC/DC的系统性介绍,非常全面: 第五节讲稳压电路的,没太多东西,可以跳过: 第六节讲LDO的,包含LDO和DC/DC的选型建议.LDO电容的选择等,很好: 第七八两节从专业角度给出提高电源效率的建议(目前还用不到). 一.DC/DC转换器是什么意思 le

1.什么是源型 漏型?什么是上拉电阻?下拉电阻?什么是 线驱动输出 集电极开路输出,推挽式输出? 我们先来说说集电极开路输出的结构.集电极开路输出的结构如图1所示,右边的那个三极管集电极什么都不接,所以叫做集电极开路(左边的三极管为反相之用,使输入为“0”时,输出也为“0”).对于图1,当左端的输入为“0”时,前面的三极管截止(即集电极c跟发射极e之间相当于断开),所以5v电源通过1k电阻加到右边的三极管上,右边的三极管导通(即相当于一个开关闭合):当左端的输入为“1”时,前面的三极管导通,而后

米尔科技推出的MYD-CZU3EG开发板搭载的就是UltraScale+ MPSoC平台器件 — XCZU3EG,它集成了四核Cortex-A53 处理器,双核 Cortex-R5 实时处理单元以及Mali-400 MP2 图形处理单元及 16nm FinFET+ 可编程逻辑相结合的异构处理系统,具有高性能,低功耗,高扩展等特性,除了这款异构SOC之外,板子还搭载了丰富的接口和完善的开发资料,下面我们来一探究竟. 开箱 暖色调的简洁外包装上印有一行“Make Your idea Real”. 开

输入脚一般是的Cmos 的G脚,理论上期望G-S是无限大高阻,,再大的电阻加了电压就会有电流,因为半导体电子迁移,存在微弱电流从G流到S脚.称做漏电流.而其与特定的加载的电压和环境温度有关系. 当然,为什么会有 -10uA,因为在G-s脚加反向电压,自然就会产生负电流(电流从IO口流出.),或者是P沟道管子做接口,那么G-s需要反偏,自然也是负的漏电流.

GPIO的功能,简单说就是可以根据自己的需要去配置为输入或输出.(General Purpose Input Output,简称为GPIO或总线扩展器,利用工业标准I2C.SMBus?或SPI?接口简化了I/O口的扩展.当微控制器或芯片组没有足够的I/O端口,或当系统需要采用远端串行通信或控制时,GPIO产品能够提供额外的控制和监视功能.)但是在配置GPIO管脚的时候,常会见到两种模式:开漏(open-drain,漏极开路)和推挽(push-pull).对此两种模式,有何区别和联系,下面整理了一

reprint from:http://blog.csdn.net/hemeinvyiqiluoben/article/details/9253249 TTL和COMS电平匹配以及电平转换的方法 一．TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V电源. 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V,Uil≤0.8V 二．C

1 引言 目前,雪崩光电二极管(APD)作为一种高灵敏.能精确接收数据和测量光功率的光探测器件广泛应用于光纤传感.光纤通信网络中.它借助于内部强电场作用产生雪崩倍增效应,具有极高的内部增益(可达102-104量级).然而,APD随温漂的变化严重影响其增益的稳定性．甚至引起测量精度的恶化.理论上可以证明APD的增益是其偏压V和温度T的函数,二者共同决定APD工作时的增益,而且在维持APD增益比较恒定的条件下,其偏压和温度之间存在一定的关系.因此.可以控制APD的偏压使之随温度按一定的规律改变.这样

TTL电平和CMOS电平总结 1,TTL电平:          输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V.在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V.最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V. 2,CMOS电平: 1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V.而且具有很宽的噪声容限. 3,电平转换电路:          因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<＝＝>cmos 3.

作者:crifan (http://bbs.chinaunix.net)邮箱:green-waste@163.com [Open-Drain与Push-Pull]GPIO的功能,简单说就是可以根据自己的需要去配置为输入或输出.(General Purpose Input Output,简称为GPIO或总线扩展器,利用工业标准I2C.SMBus™或SPI™接口简化了I/O口的扩展.当微控制器或芯片组没有足够的I/O端口,或当系统需要采用远端串行通信或控制时,GPIO产品能够提供额外的控制和监视功能

Bayer RGB和RGB Raw 对于SENSOR来说,Bayer RGB和RGB Raw两者的图象结构都是BG/GR的(Bayer pattern说的是COLOR FILTER的结构, 分为两种:STD Bayer pattern 与Pair pattern,其中STD Bayer pattern的结构是BG/GR的,而Pair Pattern顾名思义是指BGBG/GRGR的结构,即以四行为一个单位,前两行是BG的结构,后两行是GR的结构,这种结构是美光专门为此申请了专利的,主要是在输出TV

