一.DDR电源简介 1. 电源 DDR的电源可以分为三类: a.主电源VDD和VDDQ,主电源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是给IO buffer供电的电源,VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用. 有的芯片还有VDDL,是给DLL供电的,也和VDD使用同一电源即可.电源设计时,需要考虑电压,电流是否满足要求,电源的上电顺序和电源的上电时间,单调性等.电源电压的要求一般在±5%以内.电流需要根据使用的不同芯片,及芯片个数等进行计算.由于DDR的电流一般都比较大,所以

做过USB的人都或许有一个纠结,那就是D+和D-上到底要串多大的电阻,串在源端还是终端. 我想说:网络上的说法都不完全正确,首先USB有低速.全速和高速之分,在低速和全速模式下是电压驱动的,驱动电压为3.3V,但在高速模式下是电流驱动的,驱动电流为17.78mA,host-device模型如下: Host和device的D+和D-都有45ohm的电阻端接到地,所以每根线的并联电阻为22.5ohm,17.78x22.5=400mV,所以高速模式下的差分幅度为800mV (这时匹配电阻为0),但是匹

什么是阻抗 阻抗分三种,电阻.电容.电感,三者阻抗表达式如下: 符号 单位 表达式 备注 电阻 R 欧姆 Ω 电压电流相位相同 电容 C 法拉 F 电压相位落后电流90度 电感 L 亨利 H 电压相位超前电流90度 阻抗 Z 欧姆 Ω wL-1/wC < 0 称为容性负载 wL-1/wC > 0 称为感性负载 在具有电阻.电感和电容的电路里,各个元器件对电路中电流所起的阻碍作用叫做阻抗,其单位是欧姆,用符号Z表示,是一个复数,实部称为电阻,虚部为电抗.其中电容在电路中对交流电所起的阻碍作用称为

一.背景 客户要了一块单路CAN的板子,他希望在没有其他板子的情况下进行自行测试,然后按照我写的 APP选择自收发测试选项,却无法接收到发送的信息,但是外接了一块板子就可以接收到自己发送的 信息:由于开发时间久远,之前又没做记录,所以一时间没有解释出个子丑寅卯来,惭愧.现在重 新查看资料,便有了此文. 二.正文 LPC1769有"Gloable self test(全局自测试)"和"Local self test (本地自测试)"两种测试模 式: --> &q

引: 通常的微处理器都集成有1路或多路硬件UART通道,可以非常方便地实现串行通讯.在工业控制.电力控制.智能仪表等领域中,也常常使用简便易用的串行通讯方式作为数据交换的手段. 但是,在工业控制等环境中,常会有电气噪声干扰传输线路,使用RS-232通讯时经常因为外界的电气干扰而导致信号传输错误:另外,RS-232通讯的最大传输距离在不增加缓冲器的情况下只可以达到15米.为了解决上述问题,RS-485/422通讯方式就应运而生了. RS-232/422/485标准 RS-232.RS-422与RS

转自:https://blog.csdn.net/wangdapao12138/article/details/79935821 LVDS是一种低摆幅的差分信号技术,它使得信号能在差分PCB 线对或平衡电缆上以几百Mbps的速率传输,其低压幅和低电流驱动输出实现了低噪声和低功耗.IEEE 在两个标准中对LVDS 信号进行了定义.ANSI/TIA/E IA -644 中,推荐最大速率为655Mbps ,理论极限速率为1.923Gbps. 一.LVDS组成 LVDS 信号传输一般由三部分组成:差分信

一．LVDS简介 1.1.LVDS信号介绍LVDS:Low Voltage Differential Signaling,低电压差分信号.LVDS传输支持速率一般在155Mbps(大约为77MHZ)以上.LVDS是一种低摆幅的差分信号技术,它使得信号能在差分PCB线对或平衡电缆上以几百Mbps的速率传输,其低压幅和低电流驱动输出实现了低噪声和低功耗.IEEE在两个标准中对LVDS信号进行了定义.ANSI/TIA/EIA-644中,推荐最大速率为655Mbps,理论极限速率为1.923Mbps.L

LVDS是一种低摆幅的差分信号技术,它使得信号能在差分PCB 线对或平衡电缆上以几百Mbps的速率传输,其低压幅和低电流驱动输出实现了低噪声和低功耗.      IEEE 在两个标准中对LVDS 信号进行了定义.ANSI/TIA/E IA -644 中,推荐最大速率为655Mbps ,理论极限速率为1.923Mbps 一.LVDS组成 LVDS 信号传输一般由三部分组成:差分信号发送器,差分信号互联器,差分信号接收器.  差分信号发送器:将非平衡传输的TTL 信号转换成平衡传输的LVDS 信号.

CAN设计与应用指南 0.前言 这是我为公司写的一个关于CAN总线的入门文章,对全面理解CAN总线特性很有帮助,拿出来分享给大家. 1. 简介 CAN总线由德国BOSCH公司开发,最高速率可达到1Mbps.CAN的容错能力特别强,CAN控制器内建了强大的检错和处理机制.另外不同于传统的网络(比如USB或者以太网),CAN节点与节点之间不会传输大数据块,一帧CAN消息最多传输8字节用户数据,采用短数据包也可以使得系统获得更好的稳定性.CAN总线具有总线仲裁机制,可以组建多主系统. 2. CAN标准