电压及电流的瞬态干扰是造成电子电路及设备损坏的主要原因,常给人们带来无法估量的损失.这些干扰通常来自于电力设备的起停操作.交流电网的不稳定.雷击干扰及静电放电等,瞬态干扰几乎无处不在.无时不有,使人感到防不胜防.幸好,一种高效能的电路保护器件TVS的出现使瞬态干扰得到了有效抑制TVS(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR) 或称瞬变电压抑制二极管是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品,其电路符号和普通稳压二极管相同,外形也与普通二极管无异,当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击

1.原理 TVS二极管在线路板上与被保护线路并联,当瞬时电压超过电路正常工作电压后,TVS二极管便产生雪崩,提供给瞬时电流一个超低电阻通路,其结果是瞬时电流透过二极管被引开,避开被保护元件,并且在电压恢复正常值之前使被保护回路一直保持截止电压.当瞬时脉冲结束以后,TVS二极管自动回覆高阻状态,整个回路进入正常电压.许多元件在承受多次冲击后,其参数及性能会产生退化,而只要工作在限定范围内,二极管将不会产生损坏或退化. 2.参数 reverse stand-off voltage (Vrwm)反向关

SB2.0是在1.0的基础上于2000年提出来的,在1.0的基础上曾加了480Mbps的数据传输率.USB2.0具有以下的优点: 1.每个USB系统中有一个主机,通过级联的方式连接多个外部设备,最多可以支持127个设备,且支持设备同时操作. 2.支持热插拔 3.应用广泛,可支持多种低速,全速,高速设备 Low speed data rate:1.5Mbps Full speed data rate:12Mbps High speed data rate:480Mbps USB OTG标准在完全兼

半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED).数码管.符号管.米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等.事实上,数码管.符号管.米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管. 一. 半导体发光二极管工作原理.特性及应用(一)LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓).GaP(磷化镓).GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结.因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止.击穿特性.此外,在一定条件下,它还具有发光特性.在正向电压下,电子由N

一.首先了解TVS管的參数,我们以littelfuse的5.0SMDJ系列为例. watermark/2/text/aHR0cDovL2Jsb2cuY3Nkbi5uZXQvbGcybGg=/font/5a6L5L2T/fontsize/400/fill/I0JBQkFCMA==/dissolve/70/gravity/Center" alt=""> 图1 图2 最大峰值脉冲功率 Maximum Peak Pulse Power Pppm峰值脉冲功率为ESD器件上瞬间通过

作为一个学微电子专业的IC learner,这个学期也有一门课:<微电子器件>,今天我就来聊聊基本的器件:CMOS器件及其电路.在后面会聊聊锁存器和触发器. 今天的主要内容如下所示: ·MOS晶体管结构与工作原理简述 ·CMOS单元电路与版图 ·CMOS门电路 ·CMOS的功耗表示 老实说,CMOS比较偏微电子器件,微电子器件还真难...这里我就说一些做数字设计或许要了解的东西吧(以后要是必要,会补充). 1.MOS晶体管结构与工作原理简述 我们或多或少知道,晶体管在数字电路中的主要作用就是一

低功耗设计这个专题整理了好久,有一个月了,有图有证据: 然而最近一直有些烦心事.郁闷事,拖延了一下,虽然现在还是有点烦,但是还是先发表了吧.下面我们就来聊聊低功耗设计吧,由于文章比较长,因此我就不一次性发完,我整理之后再发上去.当然,这里的低功耗设计基本上是入门阶段,也就是大部分从理论角度进行阐述,你也可以说是从书本上说的,但是呢,我可以先给大家剧透一下:不仅仅是从理论上说,我还结合EDA工具进行说明如何进行低功耗设计.废话不多说,下面就来看看这个专题的主要内容: ·低功耗设计的目的 ·功耗的构

本文如果有错,欢迎留言更正:此外,转载请标明出处 http://www.cnblogs.com/IClearner/  ,作者:IC_learner 前面一直说到综合库/工艺库这些东西,现在就来讲讲讲综合库里面有什么东西,同时也讲讲synopsys的Design Ware库.主要内容分为三个部分:标准单元库.DC的设计对象.Design Ware库. (1)标准单元库 绝大多数的数字设计流程都是基于标准单元的半定制设计流程.标准单元库包含了反相器.缓冲.与非.或非.与或非.锁存器.触发器等等逻辑