LVDS是一种低摆幅的差分信号技术,它使得信号能在差分PCB 线对或平衡电缆上以 几百Mbps的速率传输,其低压幅和低电流驱动输出实现了低噪声和低功耗.       IEEE 在两个标准中对LVDS 信号进行了定义.ANSI/TIA/E IA -644 中,推荐最大速率为 655Mbps ,理论极限速率为1.923Mbps 一.LVDS组成 LVDS 信号传输一般由三部分组成:差分信号发送器,差分信号互联器,差分信号接收器.    差分信号发送器:将非平衡传输的TTL 信号转换成平衡传输的LVD

根据LVDS(Low Voltage Differential Signaling)电平定义的. LVDS差分信号PN两线最大幅度是350mV,内部一个恒流源电流是3.5mA.于是终端匹配电阻是100欧姆 也就是PN之间的等效阻抗是100欧姆.这就是协议规定的. 如果小于100欧姆,终端输出电平幅度不够,loss增大. 如果大于100欧姆,电流源拉出功率(驱动能力)不足,容易被干扰. --------------------- 本文来自 手牵手 的CSDN 博客 ,全文地址请点击:https:/

MIPI的走线阻抗100欧的要求是根据LVDS(Low Voltage Differential Signaling)电平定义的. LVDS差分信号PN两线最大幅度是350mV,内部一个恒流源电流是3.5mA.于是终端匹配电阻是100 Ohm 也就是PN之间的等效阻抗是100欧姆.这就是协议规定的. 如果小于100欧姆,终端输出电平幅度不够,loss增大. 如果大于100欧姆,电流源拉出功率(驱动能力)不足,容易被干扰 mipi信号一般是差分信号,差分信号为一正一负两根trace,两者之间相位差

转自:http://www.360doc.com/content/14/0116/16/15528092_345730642.shtml 以及参考网络. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用. 这部分的讲述运用DDR3的简化时序图.DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格. 和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格, 这就是内存芯片寻址的基本原理

这两天正在学习FPGA如何控制DDR3的读写,找到一篇个人感觉比较有意义的文章,可以对DDR的内部结构有一个初步的了解.原文出处:http://blog.chinaunix.net/uid-28458801-id-3459509.html,感谢大神的付出. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的 内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格.和表格的检索原理一样,先指定一个行(R

DDR3内存详解,存储器结构+时序+初始化过程 标签: DDR3存储器博客 2017-06-17 16:10 1943人阅读 评论(1) 收藏 举报  分类: 硬件开发基础(2)  转自:http://www.360doc.com/content/14/0116/16/15528092_345730642.shtml 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你

DDR3 初始化配置流程 系统上电之后,必须先完成DDR3 SDRAM 的初始化操作,系统才能访问DDR3 SDRAM.在进行初始化之前需要注意以下几点: 对DDR3 SDRAM 进行上电操作时,需要遵循JEDEC 标准.即先提供VDD,然 后提供VDDQ,最后提供VREF 和VTT.  该初始化过程需要在系统进入NORMAL 模式后进行. 在DDRC 32bit 模式下,假设存储空间由两片容量为1Gbit,数据总线位宽为16bit 的 DDR3 SDRAM 构成,DDRC 的初始化步骤如下:

一．TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V电源.1.输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh≥2.4V,Uol≤0.4V2.输入高电平和输入低电平Uih≥2.0V,Uil≤0.8V二．CMOSCMOS电路是电压控制器件,输入电阻极大,对于干扰信号十分敏感,因此不用的输入端不应开路,接到地或者电源上.CMOS电路的优点是噪声容限较宽,静态功耗很小.1.输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh

本人只是刚入坑的硬件助理,一名小白,很多都知识不懂,以下信息多数来自网络,可能不准确,恳请批评指正! 正文: 参考资料:http://blog.csdn.net/xiangyuqxq/article/details/7271969:http://blog.csdn.net/tietao/article/details/46764033: 问题1:为什么有些信号线串接33R小电阻? 解:网上查找了许多资料,个人认为最主要作用就是:高速电路下,起阻抗匹配作用:至于其他什么产生过冲.振铃等现象,我觉得

1.背景与介绍 1)在导师安排的新的任务中,用到了一块2G大小的DDR3(MT41K128M16JT-107).本打算像之前用SDRAM一样自己写初始化,读写模块,但是师兄跟我说可以用Xilinx自带的MCB来进行控制,会方便很多,于是自己在网上找了一些资料,摸索了一番,然后在实际运用后,写下了这篇随笔. 2)我们先看MCB内部结构图,重点关注两个部分User Logic 与PHY. PHY是外部IO接口,也就是和DDR3直接连接的接口: User Logic 对应的部分则是需要我用户编写的部分

本文由ilanniweb提供友情赞助,首发于烂泥行天下 想要获得更多的文章,可以关注我的微信ilanniweb. 今天我们来介绍下有关haproxy匹配手机的一些规则配置. 一.业务需要 现在根据业务的实际需要,有以下几种不同的需求.如下: 1.1 转发所有手机请求 所有通过手机端访问http.ilanni.com域名的话,全部转发到http://www.ilanni.com这个地址,而PC端不受此限制. 1.2 根据url进行转发 如果手机端请求http.ilanni.com这个域名的url中

ODT ( On-DieTermination ,片内终结)ODT 也是 DDR2 相对于 DDR1 的关键技术突破,所谓的终结(端接),就是让信号被电路的终端吸 收掉,而不会在电路上形成反射, 造成对后面信号的影响. 顾名思义, ODT 就是将端接电阻移植 到了芯片内部,主板上不再有端接电路.在进入DDR 时代, DDR 内存对工作环境提出更高的要求,如 果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象, 就会对后面信号的影响造成 运算出错.因此目前支持DDR主板都是通过采用终结